发光器件、发光装置、电子设备及照明装置制造方法及图纸

本发明专利技术的一个方式提供一种新颖的发光器件。另外，提供一种发光效率良好的发光器件。另外，提供一种寿命长的发光器件。此外，提供一种驱动电压低的发光器件。此外，提供一种显示质量良好的发光器件。本发明专利技术的一个方式提供一种发光器件，该发光器件包括阳极、阴极及位于上述阳极和上述阴极之间的EL层，上述EL层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，上述电子传输层包含电子传输材料和碱金属、碱土金属、碱金属或碱土金属的化合物或配合物，上述空穴注入层的电阻率为一定范围以内。层的电阻率为一定范围以内。层的电阻率为一定范围以内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光器件、发光装置、电子设备及照明装置


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种发光元件、发光器件、显示模块、照明模块、显示装置、发光装置、电子设备及照明装置。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。或者，本专利技术的一个方式涉及一种程序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。因此，更具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的例子，可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、摄像装置、它们的驱动方法或者它们的制造方法。

技术介绍

[0002]使用有机化合物且利用电致发光(EL：Electroluminescence)的发光器件(有机EL元件)的实用化取得进展。在这些发光器件的基本结构中，在一对电极之间夹有包含发光材料的有机化合物层(EL层)。通过对该元件施加电压，注入载流子，利用该载流子的复合能量，可以获得来自发光材料的发光。
[0003]因为这种发光器件是自发光型发光器件，所以当用于显示器的像素时比起液晶有可见度更高、不需要背光源等优势。因此，该发光器件适合于平板显示器元件。另外，使用这种发光器件的显示器可以被制造成薄且轻，这也是极大的优点。再者，非常高速的响应也是该发光器件的特征之一。
[0004]此外，因为这种发光器件的发光层可以在二维上连续地形成，所以可以获得面发光。因为这是在以白炽灯或LED为代表的点光源或者以荧光灯为代表的线光源中难以得到的特征，所以作为可应用于照明等的面光源，上述发光器件的利用价值也高。
[0005]如上所述，虽然使用发光器件的显示器或照明装置适用于各种各样的电子设备，但是为了追求具有更良好的效率及更长寿命的发光器件的研究开发日益活跃。
[0006]专利文献1公开了在接触于空穴注入层的第一空穴传输层与发光层之间设置其HOMO能级介于第一空穴注入层的HOMO能级与主体材料的HOMO能级之间的空穴传输材料的结构。
[0007]发光器件的特性明显得到了提高，但是还不足以对应对效率和耐久性等各种特性的高度要求。[先行技术文献][专利文献][0008][专利文献1]国际公开第2011/065136号小册子

技术实现思路

专利技术所要解决的技术问题
[0009]于是，本专利技术的一个方式的目的是提供一种新颖的发光器件。另外，本专利技术的一个方式的目的是提供一种发光效率良好的发光器件。另外，本专利技术的一个方式的目的是提供
一种寿命长的发光器件。另外，本专利技术的一个方式的目的是提供一种驱动电压低的发光器件。另外，本专利技术的一个方式可以提供一种显示质量良好的发光装置。
[0010]另外，本专利技术的另一个方式的目的是提供一种可靠性高的发光装置、电子设备及显示装置。另外，本专利技术的另一个方式的目的是提供一种功耗低的发光装置、电子设备及显示装置。
[0011]本专利技术只要实现上述目的中的任一个即可。解决技术问题的手段
[0012]本专利技术的一个方式是一种发光器件，包括阳极、阴极及位于上述阳极和上述阴极之间的EL层，其中上述EL层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，上述电子传输层包含电子传输材料和碱金属、碱土金属、碱金属或碱土金属的化合物或配合物，并且上述空穴注入层的电阻率为1
×
104[Ω
·
cm]以上且1
×
107[Ω
·
cm]以下。
[0013]另外，本专利技术的另一个方式是一种发光器件，包括阳极、阴极及位于上述阳极和上述阴极之间的EL层，其中上述EL层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，上述电子传输层包含电子传输材料以及具有8
‑
羟基喹啉结构的配体和一价的金属离子的金属配合物，并且上述空穴注入层的电阻率为1
×
104[Ω
·
cm]以上且1
×
107[Ω
·
cm]以下。
[0014]另外，本专利技术的另一个方式是一种发光器件，包括阳极、阴极及位于上述阳极和上述阴极之间的EL层，其中上述EL层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，上述电子传输层包含电子传输材料以及具有8
‑
羟基喹啉结构的配体的锂配合物，并且上述空穴注入层的电阻率为1
×
104[Ω
·
cm]以上且1
×
107[Ω
·
cm]以下。
[0015]另外，本专利技术的另一个方式是一种发光器件，包括阳极、阴极及位于上述阳极和阴极之间的EL层，其中上述EL层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，上述电子传输层包含电子传输材料，上述电子传输材料的HOMO能级为
‑
6.0eV以上，并且上述空穴注入层的电阻率为1
×
104[Ω
·
cm]以上且1
×
107[Ω
·
cm]以下。
[0016]另外，本专利技术的另一个方式是一种发光器件，包括阳极、阴极及位于上述阳极和上述阴极之间的EL层，其中上述EL层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，上述电子传输层包含电子传输材料，上述电子传输材料为具有蒽骨架的有机化合物，并且上述空穴注入层的电阻率为1
×
104[Ω
·
cm]以上且1
×
107[Ω
·
cm]以下。
[0017]另外，本专利技术的另一个方式是一种发光器件，包括阳极、阴极及位于上述阳极和上述阴极之间的EL层，其中上述EL层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，在上述电子传输层的电场强度[V/cm]的平方根为600时的电子迁移率为1
×
10
‑7cm2/Vs以上且5
×
10
‑5cm2/Vs以下，并且上述空穴注入层的电阻率为1
×
104[Ω
·
cm]以上且1
×
107[Ω
·
cm]以下。
[0018]另外，本专利技术的另一个方式是一种发光器件，包括阳极、阴极及位于上述阳极和上述阴极之间的EL层，其中上述EL层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，上述电子传输层包含电子传输材料和碱金属、碱土金属、碱金属或碱土金属的化合物或配合物，上述电子传输层包括第一区域和第二区域，上述第一区域位于上述发光层和上述第二区域之间，上述第一区域与上述第二区域的上述碱金属、上述碱土金属、上述碱金属或碱土金属的化合物或配合物的浓度不同，并且上述空穴注入层的电阻率为1
×
104[Ω
·
cm]以上且1
×
107[Ω
·
cm]以下。
[0019]另外，本专利技术的另一个方式是一种发光器件，在上述结构中，上述第一区域中的上
述碱金本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光器件，包括：阳极；阴极；以及位于所述阳极和所述阴极之间的EL层,其中，所述EL层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，所述电子传输层包含电子传输材料和碱金属、碱土金属、碱金属或碱土金属的化合物或配合物，并且，所述空穴注入层的电阻率为1
×
104[Ω
·
cm]以上且1
×
107[Ω
·
cm]以下。2.一种发光器件，包括：阳极；阴极；以及位于所述阳极和所述阴极之间的EL层,其中，所述EL层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，所述电子传输层包含电子传输材料以及具有8
‑
羟基喹啉结构的配体和一价的金属离子的金属配合物，并且，所述空穴注入层的电阻率为1
×
104[Ω
·
cm]以上且1
×
107[Ω
·
cm]以下。3.一种发光器件，包括：阳极；阴极；以及位于所述阳极和所述阴极之间的EL层,其中，所述EL层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，所述电子传输层包含电子传输材料以及具有8
‑
羟基喹啉结构的配体的锂配合物，并且，所述空穴注入层的电阻率为1
×
104[Ω
·
cm]以上且1
×
107[Ω
·
cm]以下。4.一种发光器件，包括：阳极；阴极；以及位于所述阳极和阴极之间的EL层,其中，所述EL层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，所述电子传输层包含电子传输材料，所述电子传输材料的HOMO能级为
‑
6.0eV以上，并且，所述空穴注入层的电阻率为1
×
104[Ω
·
cm]以上且1
×
107[Ω
·
cm]以下。5.一种发光器件，包括：阳极；阴极；以及位于所述阳极和所述阴极之间的EL层,其中，所述EL层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，所述电子传输层包含电子传输材料，所述电子传输材料为具有蒽骨架的有机化合物，并且，所述空穴注入层的电阻率为1
×
104[Ω
·
cm]以上且1
×
107[Ω
·
cm]以下。
6.一种发光器件，包括：阳极；阴极；以及位于所述阳极和所述阴极之间的EL层,其中，所述EL层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，在所述电子传输层的电场强度[V/cm]的平方根为600时的电子迁移率为1
×
10
‑7cm2/Vs以上且5
×
10
‑5cm2/Vs以下，并且，所述空穴注入层的电阻率为1
×
104[Ω
·
cm]以上且1
×
107[Ω
·
cm]以下。7.一种发光器件，包括：阳极；阴极；以及位于所述阳极和所述阴极之间的EL层,其中，所述EL层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥山拓梦，濑尾广美，桥本直明，泷田悠介，铃木恒德，濑尾哲史，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：