半导体装置制造方法及图纸

提供提高了半导体基板的背面侧的设计自由度的半导体装置。半导体装置在共通的半导体基板形成有晶体管和二极管，其中，半导体基板具有：晶体管区域，其形成有晶体管；以及二极管区域，其形成有二极管，晶体管区域的第2主面侧的第1电极、二极管区域的第2主面侧的第2电极由不同的材料构成。由不同的材料构成。由不同的材料构成。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置，特别涉及反向导通型半导体装置。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了反向导通半导体装置(RC
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IGBT：Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor)。反向导通半导体装置是在共通的半导体基板形成有IGBT(绝缘栅型双极晶体管)和续流二极管(FWD：Free Wheeling Diode)的半导体装置。专利文献1所公开的反向导通半导体装置在半导体基板的背面侧作为IGBT的集电极形成有P型集电极层、作为FWD的阴极层形成有n型阴极层，半导体基板的背面电极具有AlSi
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Ti
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Ni
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Au或Ti
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Ni
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Au的层叠构造。
[0003]专利文献1：日本专利第6319057号公报
[0004]电极的种类对金属接触性造成大的影响。例如，在背面电极为AlSi的情况下，与P型半导体层的接触电阻低，得到良好的金属接触性，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其在共通的半导体基板形成有晶体管和二极管，其中，所述半导体基板具有：晶体管区域，其形成有所述晶体管；以及二极管区域，其形成有所述二极管，所述晶体管区域具有：第1导电型的第1半导体层，其设置于所述半导体基板的第2主面侧；第2导电型的第2半导体层，其设置于所述第1半导体层之上；第1导电型的第3半导体层，其与所述第2半导体层相比设置于所述半导体基板的第1主面侧；第2导电型的第4半导体层，其设置于所述第3半导体层之上；栅极绝缘膜，其是与所述第4半导体层、所述第3半导体层及所述第2半导体层接触地形成的；栅极电极，其形成为隔着所述栅极绝缘膜与所述第3半导体层相对；电极，其与所述第4半导体层连接；以及第1电极，其与所述第1半导体层连接，所述二极管区域具有：第2导电型的第5半导体层，其设置于所述半导体基板的所述第2主面侧；所述第2半导体层，其设置于所述第5半导体层之上；所述第3半导体层；第1导电型的第6半导体层，其设置于所述第3半导体层之上；所述电极，其与所述第6半导体层连接；以及第2电极，其与所述第5半导体层连接，所述第1电极及所述第2电极由不同的材料构成。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1半导体层与所述第1电极进行欧姆连接，所述第5半导体层与所述第2电极进行欧姆连接。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述半导体基板具有末端区域，该末端区域与包含所述晶体管区域及所述二极管区域的有源区域相比设置于外侧，所述末端区域具有：所述第1半导体层，其设置于所述半导体基板的第2主面侧；以及所述第2电极，其与所述第1半导体层连接，所述第1半导体层与所述第2电极进行肖特基连接。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述半导体基板具有沿所述有源区域的外周部设置有栅极配线的栅极配线区域，所述栅极配线区域具有：所述第1半导体层，其设置于所述半导体基板的第2主面侧；以及所述第2电极，其与所述第1半导体层连接，
所述第1半导体层与所述第2电极进行肖特基连接。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述半导体基板具有沿所述有源区域的外周部设置有栅极配线的栅极配线区域，所述栅极配线区域具有：所述第1半导体层，其设置于所述半导体基板的第2主面侧；以及所述第1电极，其与所述第1半导体层连接。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第1半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：本田成人，中谷贵洋，新田哲也，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：