半导体结构及其形成方法、动态随机存储器、电子设备技术

本公开提供了半导体结构及其形成方法、动态随机存储器、电子设备，该半导体结构包括：半导体衬底，具有有源区，第二位线槽，设置于有源区上，第一位线槽，设置第二位线槽上，与第二位线槽连通，以及位线，从有源区向上延伸，位于第一位线槽和第二位线槽中。动态随机存储器包括半导体结构。电子设备包括动态随机存储器。方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有有源区，在有源区的上方形成第一、第二位线槽，第一位线槽设置第二位线槽上，第一位线槽和第二位线槽相连通，在有源区上形成位线，位线位于第一位线槽以及第二位线槽中。本公开能够在不使用传统方案的位线接触部的多晶硅的情况下形成位线，极大地降低位线与存储接触部之间的电容。容。容。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法、动态随机存储器、电子设备


[0001]本公开涉及半导体存储器件
，更为具体来说，本公开涉及一种半导体结构及其形成方法、半导体存储器件。

技术介绍

[0002]动态随机存储器(DRAM，全称Dynamic Random Access Memory)是计算机中常用的半导体存储器件，包含排列成矩阵结构的多个DRAMcell(存储单元)；每个存储单元主要由一个晶体管(transistor)和一个由晶体管(transistor)操控的电容器(Cell Capacitor)组成，各个存储单元之间通过字线(wordline)和位线(bitline)进行电性连接，数据从位线输入后通过晶体管传送到电容器中，而储存于电容器中的数据通过晶体管和位线进行输出。
[0003]常规的半导体存储结构中，位线的下方设置有位线接触部(BitlineContact)，位线接触部一般通过填充多晶硅的方式实现，位线接触部作为位线与晶体管连接的桥梁，位线接触部的对面设置存储接触部(Storage Contact)，但随着半导体存储器件集成度的增加，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底，具有有源区；第一位线槽，设置于所述有源区上；第二位线槽，设置于所述第一位线槽内，与所述有源区连接；以及位线，从所述有源区向上延伸，位于所述第一位线槽和所述第二位线槽中。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一位线槽的宽度大于所述第二位线槽的宽度。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：阻挡金属，具有与所述位线直接连接的上表面，以及具有与所述有源区直接连接的下表面；所述阻挡金属，设置于所述第二位线槽内，处于所述位线的下方。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一位槽和所述第二位线槽内填充有介质层，所述介质层包绕所述位线。5.一种动态随机存储器，其特征在于，包括权利要求1至4中任一权利要求所述的半导体结构。6.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求5所述的动态随机存储器。7.根据权利要求6所述的电子设备，其特征在于，包括智能电话、计算机、平板电脑、可穿戴智能设备、人工智能设备、移动电源。8.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有有源区；在所述有源区的上方形成第一位线槽；在所述第一位线槽内形成第二位线槽，所述第二位线槽与所述有源区连接；在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：全宗植，吴容哲，杨涛，李俊峰，王文武，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：