一种通用气缸控制卡制造技术

本实用新型专利技术涉及通用气缸控制技术领域，特别涉及一种通用气缸控制卡，包括有MCU、供电模块、隔离放大模块以及通讯模块、接口DIN、信号输入端口以及端口ISO_24VO，其中，所述MCU经过接口DO连接隔离放大模块；所述通讯模块的输入端连接接口DIN，其输出端连接MCU，所述MCU包括有引脚1

【技术实现步骤摘要】
一种通用气缸控制卡


[0001]本技术涉及通用气缸控制
，特别涉及一种通用气缸控制卡。

技术介绍

[0002]传统的运动控制卡，一般使用PCI/PCIe接口并通过64或128PIN线缆连接到接线盒上实现气缸控制或者气缸到位信号采集，这种板卡装配接线麻烦，同时后期维护成本较高。

技术实现思路

[0003]本技术的目的：本技术提出一种通用气缸控制卡，可提高板卡装备效率，降低维护成本。
[0004]为达到上述目的，本技术的技术方案如下：
[0005]一种通用气缸控制卡，包括有MCU、供电模块、隔离放大模块以及通讯模块、接口DIN、信号输入端口以及端口ISO_24V0，其中，所述MCU经过接口DO连接隔离放大模块；
[0006]所述通讯模块的输入端连接接口DIN，其输出端连接MCU，所述MCU包括有引脚1
‑
引脚64：
[0007]所述供电模块包括有DC
‑
DC降压转换器、LDO稳压器，所述DC
‑
DC降压转换器的输入端经过接口DIN连接电源正极，其输出端经过LDO稳压器连接MCU；
[0008]所述隔离放大模块的输入端通过接口DO连接MCU，其输出端连接外部气缸，所述接口DO包括有接口DO_0
‑
DO_11；
[0009]所述信号输入端口通过接口DI连接MCU，所述接口DI包括接口DI_0
‑
DI_11；
[0010]所述端口ISO_24V0的一端连接接口DIN，另外一端连接隔离放大模块。
[0011]作为一种改进：所述隔离放大模块包括有第一隔离放大电路、第二隔离放大电路、第三隔离放大电路、第四隔离放大电路、第五隔离放大电路、第六隔离放大电路、第七隔离放大电路、第八隔离放大电路以及芯片U7。
[0012]作为一种改进：所述第一隔离放大电路包括有第一光电耦合器U6，所述第一光耦合器U6的二极管输入端依次通过电阻R32、接口DO_0连接MCU的引脚29，所述电阻R32的输入端通过电阻R31连接电源正极；
[0013]所述第一光耦合器U6的光敏三极管的集级通过电阻R29连接端口ISO_24V0，第一光耦合器U6的光敏三极管的集级还依次通过二极管LD1、电阻R30连接端口ISO_24V0，所述第一光耦合器U6的光敏三极管的射级通过接口IS_00连接芯片U7的引脚1；
[0014]所述第二隔离放大电路包括有第二光电耦合器U8，所述第二光耦合器U8的二极管输入端依次通过电阻R36、接口DO_1连接MCU的引脚28，所述电阻R36的输入端通过电阻R5连接电源正极；
[0015]所述第二光耦合器U8的光敏三极管的集级通过电阻R33连接端口ISO_24V0，第二光耦合器U8的光敏三极管的集级还依次通过二极管LD2、电阻R34连接端口ISO_24V0，所述第二光耦合器U8的光敏三极管的射级通过接口IS_01连接芯片U7的引脚2；
[0016]所述第三隔离放大电路包括有第三光电耦合器U9，所述第三光耦合器U9的二极管输入端依次通过电阻R40、接口DO_2连接MCU的引脚27，所述电阻R40的输入端通过电阻R39连接电源正极；
[0017]所述第三光耦合器U9的光敏三极管的集级通过电阻R37连接端口ISO_24V0，第三光耦合器U9的光敏三极管的集级还依次通过二极管LD3、电阻R38连接端口ISO_24V0，所述第三光耦合器U9的光敏三极管的射级通过接口IS_02连接芯片U7的引脚3；
[0018]所述第四隔离放大电路包括有第四光电耦合器U10，所述第四光耦合器U10的二极管输入端依次通过电阻R45、接口DO_3连接MCU的引脚26，所述电阻R45的输入端通过电阻R44连接电源正极；
[0019]所述第四光耦合器U10的光敏三极管的集级通过电阻R42连接端口ISO_24V0，第四光耦合器U10的光敏三极管的集级还依次通过二极管LD4、电阻R43连接端口ISO_24V0，所述第四光耦合器U10的光敏三极管的射级通过接口IS_03连接芯片U7的引脚4；
[0020]所述第五隔离放大电路包括有第五光电耦合器U27，所述第五光耦合器U27的二极管输入端依次通过电阻R247、接口DO_4连接MCU的引脚25，所述电阻R247的输入端通过电阻R246连接电源正极；
[0021]所述第五光耦合器U27的光敏三极管的集级通过电阻R244连接端口ISO_24V0，第五光耦合器U27的光敏三极管的集级还依次通过二极管LD7、电阻R245连接端口ISO_24V0，所述第五光耦合器U27的光敏三极管的射级通过接口IS_04连接芯片U7的引脚5；
[0022]所述第六隔离放大电路包括有第六光电耦合器U28，所述第六光耦合器U28的二极管输入端依次通过电阻R251、接口DO_5连接MCU的引脚24，所述电阻R251的输入端通过电阻R250连接电源正极；
[0023]所述第六光耦合器U28的光敏三极管的集级通过电阻R248连接端口ISO_24V0，第六光耦合器U28的光敏三极管的集级还依次通过二极管LD8、电阻R249连接端口ISO_24V0，所述第六光耦合器U28的光敏三极管的射级通过接口IS_05连接芯片U7的引脚6；
[0024]所述第七隔离放大电路包括有第七光电耦合器U29，所述第七光耦合器U29的二极管输入端依次通过电阻R255、接口DO_6连接MCU的引脚23，所述电阻R255的输入端通过电阻R254连接电源正极；
[0025]所述第七光耦合器U29的光敏三极管的集级通过电阻R252连接端口ISO_24V0，第七光耦合器U252的光敏三极管的集级还依次通过二极管LD9、电阻R253连接端口ISO_24V0，所述第七光耦合器U29的光敏三极管的射级通过接口IS_C0连接芯片U7的引脚7；
[0026]所述第八隔离放大电路包括有第八光电耦合器U30，所述第八光耦合器U30的二极管输入端依次通过电阻R259、接口DO_7连接MCU的引脚22，所述电阻R259的输入端通过电阻R258连接电源正极；
[0027]所述第八光耦合器U30的光敏三极管的集级通过电阻R256连接端口ISO_24V0，第八光耦合器U30的光敏三极管的集级还依次通过二极管LD10、电阻R257连接端口ISO_24V0，所述第八光耦合器U30的光敏三极管的射级通过接口IS_C0连接芯片U7的引脚8。
[0028]综上所述，本技术具有以下有益效果：
[0029]该通用气缸控制卡利用MCU自带的DIO接口，结合光耦的隔离放大功能，可实现多路的DO输出以及多路的DI输入，在使用时通将外部气缸接入到芯片U7的引脚11
‑
引脚18，即
可实现对外部气缸的控制，从而提高了板卡装备效率，降低了维护成本。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本实用实施例中的技术方案，下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种通用气缸控制卡，其特征在于，包括有MCU、供电模块、隔离放大模块以及通讯模块、接口DIN、信号输入端口以及端口ISO_24V0，其中，所述MCU经过接口DO连接隔离放大模块；所述通讯模块的输入端连接接口DIN，其输出端连接MCU，所述MCU包括有引脚1
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引脚64；所述供电模块包括有DC
‑
DC降压转换器、LDO稳压器，所述DC
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DC降压转换器的输入端经过接口DIN连接电源正极，其输出端经过LDO稳压器连接MCU；所述隔离放大模块的输入端通过接口DO连接MCU，其输出端连接外部气缸，所述接口DO包括有接口DO_0
‑
DO_11；所述信号输入端口通过接口DI连接MCU，所述接口DI包括接口DI_0
‑
DI_11；所述端口ISO_24V0的一端连接接口DIN，另外一端连接隔离放大模块。2.根据权利要求1所述的一种通用气缸控制卡，其特征在于，所述隔离放大模块包括有第一隔离放大电路、第二隔离放大电路、第三隔离放大电路、第四隔离放大电路、第五隔离放大电路、第六隔离放大电路、第七隔离放大电路、第八隔离放大电路以及芯片U7；所述第一隔离放大电路包括有第一光耦合器U6，所述第一光耦合器U6的二极管输入端依次通过电阻R32、接口DO_0连接MCU的引脚29，所述电阻R32的输入端通过电阻R31连接电源正极；所述第一光耦合器U6的光敏三极管的集级通过电阻R29连接端口ISO_24V0，第一光耦合器U6的光敏三极管的集级还依次通过二极管LD1、电阻R30连接端口ISO_24V0，所述第一光耦合器U6的光敏三极管的射级通过接口IS_00连接芯片U7的引脚1；所述第二隔离放大电路包括有第二光耦合器U8，所述第二光耦合器U8的二极管输入端依次通过电阻R36、接口DO_1连接MCU的引脚28，所述电阻R36的输入端通过电阻R5连接电源正极；所述第二光耦合器U8的光敏三极管的集级通过电阻R33连接端口ISO_24V0，第二光耦合器U8的光敏三极管的集级还依次通过二极管LD2、电阻R34连接端口ISO_24V0，所述第二光耦合器U8的光敏三极管的射级通过接口IS_01连接芯片U7的引脚2；所述第三隔离放大电路包括有第三光耦合器U9，所述第三光耦合器U9的二极管输入端依次通过电阻R40、接口DO_2连接MCU的引脚27，所述电阻R40的输入端通过电阻R39连接电源正极；所述第三光耦合器U9的光敏三极管的集级通过电阻R37连接端口ISO_24V0，第三光耦合器U9的光敏三极管的集级还依次通过二极管LD3、电阻R38连接端口ISO_24V0，所述第三光耦合器U9的光敏三极管的射级通...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丽国，冯龙，柴国占，
申请(专利权)人：深钛智能科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：