【技术实现步骤摘要】
发光装置、包括其的电子设备及制造所述发光装置的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年6月2日向韩国知识产权局提交的第10
‑
2020
‑
0066673号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容据此通过援引并入。
[0003]本公开内容的一个或多于一个的实施方案涉及发光装置、包括所述发光装置的电子设备以及制造所述发光装置的方法。
技术介绍
[0004]发光装置是将电能转化成光能的装置。此类发光装置的实例包括其中发光材料是有机材料的有机发光装置和其中发光材料是量子点的量子点发光装置。
[0005]发光装置可以具有其中依次形成第一电极、空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极的结构。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。空穴和电子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁(例如，弛豫)至基态，从而产生光。
技术实现思路
[0006]...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.发光装置，包括：第一电极，面向所述第一电极的第二电极，以及在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，其中所述中间层包括发射层和电子传输层，所述电子传输层在所述发射层与所述第二电极之间，所述电子传输层包含电子传输颗粒，所述电子传输颗粒包括核和覆盖所述核的壳，所述核包含氧化物、硫属元素化物或其任意组合，以及所述壳包含硫属元素化物，其中所述核的所述硫属元素化物与所述壳的所述硫属元素化物相同或不同。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包含量子点。3.如权利要求2所述的发光装置，其中所述量子点包含III
‑
V族半导体化合物和II
‑
VI族半导体化合物。4.如权利要求2所述的发光装置，其中所述量子点包含InP、GaP、InGaP、ZnSe、ZnS、ZnSeTe或其任意组合。5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电子传输颗粒的所述核的所述氧化物包括A1的氧化物，所述电子传输颗粒的所述核的所述硫属元素化物包括A
l
的硫属元素化物，并且所述电子传输颗粒的所述核包含所述A
l
的氧化物、所述A
l
的硫属元素化物或其任意组合，以及A
l
是Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Fe、Zn、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Cu或其任意组合。6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电子传输颗粒的所述核包含WO3、TiO2、MoO3、ZnO、ZnMgO、ZnAlO、ZrO、Fe2O3、V2O5、Al2O3、MgO、SnO、SnO2、Ta2O3、HfO3、ZrSiO4、BaTiO3、BaZrO3、WS3、TiS2、MoS3、ZnS、ZnMgS、ZnAlS、ZrS、Fe2S3、V2S5、Al2S3、WSe3、TiSe2、MoSe3、ZnSe、ZnMgSe、ZnAlSe、ZrSe、Fe2Se3、V2Se5、Al2Se3或其任意组合。7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电子传输颗粒的所述核包含：ZnO；或者以下的组合：ZnO；和Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Al、Ga、In、Si或其任意组合。8.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电子传输颗粒的所述壳的所述硫属元素化物包括A2的硫属元素化物，以及A2是II族元素、III族元素或其组合。9.如权利要求8所述的发光装置，其中A2是Zn、Mg、B、Al、Ga、In、Tl或其任意组合。10.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电子传输颗粒的所述壳包含ZnSe、ZnSeS、ZnS、Ga2S3、Ga2Se3、Zn
x
Ga1‑
x
S、Zn
x
Ga1‑
x
Se或其任意组合，并且x是满足0<x<1的条件的实数。11.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电子传输颗粒的平均粒径是3nm至15nm。12.如权利要求1所述的发光装置，其中有机配体额外地结合至所述壳的表面。13.如权利要求12所述的发光装置，其中所述有机配体是由式1A至式1E中的一种表示的基团，或其任意组合：
式1E*
‑
(Z1)
a1
‑
P(＝O)(Z
11
)(Z
12
)其中，在式1A至式1E中，Z1是单键、*
‑
O
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
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