套刻误差的补偿方法、补偿装置、光刻机及存储介质制造方法及图纸

本申请适用于半导体技术领域，提供了一种套刻误差的补偿方法、补偿装置、光刻机及存储介质。该补偿方法包括：从N个对准记号中，确定M个待插值记号组，待插值记号组包括至少两个对准记号；获取N个对准记号的套刻误差；对于第i个待插值记号组，第i个待插值记号组为M个待插值记号组中的任一待插值记号组，根据第i个待插值记号组中的所有对准记号的套刻误差，确定第i个待插值记号组对应的插值点的套刻误差；根据N个对准记号的套刻误差和M个待插值记号组对应的插值点的套刻误差，对晶圆进行误差补偿。通过可本申请可在不增加晶圆上对准记号的基础上，得到较多的套刻误差，基于这些套刻误差，对晶圆进行误差补偿，能够提高套刻精度。能够提高套刻精度。能够提高套刻精度。

【技术实现步骤摘要】
套刻误差的补偿方法、补偿装置、光刻机及存储介质


[0001]本申请属于半导体
，尤其涉及一种套刻误差的补偿方法、补偿装置、光刻机及存储介质。

技术介绍

[0002]晶圆在光刻工艺中有两个重要的流程，分别是对准和曝光。在对晶圆进行对准时，较常用的方法是在晶圆上设置对准记号，通过对对准记号的扫描和对准，实现晶圆的对准。
[0003]晶圆上的对准记号可以用来搜索套刻误差，以进行误差补偿，提高套刻精度。但是由于晶圆的面积限制，导致晶圆上设置的对准记号的数量有限，进而导致套刻误差的数量有限，套刻精度较低。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种套刻误差的补偿方法、补偿装置、光刻机及存储介质，以解决现有技术中晶圆上设置的对准记号的数量有限，导致套刻误差的数量有限，套刻精度较低的问题。
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种套刻误差的补偿方法，晶圆上设置有N个对准记号，N为大于1的整数，所述补偿方法包括：
[0006]从N个所述对准记号中，确定M个待插值记号组，M为大于零的整数，所述待插值记号组包括至少两个对准记号；
[0007]获取N个所述对准记号的套刻误差；
[0008]对于第i个所述待插值记号组，第i个所述待插值记号组为M个所述待插值记号组中的任一所述待插值记号组，根据第i个所述待插值记号组中的所有对准记号的套刻误差，确定第i个所述待插值记号组对应的插值点的套刻误差；
[0009]根据N个所述对准记号的套刻误差和M个所述待插值记号组对应的插值点的套刻误差，对所述晶圆进行误差补偿。
[0010]第二方面，本申请实施例提供了一种套刻误差的补偿装置，晶圆上设置有N个对准记号，N为大于1的整数，所述补偿装置包括：
[0011]记号组确定模块，用于从N个所述对准记号中，确定M个待插值记号组，M为大于零的整数，所述待插值记号组包括至少两个对准记号；
[0012]误差获取模块，用于获取N个所述对准记号的套刻误差；
[0013]误差确定模块，用于对于第i个所述待插值记号组，第i个所述待插值记号组为M个所述待插值记号组中的任一所述待插值记号组，根据第i个所述待插值记号组中的所有对准记号的套刻误差，确定第i个所述待插值记号组对应的插值点的套刻误差；
[0014]误差补偿模块，用于根据N个所述对准记号的套刻误差和M个所述待插值记号组对应的插值点的套刻误差，对所述晶圆进行误差补偿。
[0015]第三方面，本申请实施例提供了一种光刻机，包括存储器、处理器以及存储在所述
存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述第一方面所述补偿方法的步骤。
[0016]第四方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述第一方面所述补偿方法的步骤。
[0017]第五方面，本申请实施例提供了一种计算机程序产品，当所述计算机程序产品在光刻机上运行时，使得所述光刻机执行如上述第一方面所述补偿方法的步骤。
[0018]由上可见，本申请通过从晶圆上设置的N个对准记号中确定M个待插值记号组，每个待插值记号组包括至少两个对准记号，并获取N个对准记号的套刻误差，可以对于M个待插值记号组中的任一待插值记号组(例如第i个待插值记号组)，根据第i个待插值记号组中的所有对准记号的套刻误差，确定第i个待插值记号组对应的插值点的套刻误差，从而可得到M个待插值记号组对应的插值点的套刻误差，能够在不增加晶圆上对准记号的基础上，得到较多的套刻误差(包括对准记号的套刻误差和插值点的套刻误差)，基于这些套刻误差，对晶圆进行误差补偿，能够提高套刻精度。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1是本申请实施例一提供的套刻误差的补偿方法的实现流程示意图；
[0021]图2a是晶圆上对准记号的套刻误差的示例图；
[0022]图2b是晶圆上对准记号的套刻误差的简化示例图；
[0023]图3是本申请实施例二提供的套刻误差的补偿方法的实现流程示意图；
[0024]图4a是一阶补偿算法的误差补偿示例图；
[0025]图4b是二阶补偿算法的误差补偿示例图；
[0026]图5是本申请实施例三提供的套刻误差的补偿装置的结构示意图；
[0027]图6是本申请实施例四提供的光刻机的结构示意图。
具体实施方式
[0028]以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
[0029]应当理解，当在本申请说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
[0030]在本申请说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书
中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。
[0031]另外，在本申请说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0032]在说明本申请方案之前，为了便于读者理解，先对本方案中所涉及的名词进行解释说明。
[0033]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅片，其原始材料是硅。
[0034]光刻机，也可以称之为曝光机、对准机等，是制造芯片的核心装备，用于将掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到晶圆上，是将掩膜版上的图形与前道工序中已刻在硅片上的图形对准后，再对硅片表面的光刻胶进行曝光实现图形复制的设备。
[0035]光刻机通常分为光学光刻机和非光学光刻机。光学光刻机采用紫外线作为曝光光源。非光学光刻机采用电磁光谱的其他成分(例如X射线、电子束等)作为曝光光源。
[0036]多层高精细制版一般都需要进行多次曝光才能制作完成，即每次曝光一层图形都需要用一块掩膜版，而在使用每一块掩膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种套刻误差的补偿方法，晶圆上设置有N个对准记号，N为大于1的整数，其特征在于，所述补偿方法包括：从N个所述对准记号中，确定M个待插值记号组，M为大于零的整数，所述待插值记号组包括至少两个对准记号；获取N个所述对准记号的套刻误差；对于第i个所述待插值记号组，第i个所述待插值记号组为M个所述待插值记号组中的任一所述待插值记号组，根据第i个所述待插值记号组中的所有对准记号的套刻误差，确定第i个所述待插值记号组对应的插值点的套刻误差；根据N个所述对准记号的套刻误差和M个所述待插值记号组对应的插值点的套刻误差，对所述晶圆进行误差补偿。2.如权利要求1所述的补偿方法，其特征在于，所述对准记号的套刻误差包括所述对准记号的套刻误差的X分量和Y分量，套刻误差的X分量是指套刻误差在水平方向的分量，套刻误差的Y分量是指套刻误差在垂直方向的分量；根据第i个所述待插值记号组中的所有对准记号的套刻误差，确定第i个所述待插值记号组对应的插值点的套刻误差包括：根据第i个所述待插值记号组中的所有对准记号的套刻误差的X分量，确定第i个所述待插值记号组对应的插值点的套刻误差的X分量；根据第i个所述待插值记号组中的所有对准记号的套刻误差的Y分量，确定第i个所述待插值记号组对应的插值点的套刻误差的Y分量；根据第i个所述待插值记号组对应的插值点的套刻误差的X分量和Y分量，确定所述第i个所述待插值记号组对应的插值点的套刻误差。3.如权利要求2所述的补偿方法，其特征在于，在根据第i个所述待插值记号组中的所有对准记号的套刻误差，确定第i个所述待插值记号组对应的插值点的套刻误差之前，还包括：获取第i个所述待插值记号组中的所有对准记号分别与对应的插值点的距离；根据第i个所述待插值记号组中的第j个对准记号与对应的插值点的距离，确定第i个所述待插值记号组中的第j个对准记号对应的权重，第i个所述待插值记号组中的第j个对准记号对应的权重与第j个对准记号与对应的插值点的距离成反比，第i个所述待插值记号组中的第j个对准记号为第i个所述待插值记号组中的所有对准记号中的任一对准记号；所述根据第i个所述待插值记号组中的所有对准记号的套刻误差的X分量，确定第i个所述待插值记号组对应的插值点的套刻误差的X分量包括：根据第i个所述待插值记号组中的所有对准记号的套刻误差的X分量和对应的权重，确定第i个所述待插值记号组对应的插值点的套刻误差的X分量；所述根据第i个所述待插值记号组中的所有对准记号的套刻误差的Y分量，确定第i个所述待插值记号组对应的插值点的套刻误差的Y分量包括：根据第i个所述待插值记号组中的所有对准记号的套刻误差的Y分量和对应的权重，确定第i个所述待插值记号组对应的插值点的套刻误差的Y分量。4.如权利要求3所述的补偿方法，其特征在于，所述根据第i个所述待插值记号组中的所有对准记号的套刻误差的X分量和对应的权重，确定第i个所述待插值记号组对应的插值点的套刻误差的X分量包括：
根据第一公式，计算第i个所述待插值记号组对应的插值点的套刻误差的X分量；其中，所述第一公式为Ax表示第i个所述待插值记号组对应的插值点的套刻误差的X分量，q
j
表示第i个所述待插值记号组中的第j个对准记号对应的权重，V
j
x表示第i个所述待插值记号组中的第j个对准记号的套刻误差的X分量，H表示第i个所述待插值记号组中对准...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾健忠，
申请(专利权)人：深圳天狼芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：