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本公开提供了半导体结构及其形成方法、动态随机存储器、电子设备,该半导体结构包括:半导体衬底,具有有源区,第二位线槽,设置于有源区上,第一位线槽,设置第二位线槽上,与第二位线槽连通,以及位线,从有源区向上延伸,位于第一位线槽和第二位线槽中。动...该专利属于真芯(北京)半导体有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过真芯(北京)半导体有限责任公司授权不得商用。
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本公开提供了半导体结构及其形成方法、动态随机存储器、电子设备,该半导体结构包括:半导体衬底,具有有源区,第二位线槽,设置于有源区上,第一位线槽,设置第二位线槽上,与第二位线槽连通,以及位线,从有源区向上延伸,位于第一位线槽和第二位线槽中。动...