电吸收调制激光器制冷封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种电吸收调制激光器制冷封装结构，涉及芯片封装技术领域，主要目的是保证电吸收调制吸光器的信号线和地线的阻抗在48至52欧姆，同时避免金线导热而影响半导体制冷器的制冷效果。该封装结构包括底座；半导体制冷器，设置于底座；L形钨铜块，其水平端设置于半导体制冷器；载板，设置于竖直端，载板的第一信号脚的第一打线端与第二信号脚的打线端、第一地脚和第三地脚以及第二地脚和第四地脚均水平相对，且分别通过两根金线连接；电吸收调制激光器芯片，设置于载板，其一端与第一信号脚连接，另一端与第三引脚连接；热敏电阻，设置于竖直端；背光监控探测器芯片，设置于水平端；透镜帽，封装于底座。封装于底座。封装于底座。

【技术实现步骤摘要】
电吸收调制激光器制冷封装结构


[0001]本专利技术涉及芯片封装
，尤其是涉及到一种电吸收调制激光器制冷封装结构。

技术介绍

[0002]电吸收调制激光器是分布反馈激光器和电吸收调制器的集成器件，通常作为长途通讯干线和高速光纤传输系统中的关键信号光源而被广泛应用。
[0003]目前，电吸收调制激光器可以采用TO制冷封装结构，其通常包括半导体制冷器，该半导体制冷器用于对电吸收调制激光器进行控温，以保证电吸收调制激光器的工作温度。
[0004]电吸收调制激光器芯片通过金线与底座的引脚连接，由于引脚与电吸收调制激光器芯片的距离通常较远，导致金线的长度较长，而且，连接电吸收调制激光器芯片与引脚的金线数量通常较多，从而导致金线将更多的热量导至封装内，进而影响半导体制冷器对电吸收调制激光器的制冷效果。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种电吸收调制激光器制冷封装结构，主要目的是保证电吸收调制吸光器的信号线和地线的阻抗在48至52欧姆，同时避免因金线导热而影响半导体制冷器的制冷效果，从而保证电吸收调制激光器的正常工作。
[0006]为达到上述目的，本专利技术实施例主要提供如下技术方案：
[0007]本专利技术实施例提供了一种电吸收调制激光器制冷封装结构，包括：
[0008]底座，所述底座上设置有第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚和第五引脚；
[0009]半导体制冷器，设置于所述底座上，且与所述第一引脚连接；
[0010]L形钨铜块，所述L形钨铜块包括相连接的水平端和竖直端，所述水平端设置于所述半导体制冷器上，所述竖直端与所述第二引脚相邻；
[0011]载板，设置于所述竖直端，所述载板包括上下依次布置的第一地脚、第一信号脚和第二地脚，所述第一信号脚的第一打线端向下倾斜设置；所述第二引脚包括上下依次布置的第三地脚、第二信号脚和第四地脚，所述第二信号脚的打线端向上倾斜设置；所述第一信号脚的第一打线端与所述第二信号脚的打线端水平相对，且通过两根第一金线连接；所述第一地脚和第三地脚水平相对，且通过两根第二金线连接；所述第二地脚和第四地脚水平相对，且通过两根第三金线连接；
[0012]电吸收调制激光器芯片，设置于所述载板上，所述电吸收调制激光器芯片的一端与所述第一信号脚连接，另一端与所述第三引脚连接；
[0013]热敏电阻，设置于所述竖直端，且与所述第四引脚连接；
[0014]背光监控探测器芯片，设置于所述水平端，且与所述第五引脚连接；
[0015]透镜帽，封装于所述底座上。
[0016]进一步地，所述载板上靠近所述第二引脚的一端端面与所述竖直端的相对应端端
面齐平。
[0017]进一步地，所述载板的厚度为0.254毫米；
[0018]所述第一信号脚的第一打线端与所述第一地脚之间的第一距离处处相等，且所述第一距离为0.065毫米，所述第一信号脚的第一打线端与所述第二地脚之间的第二距离处处相等，且所述第二距离为0.065毫米；所述第一信号脚的第一打线端的宽度为0.14毫米；所述第一地脚在所述载板端部处的宽度为0.28毫米；所述第二地脚在所述载板端部处的宽度为0.14毫米，以使所述第一信号脚与所述第一地脚之间的阻抗，以及所述第一信号脚和所述第二地脚之间的阻抗均在48欧姆至52欧姆范围内。
[0019]进一步地，所述第一信号脚包括与所述第一打线端相对的第二打线端；
[0020]所述第一地脚和所述第二地脚在所述第一信号脚的第二打线端处相互连接而形成连接端；
[0021]所述第一信号脚的第二打线端与所述连接端之间的第三距离处处相等、所述第一信号脚的第二打线端与所述第一地脚之间的第四距离处处相等以及所述第一信号脚的第二打线端与所述第二地脚之间的第五距离处处相等；且所述第三距离、第四距离和第五距离均为0.065毫米；
[0022]所述第一信号脚的第二打线端的宽度为0.14毫米。
[0023]进一步地，所述透镜帽的数量为多个，多个所述透镜帽的高度各不相同，任一所述透镜帽能封装于所述底座上。
[0024]进一步地，所述电吸收调制激光器芯片的光轴与所述透镜帽的轴线重合。
[0025]进一步地，所述的电吸收调制激光器制冷封装结构还包括：
[0026]第一电容，所述电吸收调制激光器芯片通过所述第一电容与所述第三引脚连接。
[0027]进一步地，所述的电吸收调制激光器制冷封装结构还包括：
[0028]第二电容，所述第二电容与所述载板连接。
[0029]进一步地，所述水平端的顶面为倾斜面，所述倾斜面朝向所述半导体制冷器的方向以及远离所述竖直端的方向倾斜设置。
[0030]进一步地，所述倾斜面的倾斜角度为7度。
[0031]借由上述技术方案，本专利技术至少具有以下有益效果：
[0032]本专利技术实施例提供的电吸收调制激光器制冷封装结构中，载板上的第一信号脚的第一打线端向下倾斜设置；第二引脚的第二信号脚的打线端向上倾斜设置，使得第一信号脚的第一打线端与第二信号脚的打线端可以水平相对，同时，第一地脚和第三地脚以及第二地脚和第四地脚均水平相对，缩短了第一信号脚的第一打线端与第二信号脚的打线端之间的距离、第一地脚和第三地脚之间的距离以及第二地脚和第四地脚之间的距离，从而缩短了第一金线、第二金线和第三金线的长度，进而减少了金线传导的热量，而且，第一金线至第三金线的数量分别为两根，不仅能够保证信号传输，还减少了载板与第二引脚之间金线的数量，从而进一步减少了金线传导的热量，避免了因金线导热而影响导体制冷器的制冷效果，保证了电吸收调制激光器的正常工作。
附图说明
[0033]此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申
请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0034]图1为本专利技术实施例提供的一种电吸收调制激光器制冷封装结构的结构示意图；
[0035]图2为本专利技术实施例提供的一种电吸收调制激光器制冷封装结构中透镜帽封装于底座的结构示意图；
[0036]图3为本专利技术实施例提供的一种电吸收调制激光器制冷封装结构中载板的正面结构示意图；
[0037]图4为本专利技术实施例提供的一种电吸收调制激光器制冷封装结构中载板的侧面结构示意图。
具体实施方式
[0038]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术的优选实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行更加详细的描述。在附图中，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。下面结合附本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电吸收调制激光器制冷封装结构，其特征在于，包括：底座，所述底座上设置有第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚和第五引脚；半导体制冷器，设置于所述底座上，且与所述第一引脚连接；L形钨铜块，所述L形钨铜块包括相连接的水平端和竖直端，所述水平端设置于所述半导体制冷器上，所述竖直端与所述第二引脚相邻；载板，设置于所述竖直端，所述载板包括上下依次布置的第一地脚、第一信号脚和第二地脚，所述第一信号脚的第一打线端向下倾斜设置；所述第二引脚包括上下依次布置的第三地脚、第二信号脚和第四地脚，所述第二信号脚的打线端向上倾斜设置；所述第一信号脚的第一打线端与所述第二信号脚的打线端水平相对，且通过两根第一金线连接；所述第一地脚和第三地脚水平相对，且通过两根第二金线连接；所述第二地脚和第四地脚水平相对，且通过两根第三金线连接；电吸收调制激光器芯片，设置于所述载板上，所述电吸收调制激光器芯片的一端与所述第一信号脚连接，另一端与所述第三引脚连接；热敏电阻，设置于所述竖直端，且与所述第四引脚连接；背光监控探测器芯片，设置于所述水平端，且与所述第五引脚连接；透镜帽，封装于所述底座上。2.根据权利要求1所述的电吸收调制激光器制冷封装结构，其特征在于，所述载板上靠近所述第二引脚的一端端面与所述竖直端的相对应端端面齐平。3.根据权利要求1所述的电吸收调制激光器制冷封装结构，其特征在于，所述载板的厚度为0.254毫米；所述第一信号脚的第一打线端与所述第一地脚之间的第一距离处处相等，且所述第一距离为0.065毫米，所述第一信号脚的第一打线端与所述第二地脚之间的第二距离处处相等，且所述第二距离为0.065毫米；所述第一信号脚的第一打线端的宽度为0.14毫米；所述第一地脚在所述载板端部处的宽度为0...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘永康，刘倚红，王任凡，
申请(专利权)人：武汉敏芯半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：