一种迭片瓷介电容器制造技术

介质陶瓷的结构成分是一种氧化物，该氧化物含有从Ａ组元素（其中包括Ｐｂ、Ｃａ、Ｓｒ和Ｂａ）中选出的Ａ成分和从Ｂ组元素（其中包括Ｍｇ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｂ和Ｗ）中选出的Ｂ成分．Ａ成分中含有Ｐｂ和至少一种其他元素；Ｂ成分中含有至少两种Ｂ组元素．而且．当把Ａ成分的摩尔数合计值定为ａ；把Ｂ成分的摩尔数合计值定为ｂ时，则ａ／ｂ〉１．００．电极涂层材料采用铜或以铜为主要成分的合金．由于介质陶瓷烧结温度低，所以．即使采用铜作为电极采料，也能获得良好的性能．（*该技术在2007年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及迭片瓷介电容器元件，特别是涉及那种电极成本低、介质高频损耗小、绝缘电阻大的迭片瓷介电容器元件。由于电子设备要求陶瓷电容器体积小，容量大，所以迭片陶瓷电容器得以迅速普及。并且，由于电路频率提高，过去采用电解电容器的电路，现在需要改用迭片瓷介电容器。迭片瓷介电容器的一般制造方法是把内电极和陶瓷烧结成一个整体。过去，介电常数比较高的陶瓷电容器介质材料一直采用钛酸钡，但因其烧结温度高达1300℃左右，所以内电极材料必须采用Pt、Pd等价格昂贵的金属。针对上述问题，后来提出了这样一种迭片瓷介电容器芯子制造方法，即陶瓷材料采用能在低氧分压气氛中烧结的钛酸钡，内电极材料采用Ni等廉价金属。(详细内容参见《日本应用物理杂志》增刊，1981年20卷4期第147～150页)。目前存在的问题是现有的迭片瓷介电容器芯子采用Pd或Pt作内电极。在元件的成本中电极成本所占比重很大，特别是迭片层数多特大容量瓷介电容器，内电极成本比重就更高，更难推广应用，用Ni作内电极的迭片瓷介电容器，当介质陶瓷还原时容易引起电容器元件绝缘电阻下降，并且高频介质损耗容易增大。本专利技术的目的是为了制作出一种电极成本低、本文档来自技高网...

【技术保护点】
迭片瓷介电容器，其特征如下：至少有２层以上的内电极由介电陶瓷隔开，互相重迭并向外引出的迭片瓷介电容器芯子，其介质材料采用这样一种氧化物：该氧化物含有从Ａ组元素（其中包括Ｐｂ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）中选出的Ａ成分和从Ｂ组元素（其中包括Ｍｇ、Ｎ ｉ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｂ和Ｗ）中选出的Ｂ成分，Ａ成分中含有Ｐｂ和至少一种其他元素；Ｂ成分中含有至少两种Ｂ组元素。而且，当把Ａ成分的摩尔数合计值定为ａ；把Ｂ成分的摩尔数合计值定为ｂ时，则ａ／ｂ＞１．００，内电极涂层材料采用铜或以铜为主要成分的合金。

【技术特征摘要】
JP 1986-3-12 54053/86;JP 1986-3-12 54056/861.迭片瓷介电容器，其特征如下至少有2层以上的内电极由介电陶瓷隔开，互相重迭并向外引出的迭片瓷介电容器芯子，其介质材料采用这样一种氧化物该氧化物含有从A组元素(其中包括Pb、Ca、Sr、Ba)中选出的A成分和从B组元素(其中包括Mg、Ni、Ti、Zn、Nb和W)中选出的B成分，A成分中含有Pb和至少一种其他元素；B成分中含有至少两种B组元素。而且，当把A成分的摩尔数合计值定为a；把B成分的摩尔数合计值定为b时，...

【专利技术属性】
技术研发人员：横谷洋一郎，加藤纯一，三原敏弘，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]