【技术实现步骤摘要】
一种晶圆清洗装置
[0001]本专利技术涉及半导体材料加工
,尤其涉及一种晶圆清洗装置。
技术介绍
[0002]随着半导体制造技术日新月异,CMP(化学机械研磨)成为晶圆制造中实现多金属层和互连线的关键技术,通过化学机械研磨等平坦化工艺,提高各材料层的表面平整度,进而提高后续形成的半导体器件的性能。晶圆经化学机械研磨工艺后,晶圆表面往往会残留研磨液和异物等,因此晶圆的清洗成为了一道非常重要且要求较高的工艺。
[0003]例如申请号为CN202011472545.4的专利技术专利所提出的可动态调整姿态的晶圆清洗装置,通过设置晶圆旋转组件、相对设于晶圆的两侧两个清洗刷、清洗刷运动机构以及控制器,能有效夹持晶圆两侧,并通过清洗刷的转动来进行清洗功能。
[0004]上述清洗装置中是通过流体喷射装置(未示出)朝向旋转的晶圆W喷射清洗液,如酸性或碱性的清洗液,并通过清洗刷的旋转来清洗晶圆的,然而上述清洗刷浸润清洗液的速度较慢,喷射至晶圆上的清洗液流失速度快,清洗时间耗时较长,降低清洗效率。
技术实现思路
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置,用于清洗晶圆,其特征在于,包括工作台、旋转夹紧组件和清洗组件;所述晶圆设于所述工作台上;所述旋转夹紧组件设于所述工作台上,所述旋转夹紧组件具有至少三个旋转端,至少三个所述旋转端沿所述晶圆周向均匀设置且转动方向均相同,至少三个所述旋转端与所述晶圆的薄边抵触,用于驱动所述晶圆沿其轴线方向转动;所述清洗组件包括一水平设置的清洗刷,所述清洗刷与所述工作台转动连接,所述清洗刷贴于所述晶圆的表面设置,所述清洗刷内部具有一空腔,所述空腔与所述清洗刷的外表面相连通,所述清洗刷经由一旋转接头使所述空腔外接清洗介质,通过浸湿的所述清洗刷的旋转以清洗所述晶圆。2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,至少三个所述旋转端均为一滚轮,至少三个所述滚轮均沿平行所述工作台的平面内转动。3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述滚轮均经由一旋转件与所述工作台转动连接,所述旋转件包括外壳、第一驱动件、联轴器和转轴,所述外壳与所述工作台连接,所述第一驱动件内置于所述外壳中,所述第一驱动件经由所述联轴器与所述转轴连接,所述转轴与所述外壳转动连接,所述转轴垂直于所述工作台设置,所述滚轮套设于所述转轴上。4.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述外壳经由一滑动件与所述工作台滑动连接,所述滑块件包括底座和第二驱动件,底座与所述工作台滑动连接,所述外壳与所述底座固定连接,所述第二驱动件固定设于所述工作台上,所述第二驱动件的输出端与所述底座连接,以驱动所述滚轮朝靠近或远离所述晶圆的圆心方向移动。5.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述清洗刷包括清洗刷轴和清洗刷筒,所述清洗刷轴与所述工作台转动连接,所述清洗刷筒同轴套设于所述清洗刷轴上,所述清洗刷筒与所述晶圆的外表面抵触,所述清...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴超群,张旭焱,梁穆熙,胡智杰,
申请(专利权)人:武汉理工大学,
类型:发明
国别省市:
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