【技术实现步骤摘要】
芯片测试装置及芯片测试方法
[0001]本申请涉及芯片测试
，具体涉及一种芯片测试装置和显示面板。
技术介绍
[0002]随着芯片封装技术的发展，芯片的封装密度越来越大，由于芯片进行封装后可能存在缺陷等问题，因此，迫切需要对封装后的芯片进行电性测试以判断封装后的器件质量。
[0003]在芯片进行电性测试的过程中，由于芯片的管脚数量较多，需要数量十分庞大的继电器切换待测试管脚，如此导致了测试效率较为低下。
[0004]需要注意的是，上述关于
技术介绍
的介绍仅仅是为了便于清楚、完整地理解本申请的技术方案。因此，不能仅仅由于其出现在本申请的
技术介绍
中，而认为上述所涉及到的技术方案为本领域所属技术人员所公知。
技术实现思路
[0005]本申请提供一种芯片测试装置及芯片测试方法，以缓解芯片的管脚测试效率较低的技术问题。
[0006]第一方面，本申请提供一种芯片测试装置，其包括控制模块、采样电阻链、第一高速切换矩阵以及第二高速切换矩阵，控制模块用于根据测试项目、与测试项目对应的测试条件输出对应...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片测试装置，其特征在于，包括：控制模块，用于根据测试项目、与所述测试项目对应的测试条件输出对应的测试信号、第一切换控制信号以及第二切换控制信号；采样电阻链，所述采样电阻链的输入端与所述控制模块的第一输出端电性连接，用于比例调节所述测试信号；第一高速切换矩阵，所述第一高速切换矩阵的输入端与所述采样电阻链的输出端电性连接以接入所述测试信号，所述第一高速切换矩阵的控制端与所述控制模块的第二输出端电性连接，所述第一高速切换矩阵的输出端用于根据所述第一切换控制信号选择性连接待测试芯片的管脚对中的一个管脚；以及第二高速切换矩阵，所述第二高速切换矩阵的输出端用于接入低电位信号，所述第二高速切换矩阵的控制端与所述控制模块的第三输出端电性连接，所述第二高速切换矩阵的输入端用于根据所述第二切换控制信号选择性连接所述管脚对中的另一个管脚。2.根据权利要求1所述的芯片测试装置，其特征在于，所述控制模块包括：控制芯片，所述控制芯片的一输出端与所述第一高速切换矩阵的控制端电性连接以输出所述第一切换控制信号至所述第一高速切换矩阵，所述控制芯片的另一输出端与所述第二高速切换矩阵的控制端电性连接以输出所述第二切换控制信号至所述第二高速切换矩阵；和程控恒压限流源，与所述控制芯片电性连接，用于根据接收的所述测试条件输出对应的所述测试信号，所述测试条件包括所述测试信号的电压设定信息和所述测试信号的极性控制信号。3.根据权利要求2所述的芯片测试装置，其特征在于，所述程控恒压限流源包括：第一晶体管，所述第一晶体管的输入电极用于电性连接正电源信号，所述第一晶体管的控制电极用于接入所述极性控制信号；和第二晶体管，所述第二晶体管的输入电极用于电性连接负电源信号，所述第二晶体管的控制电极用于接入所述极性控制信号，所述第二晶体管的输出电极与所述第一晶体管的输出电极、所述采样电阻链的输入端电性连接；其中，所述第一晶体管为NPN型的双极结型晶体管或者N沟道型金属氧化物半导体场效应晶体管；所述第二晶体管为PNP型的双极结型晶体管或者P沟道型金属氧化物半导体场效应晶体管。4.根据权利要求3所述的芯片测试装置，其特征在于，所述芯片测试装置还包括电源模块，所述电源模块包括：可调电源，所述可调电源的第一输出端与所述第一晶体管的输入电极电性连接以输出所述正电源信号至所述第一晶体管的输入电极，所述可调电源的第二输出端与所述第二晶体管的输入电极电性连接以输出所述负电源信号至所述第二晶体管的输入电极；负压降控制单元，所述负压降控制单元的第一输入端与所述第二晶体管的输入电极电性连接，所述负压降控制单元的第二输入端与所述可调电源的第二输出端电性连接，所述负压降控制单元的控制端与所述程控恒压限流源电性连接，所述负压降控制单元的输出端与所述可调电源的第一控制端电性连接，用于根据所述电压设定信息调节所述负电源信号的电压；以及
正压降控制单元，所述正压降控制单元的第一输入端与所述第一晶体管的输入电极电性连接，所述正压降控制单元的第二输入端与所述可调电源的第一输出端电性连接，所述正压降控制单元的控制端与所述程控恒压限流源电性连接，所述正压降控制单元的输出端与所述可调电源的第二控制端电性连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：马超，刘耀煌，李金金，黄秋元，周鹏，
申请(专利权)人：武汉普赛斯电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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