一种高隔离双极化介质谐振器天线制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高隔离双极化介质谐振器天线，包括介质板、微带线、地板、介质谐振器和同轴线，所述地板设于所述介质板的顶面，所述地板上设有多个缝隙，所述介质谐振器设于所述地板上并覆盖所述缝隙，所述微带线设于所述介质板的底面并耦合所述缝隙以给所述介质谐振器馈电，所述同轴线贯穿所述介质板和所述地板以给所述介质谐振器馈电。本高隔离双极化介质谐振器天线采用微带缝隙耦合馈电和同轴馈电两种馈电模式，不同的馈电模式可令介质谐振器天线产生不同的极化，从而有效地提高了双极化介质谐振器天线的隔离度，进而改善双极化介质谐振器天线的隔离度的性能表现。极化介质谐振器天线的隔离度的性能表现。极化介质谐振器天线的隔离度的性能表现。

【技术实现步骤摘要】
一种高隔离双极化介质谐振器天线


[0001]本技术涉及天线
，尤其涉及一种高隔离双极化介质谐振器天线。

技术介绍

[0002]针对5G毫米波模组，业界普遍选择以射频芯片与基板天线结合成为AIP(封装天线)的方式来降低射频系统损耗，并且这样集成度更高、性能更优秀。AIP一般采用多层微带，所以成本高加工慢。而介质谐振器天线可以大幅度降低5G毫米波频段下的PCB天线的层数，从而降低加工精度要求及加工成本，是一种优秀的解决方案。
[0003]由3GPP TR38.817终端射频技术报告可知，天线双极化特效可以将给射频链路增加3dB，所以天线双极化将是5G毫米波模组的必要指标，而双极化最重要的是提高极化隔离度，但现有的双极化的介质谐振器天线的隔离度往往差强人意。

技术实现思路

[0004]本技术所要解决的技术问题是：提供一种高隔离双极化介质谐振器天线。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：一种高隔离双极化介质谐振器天线，包括介质板、微带线、地板、介质谐振器和同轴线，所述地板设于所述介质板的顶面，所述地板上设有多个缝隙，所述介质谐振器设于所述地板上并覆盖所述缝隙，所述微带线设于所述介质板的底面并耦合所述缝隙以给所述介质谐振器馈电，所述同轴线贯穿所述介质板和所述地板以给所述介质谐振器馈电。
[0006]进一步的，所述缝隙的数量为三个，数量为三个所述缝隙相互平行且对齐设置。
[0007]进一步的，沿所述介质板的厚度方向俯视所述高隔离双极化介质谐振器天线时，所述缝隙的中心点位于所述微带线的中心线上。
[0008]进一步的，所述地板上设有用于避空所述同轴线的避空区。
[0009]进一步的，所述介质谐振器呈长方体状。
[0010]进一步的，沿所述介质板的厚度方向俯视所述高隔离双极化介质谐振器天线时，所述微带线的中心线到所述介质谐振器一侧边的距离为所述微带线的中心线到所述介质谐振器相对的另一侧边的距离的1/2
‑
1/3。
[0011]进一步的，所述介质谐振器的长度为11.2mm、宽度为6.4mm、高度为4.75mm。
[0012]本技术的有益效果在于：本高隔离双极化介质谐振器天线采用微带缝隙耦合馈电和同轴馈电两种馈电模式，不同的馈电模式可令介质谐振器天线产生不同的极化，从而有效地提高了双极化介质谐振器天线的隔离度，进而改善双极化介质谐振器天线的隔离度的性能表现。
附图说明
[0013]图1为本技术实施例一的高隔离双极化介质谐振器天线的俯视图；
[0014]图2为本技术实施例一的高隔离双极化介质谐振器天线的正视图；
[0015]图3为本技术实施例一的高隔离双极化介质谐振器天线在同轴馈电模式下，XOY面的天线辐射模式分布图；
[0016]图4为本技术实施例一的高隔离双极化介质谐振器天线在微带缝隙耦合馈电模式下，XOY面的天线辐射模式分布图；
[0017]图5为本技术实施例一的高隔离双极化介质谐振器天线S参数测试结果图。
[0018]标号说明：
[0019]1、介质板；
[0020]2、微带线；
[0021]3、地板；
[0022]4、介质谐振器；
[0023]5、同轴线；
[0024]6、缝隙；
[0025]7、避空区。
具体实施方式
[0026]为详细说明本技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0027]请参照图1至图5，一种高隔离双极化介质谐振器4天线，包括介质板1、微带线2、地板3、介质谐振器4和同轴线5，所述地板3设于所述介质板1的顶面，所述地板3上设有多个缝隙6，所述介质谐振器4设于所述地板3上并覆盖所述缝隙6，所述微带线2设于所述介质板1的底面并耦合所述缝隙6以给所述介质谐振器4馈电，所述同轴线5贯穿所述介质板1和所述地板3以给所述介质谐振器4馈电。
[0028]从上述描述可知，本技术的有益效果在于：本高隔离双极化介质谐振器4天线采用微带缝隙6耦合馈电和同轴馈电两种馈电模式，不同的馈电模式可令介质谐振器4天线产生不同的极化，从而有效地提高了双极化介质谐振器4天线的隔离度，进而改善双极化介质谐振器4天线的隔离度的性能表现。
[0029]进一步的，所述缝隙6的数量为三个，数量为三个所述缝隙6相互平行且对齐设置。
[0030]由上述描述可知，缝隙6的个数可根据实际的需要进行增减。
[0031]进一步的，沿所述介质板1的厚度方向俯视所述高隔离双极化介质谐振器4天线时，所述缝隙6的中心点位于所述微带线2的中心线上。
[0032]进一步的，所述地板3上设有用于避空所述同轴线5的避空区7。
[0033]进一步的，所述介质谐振器4呈长方体状。
[0034]进一步的，沿所述介质板1的厚度方向俯视所述高隔离双极化介质谐振器4天线时，所述微带线2的中心线到所述介质谐振器4一侧边的距离为所述微带线2的中心线到所述介质谐振器4相对的另一侧边的距离的1/2
‑
1/3。
[0035]由上述描述可知，如此设置能够有效地提高双极化介质谐振器4天线在28GHz左右的性能表现。
[0036]进一步的，所述介质谐振器4的长度为11.2mm、宽度为6.4mm、高度为4.75mm。
[0037]实施例一
[0038]请参照图1至图5，本技术的实施例一为：一种高隔离双极化介质谐振器4天线，特别适用于5G毫米波通信系统的毫米波模组多芯片的场景，例如应用于5G毫米波基站天线。
[0039]所述高隔离双极化介质谐振器4天线包括介质板1、微带线2、地板3、介质谐振器4和同轴线5，所述地板3设于所述介质板1的顶面，所述地板3上设有多个缝隙6，所述介质谐振器4设于所述地板3上并覆盖所述缝隙6，所述微带线2设于所述介质板1的底面并耦合所述缝隙6以给所述介质谐振器4馈电，所述同轴线5贯穿所述介质板1和所述地板3以给所述介质谐振器4馈电，所述地板3上设有用于避空所述同轴线5的避空区7。
[0040]本实施例中，所述缝隙6呈长方形，所述缝隙6的数量为三个，数量为三个所述缝隙6相互平行且对齐设置。具体的，沿所述介质板1的厚度方向俯视所述高隔离双极化介质谐振器4天线时，所述缝隙6的中心点位于所述微带线2的中心线上。
[0041]所述介质谐振器4呈长方体状，所述介质谐振器4的长度为11.2mm、宽度为6.4mm、高度为4.75mm。
[0042]沿所述介质板1的厚度方向俯视所述高隔离双极化介质谐振器4天线时，所述微带线2的中心线到所述介质谐振器4一侧边的距离为所述微带线2的中心线到所述介质谐振器4相对的另一侧边的距离的1/2
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1/3。本实施例中，所述微带线2的中心线到所述介质谐振器4一侧边的距离为所述微带线2的中心线到所述介质谐本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高隔离双极化介质谐振器天线，其特征在于：包括介质板、微带线、地板、介质谐振器和同轴线，所述地板设于所述介质板的顶面，所述地板上设有多个缝隙，所述介质谐振器设于所述地板上并覆盖所述缝隙，所述微带线设于所述介质板的底面并耦合所述缝隙以给所述介质谐振器馈电，所述同轴线贯穿所述介质板和所述地板以给所述介质谐振器馈电。2.根据权利要求1所述的高隔离双极化介质谐振器天线，其特征在于：所述缝隙的数量为三个，数量为三个所述缝隙相互平行且对齐设置。3.根据权利要求1所述的高隔离双极化介质谐振器天线，其特征在于：沿所述介质板的厚度方向俯视所述高隔离双极化介质谐振器天线时，所述缝隙的中心点位于所述微带线的中心线上。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵伟，侯张聚，唐小兰，戴令亮，谢昱乾，
申请(专利权)人：深圳市信维通信股份有限公司，
类型：新型
国别省市：