太阳能电池的制作方法和太阳能电池技术

技术编号:31311888 阅读:21 留言:0更新日期:2021-12-12 21:45
本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种太阳能电池的制作方法和太阳能电池。太阳能电池的制作方法包括:将硅片制成待制作电路的电池基片,电池基片包括多个间隔的第一区域和多个间隔的第二区域,第一区域与第二区域交叉;在第一区域制备氮化硅层;在氮化硅层上印刷第一浆料;在第二区域印刷第二浆料;烧结印刷了第一浆料和第二浆料的电池基片,以使由第一浆料烧结成的主栅嵌入氮化硅层,并使由第二浆料烧结成的副栅与硅片形成金半接触,副栅与主栅搭接。如此,使得主栅具有较好的焊接性,并使得主栅下的复合损失较少。使得主栅下的复合损失较少。使得主栅下的复合损失较少。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池的制作方法和太阳能电池


[0001]本申请属于太阳能电池
,尤其涉及一种太阳能电池的制作方法和太阳能电池。

技术介绍

[0002]相关技术中,在制备了氮化硅薄膜的电池印刷浆料,浆料在烧结过程中烧穿氮化硅薄膜,与硅基底形成金半接触,从而形成导电通道。副栅收集硅基底中的电流汇集到主栅,主栅中的电流通过焊接在主栅上的焊带流到外电路中。然而,过大的金半接触面和嵌入深度会导致复合损失的增加,过小的金半接触面和嵌入深度会导致主栅的焊接性较差。基于此,如何制作太阳能电池以使复合损失较低且主栅焊接性较好,成为了亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种太阳能电池的制作方法和太阳能电池,旨在解决如何制作太阳能电池以使复合损失较低且主栅焊接性较好的问题。
[0004]第一方面,本申请提供的太阳能电池的制作方法,包括:
[0005]将硅片制成待制作电路的电池基片,所述电池基片包括多个间隔的第一区域和多个间隔的第二区域,所述第一区域与所述第二区域交叉;
[0006]在所述第一区域制备氮化硅层;
[0007]在所述氮化硅层上印刷第一浆料;
[0008]在所述第二区域印刷第二浆料;
[0009]烧结印刷了所述第一浆料和所述第二浆料的所述电池基片,以使由所述第一浆料烧结成的主栅嵌入所述氮化硅层,并使由所述第二浆料烧结成的副栅与所述硅片形成金半接触,所述副栅与所述主栅搭接。
[0010]可选地,在所述第一区域制备氮化硅层,包括:
[0011]制备氮化硅的悬浊液;
[0012]将所述悬浊液附着在所述第一区域;
[0013]烘烤附着了所述悬浊液的所述电池基片;
[0014]烧结烘烤后的所述电池基片。
[0015]可选地,制备氮化硅的悬浊液,包括:
[0016]混合氮化硅粉末、聚乙二醇和聚乙烯吡咯烷酮,以制备所述悬浊液。
[0017]可选地,将所述悬浊液附着在所述第一区域,包括:
[0018]采用印刷工艺或喷涂工艺将所述悬浊液附着在所述第一区域。
[0019]可选地,在所述烘烤附着了所述悬浊液的所述电池基片的步骤中,烘烤温度的范围为100℃

600℃,和/或,烘烤时长的范围为10min

30min。
[0020]可选地,在所述烧结烘烤后的所述电池基片的步骤中,烧结温度的范围为700℃

800℃,和/或,烧结时长的范围为1min

5min。
[0021]可选地,所述氮化硅层的厚度范围为0.3μm

5μm。
[0022]第二方面,本申请提供的太阳能电池,采用上述任一项的方法制作得到。
[0023]第三方面,本申请提供的太阳能电池,包括:电池基片、氮化硅层、主栅和副栅,所述电池基片由硅片制成,所述电池基片包括多个间隔的第一区域和多个间隔的第二区域,所述第一区域与所述第二区域交叉,所述氮化硅层位于所述第一区域,所述主栅由在所述氮化硅层上印刷的第一浆料烧结而成,所述主栅嵌入所述氮化硅层,所述副栅由在所述第二区域印刷的第二浆料烧结而成,所述副栅与所述硅片形成金半接触,所述副栅与所述主栅搭接。
[0024]可选地,所述氮化硅层的厚度范围为0.3μm

5μm。
[0025]本申请实施例的太阳能电池的制作方法和太阳能电池中,硅片的第一区域设有氮化硅层,使得印刷在氮化硅层的第一浆料在烧结时嵌入氮化硅层,从而使得由第一浆料烧结而成的主栅具有较高的拉力,进而使得主栅具有较好的焊接性。同时,主栅和硅片之间没有直接接触,载流子无法到达金属界面,使得主栅下的复合损失较少。而且,副栅与硅片形成金半接触并与主栅搭接,可以将收集到的电流传输给主栅,从而保证电池的正常工作。
附图说明
[0026]图1是本申请实施例的太阳能电池的制作方法的流程示意图;
[0027]图2是本申请实施例的太阳能电池的结构示意图;
[0028]图3是本申请实施例的太阳能电池的制作方法的流程示意图;
[0029]图4是本申请实施例的太阳能电池的制作方法的流程示意图;
[0030]图5是本申请实施例的太阳能电池的制作方法的流程示意图。
[0031]主要元件符号说明:
[0032]太阳能电池10、电池基片11、氮化硅层12、正面氮化硅层121、背面氮化硅层122、主栅13、正面主栅131、背面主栅132、副栅14。
具体实施方式
[0033]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
[0034]请参阅图1和图2,本申请实施例的太阳能电池10的制作方法,包括:
[0035]步骤S11:将硅片制成待制作电路的电池基片11,电池基片11包括多个间隔的第一区域和多个间隔的第二区域,第一区域与第二区域交叉;
[0036]步骤S12:在第一区域制备氮化硅层12;
[0037]步骤S13:在氮化硅层12上印刷第一浆料;
[0038]步骤S14:在第二区域印刷第二浆料;
[0039]步骤S15:烧结印刷了第一浆料和第二浆料的电池基片11,以使由第一浆料烧结成的主栅13嵌入氮化硅层12,并使由第二浆料烧结成的副栅14与硅片形成金半接触,主栅13与副栅14搭接。
[0040]本申请实施例的太阳能电池10包括:电池基片11、氮化硅层12、主栅13和副栅14,
电池基片11由硅片制成,电池基片11包括多个间隔的第一区域和多个间隔的第二区域,第一区域与第二区域交叉,氮化硅层12位于第一区域,主栅13由在氮化硅层12上印刷的第一浆料烧结而成,主栅13嵌入氮化硅层12,副栅14由在第二区域印刷的第二浆料烧结而成,副栅14与硅片形成金半接触。
[0041]本申请实施例的太阳能电池10的制作方法,硅片的第一区域设有氮化硅层12,使得印刷在氮化硅层12的第一浆料在烧结时嵌入氮化硅层12,从而使得由第一浆料烧结而成的主栅13具有较高的拉力,进而使得主栅13具有较好的焊接性。同时,主栅13和硅片之间没有直接接触,载流子无法到达金属界面,使得主栅13下的复合损失较少。而且,副栅14与硅片形成金半接触并与主栅13搭接,可以将收集到的电流传输给主栅13,从而保证电池的正常工作。
[0042]具体地,第一区域是与主栅13对应的区域。在本实施例中,一个第一区域与一个主栅13对应。每个主栅13在电池基片11的正投影位于对应的一个第一区域内。
[0043]可以理解,在其他的实施例中,一个第一区域可与多个主栅13对应。多个主栅13在电池基片11的正投影位于对应的一个第一区域内。
[0044]具体地,第二区域是与副栅14对应的区域。在本实施例中,一个第二区域与一个副栅14本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括:将硅片制成待制作电路的电池基片,所述电池基片包括多个间隔的第一区域和多个间隔的第二区域,所述第一区域与所述第二区域交叉;在所述第一区域制备氮化硅层;在所述氮化硅层上印刷第一浆料;在所述第二区域印刷第二浆料;烧结印刷了所述第一浆料和所述第二浆料的所述电池基片,以使由所述第一浆料烧结成的主栅嵌入所述氮化硅层,并使由所述第二浆料烧结成的副栅与所述硅片形成金半接触,所述副栅与所述主栅搭接。2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,在所述第一区域制备氮化硅层,包括:制备氮化硅的悬浊液;将所述悬浊液附着在所述第一区域;烘烤附着了所述悬浊液的所述电池基片;烧结烘烤后的所述电池基片。3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,制备氮化硅的悬浊液,包括:混合氮化硅粉末、聚乙二醇和聚乙烯吡咯烷酮,以制备所述悬浊液。4.根据权利要求2所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,将所述悬浊液附着在所述第一区域,包括:采用印刷工艺或喷涂工艺将所述悬浊液附着在所述第一区域。5.根据权利要求2所述的太阳能电池的制作方法,其特征在于,在所述烘烤附着了所述悬浊液的所述电池基片的步骤中,烘烤温度的范围为100℃

【专利技术属性】
技术研发人员:顾生刚陈刚
申请(专利权)人:浙江爱旭太阳能科技有限公司广东爱旭科技有限公司珠海富山爱旭太阳能科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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