具有用于2晶体管垂直存储器单元的共享读取/写入存取线的存储器装置制造方法及图纸

一些实施例包含设备及操作所述设备的方法。所述设备中的一者包含：第一数据线，其位于衬底上方；第二数据线，其位于所述第一数据线上方；第三数据线，其位于所述第二数据线上方且与所述第一及第二数据线电分离；及存储器单元，其耦合到所述第一、第二及第三数据线。所述存储器单元包含：第一材料，其在所述第一与第二数据线之间且电耦合到所述第一及第二数据线；第二材料，其位于所述第一数据线及所述第一材料上方，所述第二材料与所述第一材料电分离且电耦合到所述第三数据线；及存储器元件，其电耦合到所述第二材料且与所述第一材料及第一及第二数据线电分离。第一及第二数据线电分离。第一及第二数据线电分离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有用于2晶体管垂直存储器单元的共享读取/写入存取线的存储器装置
[0001]优先权申请
[0002]本申请案主张2018年12月26日申请的序列号为62/785,136的美国临时申请案的优先权权益，所述申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术介绍

[0003]存储器装置广泛用于计算机及许多其它电子产品中来存储信息。存储器装置大体上分为两种类型：易失性存储器装置及非易失性存储器装置。易失性存储器装置的实例包含动态随机存取存储器(DRAM)装置。非易失性存储器装置的实例包含闪存装置(例如闪存棒)。存储器装置通常具有众多存储器单元来存储信息。在易失性存储器装置中，如果电源与存储器装置断开，那么存储于存储器单元中的信息丢失。在非易失性存储器装置中，即使电源与存储器装置断开，但存储于存储器单元中的信息留存。
[0004]本文的描述涉及易失性存储器装置。大多数常规易失性存储器装置以电荷的形式将信息存储于包含于存储器单元中的电容器结构中。随着对装置存储密度的要求提高，许多常规技术提供缩小存储器单元的大小以提高给定装置面积的装置存储密度的方式。然而，如果本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种设备，其包括：第一数据线，其位于衬底上方；第二数据线，其位于所述第一数据线上方；第三数据线，其位于所述第二数据线上方且与所述第一及第二数据线电分离；存储器单元，其耦合到所述第一、第二及第三数据线，所述存储器单元包含：第一材料，其在所述第一与第二数据线之间且电耦合到所述第一及第二数据线；第二材料，其位于所述第一数据线及所述第一材料上方，所述第二材料与所述第一材料电分离且电耦合到所述第三数据线；及存储器元件，其电耦合到所述第二材料且与所述第一材料及第一及第二数据线电分离。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一材料经构造以在所述第一与第二数据线之间传导电流，且所述第二材料经构造以在所述第三数据线与所述存储器元件之间传导电流。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二材料包含一片半导体材料。4.根据权利要求3所述的设备，其中所述存储器元件包含接触所述第二材料的一片半导体材料。5.根据权利要求3所述的设备，其中所述存储器元件包含接触所述第二材料的一片金属。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二材料包含以下中的至少一者：氧化锌锡(ZTO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO
x
)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓硅(IGSO)、氧化铟(InO
x
、In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化钛(TiO
x
)、氮氧化锌(Zn
x
O
y
N
z
)、氧化镁锌(Mg
x
Zn
y
O
z
)、氧化铟锌(In
x
Zn
y
O
z
)、氧化铟镓锌(In
x
Ga
y
Zn
z
O
a
)、氧化锆铟锌(Zr
x
In
y
Zn
z
O
a
)、氧化铪铟锌(Hf
x
In
y
Zn
z
O
a
)、氧化锡铟锌(Sn
x
In
y
Zn
z
O
a
)、氧化铝锡铟锌(Al
x
Sn
y
In
z
Zn
a
O
d
)、氧化硅铟锌(Si
x
In
y
Zn
z
O
a
)、氧化锌锡(Zn
x
Sn
y
O
z
)、氧化铝锌锡(Al
x
Zn
y
Sn
z
O
a
)、氧化镓锌锡(Ga
x
Zn
y
Sn
z
O
a
)、氧化锆锌锡(Zr
x
Zn
y
Sn
z
O
a
)、氧化铟镓硅(InGaSiO)及磷化镓(GaP)。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器元件包含：第一部分，其与所述第一材料的第一侧电分离且与所述第二数据线的第一侧电分离；及第二部分，其与所述第一材料的第二侧电分离且与所述第二数据线的第二侧电分离。8.根据权利要求7所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：K，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：