包括稠环化合物的发光装置和包括该发光装置的电子设备制造方法及图纸

提供了包括由式1表示的稠环化合物的发光装置和包括该发光装置的电子设备。发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间且包括发射层的夹层，其中发光装置进一步包括第二电极外侧的封盖层，封盖层具有等于或大于1.6的折射率，并且发射层包括至少一种由式1表示的稠环化合物。式1式1式1式1

【技术实现步骤摘要】
包括稠环化合物的发光装置和包括该发光装置的电子设备


[0001]本公开的一个或多个实施方式涉及包括稠环化合物的发光装置和包括该发光装置的电子设备。

技术介绍

[0002]有机发光装置(OLED)(其为一种发光装置)是自发射装置，与相关技术的其他装置相比，其具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异特性。
[0003]OLED可各自包括基板上的第一电极以及顺序堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴可通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可通过电子传输区朝向发射层移动。载流子(比如空穴和电子)在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁(或弛豫)到基态，从而产生光。

技术实现思路

[0004]本公开的一个或多个实施方式包括包含稠环化合物的发光装置和包括该发光装置的电子设备。
[0005]实施方式的另外方面将在下面的描述中部分阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过实践本公开呈现的实施方式而获知。/>[0006]根据本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间的夹层，所述夹层包括发射层，其中所述夹层进一步包括所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区，所述空穴传输区包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合，并且所述发射层包括至少一种由式1表示的稠环化合物：式1式201式202其中，在式1中，环A1至环A4各自独立地为C5‑
C
30
碳环基团或C2‑
C
30
杂环基团，X1为O、S、Se或N(R
1a
)，X2为O、S、Se或N(R
2a
)，X3为O、S、Se或N(R
3a
)，X4为O、S、Se或N(R
4a
)，X5为O、S、Se或N(R
5a
)，Y1为B、P(＝O)或P(＝S)，
Y2为B、P(＝O)或P(＝S)，R1至R4和R
1a
至R
5a
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，d1至d4各自独立地为选自0至20的整数，并且选自R1至R4和R
1a
至R
5a
中的两个或更多个基团任选地连接在一起，以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
30
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
30
杂环基团，其中，在式201和式202中，L
201
至L
204
各自独立地为未取代的或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，L
205
为*
‑
O
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
N(Q
201
)
‑
*'、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
20
亚烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
20
亚烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，*和*'各自指与相邻原子的结合位点，xa1至xa4各自独立地为选自0至5的整数，xa5为选自1至10的整数，R
201
至R
204
和Q
201
各自独立地为未取代的或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，R
201
和R
202
任选地经单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C5亚烷基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C5亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C8‑
C
60
多环基团，R
203
和R
204
任选地经单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C5亚烷基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C5亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C8‑
C
60
多环基团，na1为选自1至4的整数，R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基；各自未被取代或被以下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其任何组合；各自未被取代或被以下取代的C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基或C6‑
C
60
芳硫基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其任何组合；或
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，并且Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地为：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基；氰基；硝基；C1‑
C
60
烷基；C2‑
C
60
烯基；C2‑
C
60
炔基；C1‑
C
60
烷氧基；或各自未被取代或被氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团。2.如权利要求1所述的发光装置，其中：所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述夹层进一步包括所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合，并且所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子传输层、电子控制层、电子注入层或其任何组合。3.如权利要求1所述的发光装置，其中环A1至环A4各自独立地为苯基、萘基、咔唑基、芴基、二苯并噻吩基或二苯并呋喃基。4.如权利要求1所述的发光装置，其中：(i)X1为N(R
1a
)，X2为N(R
2a
)，X3为N(R
3a
)，且X4为N(R
4a
)；(ii)X1为O，X2为N(R
2a
)，X3为N(R
3a
)，且X4为N(R
4a
)；(iii)X1为N(R
1a
)，X2为N(R
2a
)，X3为N(R
3a
)，且X4为O；(iv)X1为O，X2为O，X3为N(R
3a
)，且X4为N(R
4a
)；(v)X1为N(R
1a
)，X2为N(R
2a
)，X3为O，且X4为O；(vi)X1为O，X2为N(R
2a
)，X3为N(R
3a
)，且X4为O；或(vii)X1为O，X2为O，X3为N(R
3a
)，且X4为O。5.如权利要求1所述的发光装置，其中Y1和Y2中的每一个为B。6.如权利要求1所述的发光装置，其中R1至R4和R
1a
至R
5a
各自独立地选自：氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1‑
C
20
烷基和C1‑
C
20
烷氧基；各自被选自以下的至少一个取代的C1‑
C
20
烷基和C1‑
C
20
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、
‑
CF3、
‑
CF2H、
‑
CFH2、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1‑
C
10
烷基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、萘基、吡啶基和嘧啶基；各自被选自以下的至少一个取代的环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、C1‑
C
10
烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2
‑
苯并菲基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩
基、氮杂芴基和氮杂二苯并噻咯基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、
‑
CF3、
‑
CF2H、
‑
CFH2、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1‑
C
20
烷基、C1‑
C
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、C1‑
C
10
烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2
‑
苯并菲基、吡...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈文基，朴俊河，朴韩圭，白长烈，吴灿锡，黄晳煥，金泰一，朴宣映，李孝荣，郑旼静，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：