【技术实现步骤摘要】
包含堆叠水平电容器结构的设备以及相关方法、存储器装置和电子系统
[0001]优先权要求
[0002]本申请要求2020年5月28日提交的美国专利申请序列号16/886,497针对“包含堆叠水平电容器结构的设备以及相关方法、存储器装置和电子系统(Apparatuses Including Stacked Horizontal Capacitor Structures and Related Methods,Memory Devices,and Electronic Systems)”的申请日的权益。
[0003]本文公开的实施例涉及微电子装置设计和制造的领域。更特别地，本公开的实施例涉及包含堆叠水平电容器结构的设备，并且涉及相关存储器装置和电子系统，并且涉及形成所述设备的方法。
技术介绍
[0004]集成电路制造的持续目标是增加集成密度。动态随机存取存储器(DRAM)利用DRAM电容器来存储一定量的电荷，所述电荷代表存储位的逻辑值。一些DRAM电容器包含容器形电容器，其一个电极被成形为容器，而单元介电材料和另一...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：翅片结构，其包括各个层的导电材料，所述导电材料包括在第一水平方向上延伸的细长部分；第一导电线，其在横向于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸，所述第一导电线的至少一部分垂直对齐；第二导电线，其在横向于所述第一水平方向和所述第二水平方向中的每一个的垂直方向上延伸；水平电容器结构，其包括所述翅片结构的所述导电材料；和存取装置，其接近所述第一导电线和所述第二导电线的交叉点，所述存取装置包括所述翅片结构的所述导电材料。2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括在所述第二水平方向上延伸的支撑结构，所述支撑结构包括位于所述翅片结构的所述各个层的导电材料的垂直邻接部分之间的电绝缘材料。3.根据权利要求1所述的设备，其中各个存取装置包括至少部分地围绕栅极介电材料的栅极结构，所述栅极结构中的至少一些基本上围绕所述翅片结构的所述导电材料。4.根据权利要求3所述的设备，其中各个水平电容器结构和相应的存取装置共享公共栅极结构。5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的设备，其中所述第一导电线被配置为数据线，所述翅片结构的所述各个层的导电材料上的所述水平电容器结构共享公共数据线。6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的设备，其中所述第二导电线包括存取线，单个垂直列中对齐的所述水平电容器结构共享公共存取线。7.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的设备，其进一步包括：阶梯结构，其邻近所述翅片结构的所述导电材料的所述细长部分的纵向端或横向侧中的至少一个；和所述阶梯结构的相应阶梯上的导电触点，相应层上的所述第一导电线中的每一个共享公共导电触点。8.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的设备，其中相邻翅片结构的所述导电材料的相邻部分在接近所述翅片结构的纵向端的接触区域中彼此电连接。9.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的设备，其进一步包括所述水平电容器结构下方的基础材料，其中所述翅片结构的所述导电材料的所述细长部分基本上平行于所述基础材料的主平面延伸，并且所述第二导电线的细长部分基本上横向于所述基础材料的所述主平面延伸。10.一种形成设备的方法，其包括：形成至少一个开口，其垂直延伸通过基础材料上方的交替的导电材料和介电材料的堆叠，所述堆叠的所述交替的导电材料和介电材料的其余部分限定在第一水平方向上延伸的翅片结构；形成至少一个栅极结构，其邻近所述翅片结构的所述导电材料；形成水平电容器结构，其邻近所述翅片结构的各个层的导电材料；形成至少一个阶梯结构，其包括交替的导电材料和介电材料的所述堆叠的材料；
形成电绝缘材料，其位于所述堆叠的至少一部分上方；和通过所述电绝缘材料中的开口形成导电触点。11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：形成第一导电线，其包含所述堆叠的所述导电材料；和形成第二导电线，其包含所述至少一个栅极结构的材料，所述第二导电线在横向于所述翅片结构的所述第一水平方向和所述基础材料的主平面中的每一个的垂直方向上延伸。12.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：将所述翅片结构的所述导电材料形成为无结纳米线，其包括导电掺杂半导体材料，所述导电掺杂半导体材料包括p型掺杂剂或n型掺杂剂中的一种而不包括所述p型掺杂剂或所述n型掺杂剂中的另...
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