半导体制造装置及其操作方法制造方法及图纸

公开了半导体制造装置及其操作方法。半导体制造装置包括振荡单元和极紫外生成单元，振荡单元包括第一种子激光器、第二种子激光器和种子模块，其中，第一种子激光器使第一脉冲振荡，并且其中，第二种子激光器使第二脉冲振荡，并且极紫外生成单元被配置为使用第一脉冲和第二脉冲生成极紫外光。种子模块包括多个反射镜以及脉冲控制光学系统，多个反射镜被配置为使第一脉冲和第二脉冲分别沿着第一路径和第二路径行进，并且脉冲控制光学系统包括第一光学元件、第二光学元件和第三光学元件。脉冲控制光学系统在不与第一路径重叠的第二路径上。第三光学元件包括第一光学元件与第二光学元件之间的透镜。件之间的透镜。件之间的透镜。

【技术实现步骤摘要】
半导体制造装置及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年6月9日向韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10
‑
2020
‑
0069511的优先权，其公开内容通过引用完整地并入本文。


[0003]本专利技术构思涉及一种半导体制造装置及其操作方法，更具体地，涉及一种极紫外光源及其操作方法。

技术介绍

[0004]期望使用极紫外(EUV)光源的光刻，以用于下一代半导体的微制造。光刻是这样一种技术，即，硅衬底通过掩模接收投射到其上的减小的光束或光，在该掩模上绘制有电路图案以在硅衬底上形成电子电路，而极紫外光是指波长范围从约1nm至约100nm的光线。由于通过光刻形成的电路的最小加工尺寸基本上取决于光源的波长，因此对于下一代半导体的开发而言，减小光源的波长是必不可少的，因此对EUV光源的发展进行了积极的研究。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思的一些示例实施例提供了一种半导体制造装置及其操作方法，该装置具有提高的稳定性和增加的生产率。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造装置，包括：振荡单元，包括第一种子激光器、第二种子激光器和种子模块，其中，所述第一种子激光器被配置为使第一脉冲振荡，并且其中，所述第二种子激光器被配置为使第二脉冲振荡；以及极紫外生成单元，被配置为使用所述第一脉冲和所述第二脉冲生成极紫外光，其中，所述种子模块包括：多个反射镜，被配置为使所述第一脉冲和所述第二脉冲分别沿第一路径和第二路径行进；以及脉冲控制光学系统，包括第一光学元件、第二光学元件和第三光学元件，其中，所述脉冲控制光学系统在不与所述第一路径重叠的所述第二路径上，并且其中，所述第三光学元件包括所述第一光学元件与所述第二光学元件之间的透镜。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二脉冲包括输入到所述脉冲控制光学系统的输入脉冲以及从所述脉冲控制光学系统输出的输出脉冲，其中，所述脉冲控制光学系统被配置为使所述输出脉冲相对于所述输入脉冲移位。3.根据权利要求2所述的装置，还包括所述振荡单元与所述极紫外生成单元之间的放大单元，其中，所述放大单元被配置为接收所述第二脉冲的输出脉冲以及所述第一脉冲。4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第三光学元件还包括被配置为控制所述透镜的位置的致动器。5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一光学元件和所述第二光学元件被配置为反射所述第二脉冲。6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述透镜的焦距与所述透镜和所述第一光学元件之间的间距相同。7.根据权利要求1所述的装置，还包括所述振荡单元与所述极紫外生成单元之间的放大单元，其中，所述种子模块在所述放大单元与所述第一种子激光器和所述第二种子激光器之间。8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一光学元件包括被配置为使所述第一光学元件的中心轴旋转的旋转器。9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第三光学元件还包括所述第二光学元件与所述透镜之间的折射设备。10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述折射设备包括面向所述第二光学元件的顶表面、以及面向所述透镜的底表面，其中，所述折射设备的所述顶表面和所述底表面中的至少一个相对于所述第一光学元件的顶表面具有斜度或成角度。11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述脉冲控制光学系统还包括所述第二光学元件与所述第三光学元件之间的监视元件，其中，所述监视元件具有干涉仪结构。12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述监视元件包括分束器和感测镜，所述分束
器在所述第二路径上，并且所述感测镜包括波前传感器。13.一种半导体制造装置，包括：振荡单元，包括第一种子激光器、第二种子激光器和种子模块，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金度亨，洪成哲，金仁晟，朴珍洪，李贞彻，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：