层压结构的基准点制造技术

本发明专利技术公开了层压结构以及电子器件层压结构的基准点构型。在层压结构中成型的基准点具有更好的可见性和对比度，从而提高电子行业中常用自动化机器光学探测设备探测基准点的能力。通过层压结构中沿其深度延伸的开孔界定所公开的基准点，从而提供足够的对比度。基准点的开孔穿过层压结构的多个金属层和介电层。基准点成型可采用激光钻孔或其他消减处理技术。本文所公开的基准点可涂覆附加层或镀层，例如包括一层电子器件电磁屏蔽层的金属镀层，基准点具有足够的可见性和对比度，使附加层或镀层保持可探测。镀层保持可探测。镀层保持可探测。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】层压结构的基准点


[0001]本公开涉及电子器件的层压结构，具体涉及层压结构的基准点。

技术介绍

[0002]通常采用电子基片来支撑、连接电子元件和电子模块。印刷电路板等层压结构常常用作电子器件的电子基片。典型的层压结构可包括一个支撑用的非导体以及一个或多个连接电子元件或电子模块的导体。导体可采用在非导体表面处裸露的任何类型导电结构，可包括接触垫、导电线路、导孔的表面暴露部分等。电阻器、电容器、电感器、谐振器、接合线和集成电路(IC)等电子元件通过焊接工艺贴装在一个或多个导体上。例如，导体可包括一个或多个通过一条或多条导电线路互相连接的接触垫。因此，在层压结构上成型一个或多个电路。贴装在层压结构上的一个或多个电子元件可通过布置形成一个电子器件或模块。
[0003]在典型的制作工艺中，在一个常用的层压结构上可同时成型很多电子模块，然后进行电子模块或电子模块组的切单。按照这种方式，可高速按顺序实施常用生产步骤和工艺，同时成型大量的电子模块。可采用电子元件贴装工具在常用的层压结构上来贴装电子元件，从而成型电子模块。在电子模块成型后，切单可包括沿单独电子模块的外围边界或者围绕电子模块组对层压结构进行切单。通常采用基准点或识别标记在层压结构上标记各种电子元件的贴装位置，或者标记电子模块切单线的位置。
[0004]现有技术需要提高电子器件和相关制作技术来克服传统电子器件所带来的挑战。

技术实现思路

[0005]本公开涉及电子器件的层压结构，具体涉及层压结构基准点的构型。本文所公开的层压结构可包括一个或多个金属层和介电层，介电层为其上贴装的一个或多个电子元件或模块提供支撑。在层压结构中成型所公开的基准点，具有更好的可见性和对比度，从而提高电子行业中常用自动化机器光学探测设备探测基准点的能力。在某些实施例中，通过层压结构中沿其深度延伸的开孔界定基准点，从而提供足够的对比度。基准点的开孔穿过层压结构的多个金属层和介电层。在某些实施例中，通过激光钻孔等消减技术成型基准点的开孔。在某些实施例中，基准点可涂覆附加层或镀层，例如包括一层电子器件(贴装在层压结构上)电磁屏蔽层的金属镀层，基准点具有足够的可见性和对比度，使附加层或镀层保持可探测。
[0006]在另一方面，本文所述的任何上述方面和/或各种单独方面和特征可进行组合，从而提供其他优势。除非本文中有相反规定，否则本文所述的任何各种特征和要素可与一个或多个其他公开的特征和要素结合使用。
[0007]本领域的技术人员在结合附图一起阅读以下具体实施方式后，应理解本专利技术的范围，并认识到本专利技术的其他方面。
附图说明
[0008]本说明书中包含附图，附图属于本说明书的一部分，说明了本公开的几个方面，并与以下说明共同说明了本公开的原理。
[0009]图1A是层压结构在几个基准点成型后的俯视图。
[0010]图1B是沿图1A剖面线A
‑
A剖开后的截面图。
[0011]图2是层压结构在几个基准点成型(增加了本文所公开实施例中层压结构上的深度)后的俯视图。
[0012]图3A是层压结构在基准点成型前的截面图。
[0013]图3B是图3A中层压结构在光刻胶层在层压结构上形成图案后的截面图。
[0014]图3C是图3B中层压结构在第一金属层在特定区域厚度增加后的截面图。
[0015]图3D是图3C中层压结构在去除光刻胶层后的截面图。
[0016]图3E是图3D中层压结构在基准点增加了层压结构上的深度后的截面图。
[0017]图4A是本文所公开实施例中包括阻焊层的层压结构的截面图。
[0018]图4B是图4A中层压结构在基准点增加了深度后的截面图。
[0019]图5A是本文所公开实施例中包括金属镀层的层压结构的截面图。
[0020]图5B是图5A实施例中包括图4A和图4B中所示阻焊层的层压结构的截面图。
[0021]图6A是代表性层压结构装有多个电子模块形成一排电子模块后的俯视图。
[0022]图6B是图6A中层压结构在图5A和图5B所示的金属镀层成型后的俯视图。
具体实施方式
[0023]以下所述实施例提供了使本领域技术人员实现这些实施例所需的信息，并说明了实现这些实施例的最佳方式。在结合附图一起阅读以下说明时，本领域技术人员应理解本公开的这些概念，并认识到这些概念的应用并未在本文中进行具体说明。应理解，这些概念和应用在本公开和权利要求的保护范围内。
[0024]应理解，虽然本文中使用术语“第一”、“第二”等描述各种构件，但是这些构件不应受到这些术语的限制。这些术语仅仅用于区分不同的构件。例如，在不脱离本公开的范围下，第一构件也可以叫做第二构件，同样，第二构件也可以叫做第一构件。在本文中，术语“和/或”包括一个或多个所列相关项目的任何以及所有组合。
[0025]应理解，当一个层、区域或基片等一个构件涉及“位于另一个构件上”或者“在另一个构件上”延伸时，其可直接位于另一个构件上或直接在另一个构件上延伸，但是可能还会有中间构件。相反，如果一个构件涉及“直接位于另一个构件上”或者“直接在另一个构件上”延伸时，应无中间构件。同样，应理解，当一个层、区域或基片等一个构件涉及“位于另一个构件上方”或者“在另一个构件上方”延伸时，其可直接位于另一个构件上方或直接在另一个构件上方延伸，但是可能还会有中间构件。相反，如果一个构件涉及“直接位于另一个构件上方”或者“直接在另一个构件上方”延伸时，应无中间构件。应理解，当一个构件涉及与另一个构件“连接”或者“对接”时，其可与另一个构件直接连接或对接，但是可能还会有中间构件。相反，如果一个构件涉及与另一个构件“直接连接”或者“直接对接”时，应无中间构件。
[0026]本文中可能使用“下方”、“上方”、“上部”、“下部”、“水平”或“垂直”等相对术语来
说明一个构件、层或区域与另一个构件、层或区域的相对关系，如附图所示。应理解，这些术语和上述内容除了包括附图所描述的器件方位外，还包括了其他不同的方位。
[0027]本文中所使用的术语仅仅是为了说明特定实施例，而不是对本公开进行限制。在本文中，除非上下文另有明确说明，否则单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“所述(the)”也包括复数形式。应进一步理解，本文所用的术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)、“包括(includes)”和/或“包括(including)”明确指出存在所述特征、整数、步骤、操作、构件和/或组件，但并不排除存在或增加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、构件、组件和/或其组合。
[0028]除非另有规定，否则本文所用的所有术语(包括技术和科学术语)均具有本公开所属领域普通技术人员通常理解的相同含义。应进一步理解，本文所用的术语应解释为具有与本说明上下文和相关技术中的含义一致的含义，除非本文另有明确规定，否则不得在理想化或过于正式的意义上进行解释。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种器件，包括一个层压结构，包括一个第一金属层、一个第二金属层和一个第一介电层，所述第一介电层分布在所述第一金属层和第二金属层之间；以及一个在层压结构上成型的基准点，通过一个穿过所述第一金属层、第一介电层和第二金属层的开孔界定所述基准点。2.根据权利要求1所述的一种器件，其中，在开孔中成型所述基准点的侧壁，所述侧壁包括一部分第一金属层和一部分第一介电层。3.根据权利要求2所述的一种器件，其中，所述基准点的侧壁不包括第二金属层。4.根据权利要求2所述的一种器件，进一步包括一个位于层压结构上的金属镀层，所述金属镀层延伸到开孔中覆盖所述基准点的侧壁。5.根据权利要求4所述的一种器件，其中，所述金属镀层包括一个电磁屏蔽层。6.根据权利要求4所述的一种器件，其中，所述金属镀层包括至少一个铜镍层。7.根据权利要求1所述的一种器件，其中，所述层压结构进一步包括一个第三金属层，所述基准点包括第三金属层通过开孔暴露的表面。8.根据权利要求7所述的一种器件，进一步包括一个位于层压结构上的金属镀层，所述金属镀层延伸到开孔中，并覆盖所述第三金属层的表面。9.根据权利要求1所述的一种器件，其中，所述层压结构进一步包括一个位于第一金属层表面上的阻焊层，所述阻焊层形成一个基准点标记的阻焊层开孔。10.根据权利要求9所述的一种器件，其中，所述阻焊层开孔在层压结构上的宽度大于基准点在层压结构上的宽度。11.根据权利要求9所述的一种器件，进一步包括一个位于层压结构上的金属镀层，所述金属镀层覆盖至少一部分阻焊层，并且延伸到开孔中。12.根据权利要求1所述的一种器件，进一步包括多个位于层压结构表面的电子模块，其中，所述基准点包括一个对准标记，用于指示多个电子模块切单切割线的位置。13.根据权利要求1所述的一种器件，进一步包括一个位于层压结构表面的电子模块，其中，所述基准点包括一个对准标记，用于指示电...

【专利技术属性】
技术研发人员：约翰，
申请(专利权)人：QORVO美国公司，
类型：发明
国别省市：