一种碳化硅靶材组件及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种碳化硅靶材组件及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)对碳化硅靶材坯料依次进行切料、粗磨、线切割以及精磨，得到碳化硅靶材；(2)钎焊接背板与步骤(1)所得碳化硅靶材，得到碳化硅靶材半成品组件；(3)对步骤(2)所得碳化硅靶材半成品组件依次进行热整形以及抛光后，得到碳化硅靶材组件；步骤(1)所述线切割过程中，走刀轨迹深度≤0.2mm；步骤(3)所述热整形的温度为200

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅靶材组件及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体
，涉及靶材的制备方法，尤其涉及一种碳化硅靶材组件及其制备方法。

技术介绍

[0002]物理气相沉积技术是利用溅射靶材组件带有原子级光滑表面的具有精准厚度的薄膜材料沉积物。靶材组件是符合溅射性能的靶材和适用于靶材结合并具有一定强度的背板构成。在溅射过程中，从而产生等离子区，等离子区中的等离子与溅射靶材的表面发生碰撞，从而从靶材表面逸出原子。如果靶材组件中靶材与背板之间的焊接质量差，将导致靶材在受热条件下变形、开裂甚至从背板脱落，无法达到溅射均匀的效果。
[0003]焊料结合指的是利用熔点比母材(被焊接材料)熔点低的填充金属(称为焊料)在低于母材熔点、高于焊料熔点的温度下，利用液态焊料在母材表面润湿、铺展在母材间隙中填缝，与母材相互溶解与扩散，然后冷却，使焊料凝固而实现零件间的连接的焊接方法。
[0004]焊料结合的研究重点是根据母材的性质选用合适的焊料并且尽可能的减少焊料的使用和提高焊料的回收率以降低生产成本。目前半导体靶材领域应用较为广泛的焊料有两种：一种是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅靶材组件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)对碳化硅靶材坯料依次进行切料、粗磨、线切割以及精磨，得到碳化硅靶材；(2)钎焊接背板与步骤(1)所得碳化硅靶材，得到碳化硅靶材半成品组件；(3)对步骤(2)所得碳化硅靶材半成品组件依次进行热整形以及抛光后，得到碳化硅靶材组件；步骤(1)所述线切割过程中，走刀轨迹深度≤0.2mm；步骤(3)所述热整形的温度为200
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220℃。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述切料得到矩形碳化硅靶坯；优选地，所述矩形碳化硅靶坯的长度为180
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500mm；优选地，所述矩形碳化硅靶坯的宽度为125
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130mm；优选地，所述矩形碳化硅靶坯的厚度为6
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10mm。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述粗磨为粗磨加工矩形碳化硅靶坯的焊接面以及与焊接面相对应的平面；优选地，所述粗磨后矩形碳化硅靶坯的单边余量为1.2
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1.8mm。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述线切割为慢走丝线切割：钼丝直径为0.15
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0.25mm，工作液浓度为8
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12wt％，切割电流为2
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2.5A，开路电压为80
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150V，脉冲宽度为10
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15μs，脉冲间隙为8
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10μs；优选地，所述线切割过程中，单边余量为1.2
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2.0mm；优选地，步骤(1)所述精磨包括第一精磨和第二精磨；优选地，所述第一精磨为精磨加工矩形碳化硅靶材的侧边；优选地，所述第一精磨后矩形碳化硅靶材的单边余量为0.2
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0.8mm；优选地，所述第二精磨为精磨加工矩形碳化硅靶材的焊接面以及与焊接面相对应的平面；优选地，所述第二精磨后矩形碳化硅靶材的单边余量为0.1
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0.5mm。5.根据权利要求1
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4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述钎焊接包括如下步骤：在步骤(1)所得碳化硅靶材的焊接面放置焊料以及铜丝，将所述碳化硅靶材与背板装配，加热进行钎焊，加压条件下使焊料充分浸润焊接面，冷却后得到碳化硅靶材半成品组件。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述铜丝的直径为0.2
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0.5mm；优选地，所述焊料包括铟焊料；优选地，所述背板的材料包括无氧铜、铜锌合金或铜铬合金中的任意一种；优选地，所述焊料的厚度为0.3
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【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，边逸军，王学泽，章丽娜，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：