封装方法、晶片、器件、待封装的芯片结构及其制造方法技术

本申请公开了一种封装方法、晶片、器件、待封装的芯片结构及其制造方法，该芯片结构包括：衬底；功能层，基于衬底形成集成电路，至少部分功能层位于衬底上；多个焊盘，分别与集成电路中相应的信号端电连接；钝化层，覆盖功能层并暴露多个焊盘；以及保护层，覆盖钝化层并暴露多个焊盘，其中，保护层适于阻挡光照入射钝化层和功能层，和/或适于为功能层屏蔽电磁辐射。该芯片结构通过在钝化层上设置保护层，从而保护了芯片结构的钝化层与功能层，减少了外界环境对功能层的影响，并在划片、运输以及封装的过程中，芯片结构受到损伤的问题。芯片结构受到损伤的问题。芯片结构受到损伤的问题。

【技术实现步骤摘要】
封装方法、晶片、器件、待封装的芯片结构及其制造方法


[0001]本申请涉及半导体器件制造领域，更具体地，涉及封装方法、晶片、器件、待封装的芯片结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]基于微机电系统(Micro Electro Mechanical Systems,MEMS)制造的麦克风被称为MEMS麦克风，通常包括MEMS传感器芯片以及与之电连接的功能集成电路(Application Specific Integrated Circuit,ASIC)芯片，在对MEMS麦克风进行封装的过程中，需要先将MEMS传感器芯片与 ASIC芯片连接至基板上，然后通过封装壳对MEMS传感器芯片与ASIC 芯片进行密封处理。
[0003]在ASIC晶圆制造完成后，需要先经过划片步骤将ASIC晶圆分割成多个ASIC芯片，之后将裸芯片运输到封装设备或封装厂进行封装。在MEMS麦克风的封装过程中，将单独的ASIC芯片固定到基板上的过程称为ASIC芯片的封装，通常需要依次进行装片、烧结、打线等步骤，其中，装片是将ASIC芯片通过胶水与基板连接，烧结是对胶水进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种待封装的芯片结构，其特征在于，包括：衬底；功能层，基于所述衬底形成集成电路，至少部分所述功能层位于所述衬底上；多个焊盘，分别与所述集成电路中相应的信号端电连接；钝化层，覆盖所述功能层并暴露所述多个焊盘；以及保护层，覆盖所述钝化层并暴露所述多个焊盘，其中，所述保护层适于阻挡光照入射所述钝化层和所述功能层，和/或适于为所述功能层屏蔽电磁辐射。2.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述保护层包括屏蔽层，位于所述钝化层上方。3.根据权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，所述屏蔽层的材料包括不透光的胶体。4.根据权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，所述屏蔽层包括电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层与所述集成电路中的接地端电连接。5.根据权利要求4所述的芯片结构，其特征在于，还包括穿过所述钝化层的导电结构，所述电磁屏蔽层通过所述导电结构与所述集成电路的接地端电连接。6.根据权利要求4所述的芯片结构，其特征在于，所述电磁屏蔽层由不透光的导体材料制成。7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述电磁屏蔽层的材料包括碳系导电材料，或者银、铜、镍、铝、锌中的一种或组合。8.根据权利要求6所述的芯片结构，其特征在于，所述屏蔽层还包括不透光的胶体层，位于所述电磁屏蔽层上方。9.根据权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，所述保护层还包括聚酰亚胺薄膜，位于所述屏蔽层上或...

【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，杨玉婷，梅嘉欣，
申请(专利权)人：苏州敏芯微电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：