化学机械研磨装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种化学机械研磨装置，所述化学机械研磨装置包括一检测单元，所述检测单元安装于研磨平台朝向研磨头的表面上，通过所述检测单元，可实现实时的检测化学机械研磨过程中的晶圆是否从研磨头上滑落，提高了检测结果的可靠性，避免了在晶圆滑落后因研磨平台的持续旋转对晶圆造成的损伤。的持续旋转对晶圆造成的损伤。的持续旋转对晶圆造成的损伤。

【技术实现步骤摘要】
化学机械研磨装置


[0001]本技术涉及半导体设备领域，特别涉及一种化学机械研磨装置。

技术介绍

[0002]化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)工艺目前被广泛用于半导体制造过程中的表面平坦化工艺处理，根据研磨对象不同可分为钨硏磨(WCMP)、铜研磨(Cu CMP)等。
[0003]图1是现有技术的化学机械研磨装置，如图1所示，在化学机械研磨的过程中，晶圆11、11a、11b、11c分别被吸附于化学机械研磨装置的研磨头10、10a、10b、10c上，通过与位于研磨头10、10a、10b、10c下方的研磨平台摩擦而达到表面平坦的目的。但在化学机械研磨过程中，经常会发生晶圆脱离研磨头的情况，例如因机台异常而导致晶圆脱离研磨头，即发生滑片的问题。为了避免化学机械研磨过程中出现滑片的问题，通常会在化学机械研磨装置中设置传感器12、12a、12b、12c来检测晶圆的状态，当晶圆自研磨头上滑出时，传感器会发出讯号通知机台停止作业，从而避免损伤晶圆。然而，化学机械研磨装置中的传感器通常设置于研磨头的一侧，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学机械研磨装置，用于对晶圆进行化学机械研磨，其特征在于，包括：研磨头，用于固定所述晶圆；研磨平台，所述研磨平台可相对所述研磨头旋转以研磨固定于所述研磨头上的晶圆；以及，检测单元，安装于所述研磨平台朝向所述研磨头的表面上，用于在所述研磨平台研磨所述晶圆的过程中，检测所述晶圆是否从所述研磨头上滑落。2.如权利要求1所述的化学机械研磨装置，其特征在于，所述研磨平台包括至少两个间隔设置的研磨盘以及至少两个研磨垫，每个所述研磨盘朝向所述研磨头的表面上设置有一个所述研磨垫，其中，所述研磨盘为可旋转研磨盘，在进行化学机械研磨的过程中，所述研磨盘带动所述研磨垫旋转以研磨固定于所述研磨头上的所述晶圆。3.如权利要求2所述的化学机械研磨装置，其特征在于，所述检测单元包括至少两个检测器以及与所有的所述检测器连接的控制芯片，每个所述研磨盘上至少安装有一个所述检测器，在进行化学机械研磨的过程中，所述检测器向所述研磨头发射光信号并接收由所述研磨头反射的光信号，所述控制芯片根据所述检测器接收到的光信号的强度判断所述晶圆是否从所述研磨头上滑落。4.如权利要求3所述的化学机械研磨装置，其特征在于，每个所述研磨垫中开设有一凹槽，所述凹槽朝向所述研磨头，所述检测器嵌设于所述凹槽中，所述控制芯片在所述凹槽外与所述检测器信号连接。5.如权利要求4所述的化学机械研磨装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金文祥，彭萍，沈毛振，李阿龙，陈海楠，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：新型
国别省市：