纳米复合高介电常数铝氧化膜生长技术制造技术

本发明专利技术提供了一种纳米复合高介电常数铝氧化膜生长技术，该技术首先在铝箔表面预化学沉积一层高介电常数阀金属介质膜，将其调整到纳米尺度，利用材料在进入纳米尺度后所表现出来的纳米介电效应，获得高介电常数阀金属介质膜，然后通过该介质膜与铝氧化膜复合，获得高介电常数的铝电解电容器用介质膜。本发明专利技术所使用的工艺步骤可直接组合在目前工业电化学扩面腐蚀生产线或化成线中。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子材料
，它特别涉及铝电解电容器用高比容铝电极箔制造技术。
技术介绍
电子工业的高速发展，一方面要求电子整机产品提高智能化程度，这样就势必带来了电路系统复杂程度和精度的提高，另一方面又要求电子整机产品小型化、便携化。虽然微电子工业的高速发展很大程度上缓解了这一矛盾，但目前大容量电容器却无法采用半导体工艺实现。铝电解电容器具有比电容量大的优点，在电子整机中大量使用。但作为无法集成化的分立元件，其体积已经严重地制约了电子整机产品的小型化进程。铝电解电容器的体积受制于铝电极箔比容，提高铝电极箔比容即可解决铝电解电容器小型化问题。铝电极箔比容C依据公式C∝ϵ0ϵrSd.]]>因此，提高铝电极箔比容的技术途径有两种一是提高铝电极箔的真实表面积S，二是提高铝电极箔上氧化膜的介电常数εr。人们对这两种技术途径进行了大量的研究，如今第一种技术途径已在工业生产上广泛应用，主要是通过铝箔在混酸水溶液体系中的电化学腐蚀，提高铝电极箔的比表面积。通过第二种技术途径提高铝电极箔比容的技术主要有物理技术和化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米复合高介电常数铝氧化膜生长技术，其特征是它包括以下步骤：　　　　步骤１　　在铝腐蚀箔表面预化学沉积一层高介电常数阀金属介质膜；　　　　步骤２　　通过稀土元素的晶粒细化作用调整高介电常数阀金属介质膜的几何尺度，使其开始表现出纳米介电效应；　　　　步骤３　　通过高温处理将该纳米高介电常数阀金属介质膜与铝氧化膜复合。

【技术特征摘要】
1.一种纳米复合高介电常数铝氧化膜生长技术，其特征是它包括以下步骤步骤1 在铝腐蚀箔表面预化学沉积一层高介电常数阀金属介质膜；步骤2通过稀土元素的晶粒细化作用调整高介电常数阀金属介质膜的几何尺度，使其开始表现出纳米介电效应；步骤3 通过高温处理将该纳米高介电常数阀金属介质膜与铝氧化膜复合。2.根据权利要求1所述的一种纳米复合高介电常数铝氧化膜生长技术，其特征是所述的步骤1在铝腐蚀箔表面预化学沉积一层高介电常数阀金属介质膜，其实现步骤是1)通过扩面腐蚀工艺制作铝腐蚀箔；2)选用阀金属，它们可以从Ta、Ti、Mg、Nb、Zr、Bi、Hf、Zn、Sn、V、Pd、Sb所构成的阀金属群中选择至少一种；3)配制上述阀金属的无机盐溶液，所述阀金属的无机盐能够溶于水体系，并能够发生水解反应，通过水解反应在铝腐蚀箔微孔表面沉积成膜，它们可以是K2TaF7、Ti(SO4)2、MgSO4、K2NbOF5、Zr(SO4)2、Bi(NO3)3、Hf(SO4)2、ZnSO4、SnSO4、VOCl3、Pb(NO3)2、Sb2(SO4)3等无机盐溶液；4)控制步骤3)制成的金属盐溶液的浓度为0.01～1mol/L；pH值为0.1～4；5)控制步骤3)制成的金属盐溶液的温度为10～90℃；6)将步骤1)制成的铝腐蚀箔放入上述金属盐溶液中进行浸渍，浸渍时间在0.5～8min之间。经过上述步骤后，即可在铝腐蚀箔微孔的内表面沉积得到高介电常数阀金属介质膜。3.根据权利要求1所述的一种纳米复合高介电常数铝氧化膜生...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨邦朝，冯哲圣，陈金菊，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]