高介电常数陶瓷粉料、陶瓷电容器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种具有２Ｂ↓［４］特性的、ＳｒＴｉＯ↓［３］－ＰｂＴｉＯ↓［３］－Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］.ｎＴｉＯ↓［２］体系的高介电常数陶瓷粉料，其包括第一组分ＳｒＴｉＯ↓［３］、第二组分ＰｂＴｉＯ↓［３］、第三组分Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］.ｎＴｉＯ↓［２］，及选自ＭｎＣＯ↓［３］、ＭｎＯ↓［２］、ＺｎＯ、ＳｉＯ↓［２］、Ｓｍ↓［２］Ｏ↓［３］、ＣｕＯ、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］中的一种或几种作为第四组分。用该粉料制得的陶瓷电容器各项性能指标均符合２Ｂ↓［４］组别ＧＢ标准，适应了电子产品的小型化和表面贴装技术的发展，耐压特性高，而且使用温度较低，大大降低生产厂家的生产成本。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高介电常数陶瓷粉料及利用这种高介电常数粉料所制得的陶瓷电容器，特别是涉及具有2B4特性的高介电常数陶瓷粉料及利用这种粉料所制得的陶瓷电容器。本专利技术还涉及一种利用上述高介电常数陶瓷粉料制备陶瓷电容器的方法。
技术介绍
目前，中高压陶瓷电容器广泛应用于中高压电子线路和电力设备，如彩色电视机、激光器、电力阻断器、微波炉、静电复合机、电警棍等中的电容器，其市场较为广阔。为了适应电子产品的小型化和表面贴装技术的发展，在保证圆片电容器的适用性和高性能的前提下尽可能提高电容器的介电常数，以减小圆片电容器的体积，这对电容器的制造工艺和对原材料的选择提高出的较高的要求。目前，国际上生产使用的具有2B4特性(所谓2B4特性是指-25℃～+85℃|ε/ε20℃|≤10％)的电子陶瓷粉料主要是采用SrTiO3-PbTiO3-Bi2O3·nTiO2体系的瓷料，使用的瓷料最高介电常数小于3800，烧结温度在1300±15℃左右，耐压特性VDC在5-6kv/mm VAC在2.5-3kv/mm左右。上述现有技术的缺点是一是介电常数偏低，损耗高，温度变化率、耐压特性一般，不能适应元件小型化的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＳｒＴｉＯ↓［３］－ＰｂＴｉＯ↓［３］－Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］.ｎＴｉＯ↓［２］体系的高介电常数陶瓷粉料，包括如下组分：（１）第一组分钛酸锶，该组分在所述陶瓷粉料中的重量百分含量为３５％～６０％，且该组分中Ｓｒ、Ｔｉ摩尔比的范围 控制在０．９０～１．１０范围内；（２）第二组分钛酸铅，该组分在所述陶瓷粉料中的重量百分含量为２５％～４０％，且该组分中Ｐｂ、Ｔｉ摩尔比控制在０．９０～１．１０范围内；（３）第三组分Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］.ｎＴｉＯ↓［２］，该 组分在所述陶瓷粉料中的重量百分含量为１２％～３０％，且该组分中ｎ＝１～５；（４）第四组分是选自Ｍ...

【技术特征摘要】
1.一种SrTiO3-PbTiO3-Bi2O3·nTiO2体系的高介电常数陶瓷粉料，包括如下组分(1)第一组分钛酸锶，该组分在所述陶瓷粉料中的重量百分含量为35％～60％，且该组分中Sr、Ti摩尔比的范围控制在0.90～1.10范围内；(2)第二组分钛酸铅，该组分在所述陶瓷粉料中的重量百分含量为25％～40％，且该组分中Pb、Ti摩尔比控制在0.90～1.10范围内；(3)第三组分Bi2O3·nTiO2，该组分在所述陶瓷粉料中的重量百分含量为12％～30％，且该组分中n＝1～5；(4)第四组分是选自MnCO3、MnO2、ZnO、SiO2、Sm2O3、CuO、Al2O3中的一种或几种，其在所述陶瓷粉料中的重量百分含量为0.1％～2.0％。2.根据权利要求1所述的陶瓷粉料，其特征在于，所述的第一组分钛酸锶在所述陶瓷粉料中的重量百分含量为40％～55％。3.根据权利要求1所述的陶瓷粉料，其特征在于，所述的第二组分钛酸铅在所述陶瓷粉料中的重量百分含量为28％～35％。4.根据权利要求1所述的陶瓷粉料，其特征在于，所述的第三组分Bi2O3·nTiO2在所述陶瓷粉料中的重量百分含量为15％～25％。5.一种由高介电常数陶瓷粉料制成的陶瓷电容器，其特征在于，所述的高介电常数陶瓷粉料包括如下组分...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明，朱训明，司留启，欧明，
申请(专利权)人：深圳市风华科技开发有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]