过热自我保护的半导体三极管制造技术

本实用新型专利技术公开一种过热自我保护的半导体三极管，包括三极管本体和三个第一插脚，所述过热自我保护的半导体三极管还包括底座、环状体、第二插脚、套筒、连接杆、活塞和活塞杆，所述底座上竖向设有三个槽孔，所述环状体固定在所述底座上，其顶部向下凹形成三个通孔，所述活塞竖直滑动设置在所述通孔内，所述活塞杆固定在所述活塞上，其顶端伸出所述通孔，所述通孔内于所述活塞的下方设有冷媒，所述三极管本体置于所述底座上并位于所述环状体内。本实用新型专利技术能有效地防止了三极管因温度继续升高而烧环，实现了三极管的过热自我保护，确定电路板的正常使用；同时，冷媒吸热对三极管起到一定的散热作用。定的散热作用。定的散热作用。

【技术实现步骤摘要】
过热自我保护的半导体三极管


[0001]本技术涉及三极管
，具体涉及一种过热自我保护的半导体三极管。

技术介绍

[0002]半导体三极管作为重要的电子元件，广泛应用在电路板上。现有的半导体三极管在使用时容易产生热量，当温度过高时，三极管容易烧毁，影响电路板的使用。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种过热自我保护的半导体三极管。
[0004]本技术的技术方案如下：
[0005]一种过热自我保护的半导体三极管，包括三极管本体和三个第一插脚，所述过热自我保护的半导体三极管还包括底座、环状体、第二插脚、套筒、连接杆、活塞和活塞杆，所述底座上竖向设有三个槽孔，所述环状体固定在所述底座上，其顶部向下凹形成三个通孔，所述活塞竖直滑动设置在所述通孔内，所述活塞杆固定在所述活塞上，其顶端伸出所述通孔，所述通孔内于所述活塞的下方设有冷媒，所述三极管本体置于所述底座上并位于所述环状体内，三个所述第一插脚的顶端固定在所述三极管本体的底部，其底部伸进所述槽孔内，所述第二插脚固定在所述槽孔内，其底端伸出所述槽孔，所述套筒置于所述槽孔内，其顶部套在所述第一插脚的底端，其底部套在所述第二插脚的顶端，其侧部通过所述连接杆与所述活塞杆固定连接。
[0006]优选的是，所述环状体的顶部于所述通孔处设有挡块。
[0007]优选的是，所述过热自我保护的半导体三极管还包括滑块，所述底座的侧壁开有三个与所述槽孔连通的滑槽，所述滑块滑动设置在所述滑槽内，其外端与所述连接杆的底端连接，其内端与所述套筒连接。
[0008]优选的是，三个所述槽孔在所述底座上呈正三角形分布。
[0009]相对于现有技术，本技术的有益效果在于：本技术将三极管本体置于环状体内，当三极管温度升高时，热量会传递到环状体，环状体内的冷媒吸热后气化推动活塞上移，跟活塞连动的套筒在槽孔内上移，使套筒与第二插脚脱离实现电连接断开，有效地防止了三极管因温度继续升高而烧环，实现了三极管的过热自我保护，确定电路板的正常使用；同时，冷媒吸热对三极管起到一定的散热作用。
附图说明
[0010]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0011]图1为本技术的过热自我保护的半导体三极管的整体结构示意图；
[0012]图2为本技术的底座和环状体的结构示意图。
具体实施方式
[0013]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0014]为了说明本技术所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
[0015]实施例1
[0016]如图1、图2所示，本实施例的过热自我保护的半导体三极管包括三极管本体1和三个第一插脚2，所述过热自我保护的半导体三极管还包括底座3、环状体4、第二插脚5、套筒6、连接杆7、活塞8和活塞杆9，所述底座3上竖向设有三个槽孔10，所述环状体4固定在所述底座3上，其顶部向下凹形成三个通孔11，所述活塞8竖直滑动设置在所述通孔11内，所述活塞杆9固定在所述活塞8上，其顶端伸出所述通孔11，所述通孔11内于所述活塞8的下方设有冷媒，所述三极管本体1置于所述底座3上并位于所述环状体4内，三个所述第一插脚2的顶端固定在所述三极管本体1的底部，其底部伸进所述槽孔10内，所述第二插脚5固定在所述槽孔10内，其底端伸出所述槽孔10，所述套筒6置于所述槽孔10内，其顶部套在所述第一插脚2的底端，其底部套在所述第二插脚5的顶端，其侧部通过所述连接杆7与所述活塞杆9固定连接。当三极管本体1的温度升高时，三极管本体1将热量传递到环状体4上，环状体4内的冷媒吸收热量后汽化成汽体使通孔内的压力增加从而推动活塞8上移，活塞8上移带动活塞杆9上移，通过连接杆7与活塞杆9连接的套筒6上移，套筒6的底部与第二插脚5脱离，使得第一插脚2与第二插脚5的电连接断开，三极管本体1在断电的情况下温度下降，有效地防止了三极管因温度继续升高而烧环，实现了三极管的过热自我保护，确定电路板的正常使用。在此过程中，冷媒会不停地吸收三极管本体1的热量，使三极管本体1的热量能快速传递出去，对三极管本体1起到良好的散热作用。
[0017]在本实施例中，所述环状体4的顶部于所述通孔11处设有挡块12，利用挡块12来防止活塞8滑出通孔11。所述过热自我保护的半导体三极管还包括滑块13，所述底座3的侧壁开有三个与所述槽孔10连通的滑槽14，所述滑块13滑动设置在所述滑槽14内，其外端与所述连接杆7的底端连接，其内端与所述套筒6连接，滑块13与滑槽14配合，起到连接与滑动导向作用。三个所述槽孔10在所述底座3上呈正三角形分布，方便与三极管本体1的三个第一插脚2对应。
[0018]以上仅为本技术的较佳实施例而已，并不用于限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种过热自我保护的半导体三极管，包括三极管本体和三个第一插脚，其特征在于：所述过热自我保护的半导体三极管还包括底座、环状体、第二插脚、套筒、连接杆、活塞和活塞杆，所述底座上竖向设有三个槽孔，所述环状体固定在所述底座上，其顶部向下凹形成三个通孔，所述活塞竖直滑动设置在所述通孔内，所述活塞杆固定在所述活塞上，其顶端伸出所述通孔，所述通孔内于所述活塞的下方设有冷媒，所述三极管本体置于所述底座上并位于所述环状体内，三个所述第一插脚的顶端固定在所述三极管本体的底部，其底部伸进所述槽孔内，所述第二插脚固定在所述槽孔内，其底端伸出所述槽孔，所述套筒置于所述槽孔内，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王雪姬，
申请(专利权)人：深圳中正微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：