杂环化合物和包括其的有机发光装置制造方法及图纸

提供了由式1表示的杂环化合物和包括该杂环化合物的有机发光装置。有机发光装置包括：第一电极；面对第一电极的第二电极；在第一电极和第二电极之间且包括发射层的有机层；以及至少一种由式1表示的杂环化合物。式1。。。

【技术实现步骤摘要】
杂环化合物和包括其的有机发光装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求在韩国知识产权局于2020年6月4日提交的韩国专利申请第10
‑
2020
‑
0067861号的优先权和权益，其全部内容通过引用由此并入。


[0003]本公开的一个或多个实施方式涉及杂环化合物和包括该杂环化合物的有机发光装置。

技术介绍

[0004]有机发光装置(OLED)是自发射装置，与相关领域的其他装置比较，其具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异特性，并且产生全色图像。
[0005]OLED可包括在基板上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴可通过空穴传输区向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可通过电子传输区向发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁(例如，跃迁或弛豫)到基态，从而产生光。

技术实现思路

[0006]一个或多个实施方式包括杂环本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机发光装置，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间且包括发射层的有机层；以及至少一种由式1表示的杂环化合物：式1其中，在式1中，X为除硅之外的碳族元素，环Ar1至Ar4各自独立地为C5‑
C
30
碳环基团或C2‑
C
30
杂环基团，L1选自：单键；以及各自未被取代或被至少一个Z
10a
取代的苯基、萘基、蒽基、芘基、芴基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基，a1为选自1至10的整数，Y1和Y2各自独立地为单键或非键，n为选自1至5的整数，R1至R7各自独立地选自氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代的或未取代的C1‑
C
60
烷基、取代的或未取代的C2‑
C
60
烯基、取代的或未取代的C2‑
C
60
炔基、取代的或未取代的C1‑
C
60
烷氧基、取代的或未取代的C3‑
C
10
环烷基、取代的或未取代的C1‑
C
10
杂环烷基、取代的或未取代的C3‑
C
10
环烯基、取代的或未取代的C1‑
C
10
杂环烯基、取代的或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代的或未取代的C6‑
C
60
芳氧基、取代的或未取代的C6‑
C
60
芳硫基、取代的或未取代的C1‑
C
60
杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)和
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，Z1和Z
10a
各自独立地选自：氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1‑
C
20
烷基和C1‑
C
20
烷氧基；各自被选自以下的至少一个取代的C1‑
C
20
烷基和C1‑
C
20
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、C1‑
C
10
烷基、环戊基、环己基、环庚基、环
辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基和萘基；各自未被取代或被选自以下的至少一个取代的环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基和环庚烯基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、C1‑
C
20
烷基、C1‑
C
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、
‑
Si(Q
41
)(Q
42
)(Q
43
)、
‑
N(Q
41
)(Q
42
)和
‑
B(Q
41
)(Q
42
)；以及
‑
Si(Q
51
)(Q
52
)(Q
53
)、
‑
N(Q
51
)(Q
52
)和
‑
B(Q
51
)(Q
52
)，其中Q
41
至Q
43
和Q
51
至Q
53
各自独立地选自：
‑
CH3、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、
‑
CH2CH3、
‑
CH2CD3、
‑
CH2CD2H、
‑
CH2CDH2、
‑
CHDCH3、
‑
CHDCD2H、
‑
CHDCDH2、
‑
CHDCD3、
‑
CD2CD3、
‑
CD2CD2H和
‑
CD2CDH2；以及各自未被取代或被选自以下的至少一个取代的正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基和叔戊基：氘和C1‑
C
10
烷基，d1和d2各自独立地为选自1至4的整数，d3为选自1至3的整数，d4至d7各自独立地为选自1至20的整数，d11为选自1至4的整数，所述取代的C1‑
C
60
烷基、所述取代的C2‑
C
60
烯基、所述取代的C2‑
C
60
炔基、所述取代的C1‑
C
60
烷氧基、所述取代的C3‑
C
10
环烷基、所述取代的C1‑
C
10
杂环烷基、所述取代的C3‑
C
10
环烯基、所述取代的C1‑
C
10
杂环烯基、所述取代的C6‑
C
60
芳基、所述取代的C6‑
C
60
芳氧基、所述取代的C6‑
C
60
芳硫基、所述取代的C1‑
C
60
杂芳基、所述取代的单价非芳族稠合多环基团和所述取代的单价非芳族稠合杂多环基团的取代基选自：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基和C1‑
C
60
烷氧基；各自被选自以下的至少一个取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基和C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3‑
C
10
环烷基、C1‑
C
10
杂环烷基、C3‑
C
10
环烯基、C1‑
C
10
杂环烯基、C6‑
C
60
芳基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C1‑
C
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)和
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)；各自未被取代或被选自以下的至少一个取代的C3‑
C
10
环烷基、C1‑
C
10
杂环烷基、C3‑
C
10
环烯基、C1‑
C
10
杂环烯基、C6‑
C
60
芳基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C1‑
C
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
10
环烷基、C1‑
C
10
杂环烷基、C3‑
C
10
环烯基、C1‑
C
10
杂环烯基、C6‑
C
60
芳基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C1‑
C
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)和
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)；以及
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)和
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，其中Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地选自：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基；
氰基；硝基；脒基；肼基；腙基；C1‑
C
60
烷基；C2‑
C
60
烯基；C2‑
C
60
炔基；C1‑
C
60
烷氧基；C3‑
C
10
环烷基；C1‑
C
10
杂环烷基；C3‑
C
10
环烯基；C1‑
C
10
杂环烯基；C6‑
C
60
芳基；C1‑
C
60
杂芳基；单价非芳族稠合多环基团；单价非芳族稠合杂多环基团；被选自氘、
‑
F和氰基中的至少一个取代的C1‑
C
60
烷基；被选自氘、
‑
F和氰基中的至少一个取代的C6‑
C
60
芳基；联苯基；和三联苯基。2.如权利要求1所述的有机发光装置，其中：所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，并且所述至少一种由式1表示的杂环化合物包括于所述有机层中，并且所述有机层进一步包括在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区以及在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区。3.如权利要求2所述的有机发光装置，其中所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合，并且所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。4.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述发射层包括所述至少一种由式1表示的杂环化合物。5.如权利要求1所述的有机发光装置，其中：所述发射层包括主体和掺杂剂，所述主体不同于所述掺杂剂，所述主体的量大于所述掺杂剂的量，并且所述主体包括所述至少一种由式1表示的杂环化合物。6.如权利要求4所述的有机发光装置，其中所述发射层发射蓝光或蓝
‑
绿光。7.如权利要求5所述的有机发光装置，其中所述掺杂剂发射具有在400nm至500nm的范围内的最大发射波长的蓝光或蓝
‑
绿光。8.如权利要求5所述的有机发光装置，其中所述掺杂剂包括过渡金属并且不包括过渡金属
‑
氮键和过渡金属
‑
氧键。9.如权利要求5所述的有机发光装置，其中所述掺杂剂包括过渡金属以及在所述过渡金属和碳原子之间的配位键。10.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述至少一种由式1表示的杂环化合物用作用于在所述有机发光装置的一对电极外侧的封盖层的材料。11.一种由式1表示的杂环化合物：式1
其中，在式1中，X为除硅之外的碳族元素，环Ar1至Ar4各自独立地为C5‑
C
30
碳环基团或C2‑
C
30
杂环基团，L1选自：单键；以及各自未被取代或被至少一个Z
10a
取代的苯基、萘基、蒽基、芘基、芴基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基，a1为选自1至10的整数，Y1和Y2各自独立地为单键或非键，n为选自1至5的整数，R1至R7各自独立地选自氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代的或未取代的C1‑
C
60
烷基、取代的或未取代的C2‑
C
60
烯基、取代的或未取代的C2‑
C
60
炔基、取代的或未取代的C1‑
C
60
烷氧基、取代的或未取代的C3‑
C
10
环烷基、取代的或未取代的C1‑
C
10
杂环烷基、取代的或未取代的C3‑
C
10
环烯基、取代的或未取代的C1‑
C
10
杂环烯基、取代的或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代的或未取代的C6‑
C
60
芳氧基、取代的或未取代的C6‑
C
60
芳硫基、取代的或未取代的C1‑
C
60
杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)和
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，Z1和Z
10a
各自独立地选自：氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1‑
C
20
烷基和C1‑
C
20
烷氧基；各自被选自以下的至少一个取代的C1‑
C
20
烷基和C1‑
C
20
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、C1‑
C
10
烷基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基和萘基；各自未被取代或被选自以下的至少一个取代的环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基和环庚烯基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、C1‑
C
20
烷基、C1‑
C
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、
‑
Si
(Q
41
)(Q
42
)(Q
43
)、
‑
N(Q
41
)(Q
42
)和
‑
B(Q
41
)(Q...

【专利技术属性】
技术研发人员：严贤娥，金炯民，安熙春，李艺瑟，林怡朗，赵恕院，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：