金属带材的等离子清洗装置及清洗系统制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种金属带材的等离子清洗装置及清洗系统，涉及芯片制造技术领域。清洗装置包括框体、绝缘间隔件和等离子激发结构。等离子激发结构包括高频电极和接地电极。框体内具有腔室和进气口，高频电极与接地电极通过绝缘间隔件固定于框体，并且高频电极与接地电极之间的间距均匀。高频电极设有第一气孔，接地电极均布有第二气孔，多个第二气孔用于均匀出气。清洗系统包括高频控制器、气源和清洗装置。清洗装置和清洗系统通过设置间距相等的高频电极和接地电极，并进一步设计均匀出气的第一气孔、第二气孔，使得金属带材能够被均匀的等离子气体清洗，不因为厚度的不同而导致清洗效果不同，对于半导体键合领域有重要意义。义。义。

【技术实现步骤摘要】
金属带材的等离子清洗装置及清洗系统


[0001]本技术涉及芯片制造
，具体而言，涉及一种金属带材的等离子清洗装置及清洗系统。

技术介绍

[0002]芯片与引线框架需要通过键合丝连接。随着功率半导体的发展，面临大功率、大电流的应用，键合丝日益无法满足大电流的应用。因此，使用金属带材实现芯片与引线框架或基板的连接逐渐普遍。带材相较于丝材，具有更大的载流能力，同时连接面积更大，有效的降低了阻抗，对于功率半导体极具意义。
[0003]键合用带材，表面的洁净程度与键合质量密切相关，因此在制造时需要去除表面的污染物；在键合时也需要去除污染物，避免长期保存过程中氧化膜变厚带来的不利影响。相对于化学清洗，等离子清洗作为一种环保高效的清洗方式更符合键合材料的需要。
[0004]在现有的一些等离子清洗装置中，能够对一些丝材进行清洗，但针对带材以及厚度不一的变化情况，发生室的高频电极与引线之间的距离会发生变化，这种变化会导致等离子产生波动，从而导致清洗效果不一致。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种金属带材的等离子清洗装置，其能够改善现有的等离子清洗装置不能满足带材的清洗要求的问题。
[0006]本技术的另外一个目的在于提供一种清洗系统，其包括上述金属带材的等离子清洗装置，其具有该金属带材的等离子清洗装置的全部特性。
[0007]本技术的实施例是这样实现的：本技术的实施例提供了一种金属带材的等离子清洗装置，包括：框体、绝缘间隔件和等离子激发结构；所述等离子激发结构包括高频电极和接地电极，所述高频电极、所述接地电极用于连接高频控制器；所述框体内具有腔室和进气口，所述腔室能够通过所述进气口与外部气源连通，所述高频电极与所述接地电极通过所述绝缘间隔件固定于所述框体，并且所述高频电极与所述接地电极之间的间距均匀；
[0008]所述高频电极设有第一气孔，所述接地电极均布有多个第二气孔，所述进气口与所述腔室、所述第一气孔、所述第二气孔依次连通并形成气体通道，多个所述第二气孔用于均匀出气。
[0009]另外，根据本技术的实施例提供的金属带材的等离子清洗装置，还可以具有如下附加的技术特征：在本技术的可选实施例中，所述绝缘间隔件采用塑料、陶瓷或者玻璃制成。
[0010]在本技术的可选实施例中，所述金属带材的等离子清洗装置包括气源，所述进气口与气源连通；所述气源的气体为氮气、氩气、氦气、氢气、CF4或SF6；或者是，所述气源的气体为氮气、氩气、氦气、氢气、CF4、SF6中的任意两种的混合气体；或者是，所述气源的气
体为氮气、氩气、氦气、氢气、CF4、SF6中的任意三种的混合气体。
[0011]在本技术的可选实施例中，所述高频电极与所述接地电极之间的间距为0.1mm
‑
5mm。
[0012]在本技术的可选实施例中，所述接地电极与待清洗的金属带材具有间距，所述接地电极与待清洗的金属带材之间的间距为1
‑
20mm。
[0013]在本技术的可选实施例中，所述高频电极与所述接地电极均为平板式电极；
[0014]或者是，所述高频电极与所述接地电极均为圆环状电极。
[0015]本技术的实施例提供了一种清洗系统，包括高频控制器、气源和上述任一项所述的金属带材的等离子清洗装置，所述高频控制器与所述高频电极、所述接地电极电连接，所述气源与所述框体的所述进气口连接且能够向所述腔室供气。
[0016]在本技术的可选实施例中，所述金属带材的等离子清洗装置的数量为两个，两个所述金属带材的等离子清洗装置分列于待清洗的金属带材的两侧。
[0017]在本技术的可选实施例中，所述高频电极、所述接地电极的外形为圆环状时，圆环状的所述接地电极的中间区域为清洗空间，所述清洗空间用于容置待清洗的金属带材。
[0018]在本技术的可选实施例中，所述清洗系统还包括输送装置，所述输送装置用于带动金属带材经过所述接地电极的所述第二气孔的出气区域。
[0019]本技术的有益效果是：金属带材的等离子清洗装置通过设置间距相等的高频电极和接地电极，使得二者间的等离子均匀一致，并进一步设计均匀出气的第一气孔、第二气孔，使得金属带材能够被均匀的等离子气体清洗，不因为厚度的不同而导致清洗效果不同，通用性好，对于半导体键合领域有重要意义。通过配合高频控制器、气源形成清洗系统，能够对不同厚度的带材进行连续的等离子清洗，实用性佳。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0021]图1为本技术的实施例1提供的金属带材的等离子清洗装置的结构示意图；
[0022]图2为高频电极、接地电极与高频控制器、金属带材的配合示意图；
[0023]图3为一种清洗系统的示意图；
[0024]图4为另外一种清洗系统的示意图。
[0025]图标：1000
‑
金属带材的等离子清洗装置；1
‑
框体；101
‑
腔室；2
‑
绝缘间隔件；3
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高频电极；4
‑
接地电极；5
‑
等离子气体；6
‑
金属带材；7
‑
第一气孔；8
‑
高频控制器；9
‑
传输滚轮；11
‑
进气口；12
‑
第二气孔；13
‑
清洗空间。
具体实施方式
[0026]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描
述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0027]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0028]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0029]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属带材的等离子清洗装置，其特征在于，包括：框体、绝缘间隔件和等离子激发结构；所述等离子激发结构包括高频电极和接地电极，所述高频电极、所述接地电极用于连接高频控制器；所述框体内具有腔室和进气口，所述腔室能够通过所述进气口与外部气源连通，所述高频电极与所述接地电极通过所述绝缘间隔件固定于所述框体，并且所述高频电极与所述接地电极之间的间距均匀；所述高频电极设有第一气孔，所述接地电极均布有多个第二气孔，所述进气口与所述腔室、所述第一气孔、所述第二气孔依次连通并形成气体通道，多个所述第二气孔用于均匀出气。2.根据权利要求1所述的金属带材的等离子清洗装置，其特征在于，所述绝缘间隔件采用塑料、陶瓷或者玻璃制成。3.根据权利要求1所述的金属带材的等离子清洗装置，其特征在于，所述金属带材的等离子清洗装置包括气源，所述进气口与气源连通；所述气源的气体为氮气、氩气、氦气、氢气、CF4或SF6；或者是，所述气源的气体为氮气、氩气、氦气、氢气、CF4、SF6中的任意两种的混合气体；或者是，所述气源的气体为氮气、氩气、氦气、氢气、CF4、SF6中的任意三种的混合气体。4.根据权利要求1所述的金属带材的等离子清洗装置，其特征在于，所述高频电极与所述接地电极之间的间距为0.1mm
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【专利技术属性】
技术研发人员：张曹，
申请(专利权)人：常州井芯半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：