芯片型固态电解电容器制造技术

本发明专利技术提供了芯片型固态电解电容器。其制作成本低，出现漏电流的现象少，良品率高。其包括表面经蚀刻而上表面、下表面有微孔的铝箔体，所述铝箔体上表面、下表面分别为氧化皮膜层，隔离层将铝箔体分隔为阳极区域及阴极区域，所述阴极区域的氧化皮膜层的上部依次覆盖导电性高分子层、碳胶层、阴极导电胶，其特征在于：在所述阴极区域的氧化皮膜层的上部覆盖导电性高分子层前，所述铝箔体的边缘裸露的铝芯层外表面包覆绝缘层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电容器
，具体为芯片型固态电解电容器。(二)
技术介绍
随着电子设备小型化、微型化的发展，印刷电路板的高密度构装及高效率 需求，芯片型固态电解电容器的发展亦相对快速。 一般的固态电解电容器，主 要系使用铝、钽、铌、钛等金属体，最广泛被使用者为铝及钽，而有铝固态电 解电容及钽固态电解电容。铝固态电解电容器，系将铝箔经由电解蚀刻出表面 带微孔的铝箔金属体，再于铝箔金属体的阴极区域的上表面形成介电氧化皮膜， 而形成如图l所示，上下层带有微孔的氧化皮膜层1、 2;然后，利用切割或冲压等制程将铝箔金属体切割成符合预定大小形状的铝箔单元3(如图2所示)，当 铝箔单元3被切割完成后，其边缘会出现裸露的中间铝心层4。为了避免导电性 高分子层时在形成过程中和裸露的中间铝心层4接触而造成短路，需再对铝箔 单元3进行二次化成(再化成)，以便在中间铝心层4的表面形成氧化皮膜层， 然后，再后续上碳银胶等制程。然而，由于经过冲压或切割等机械加工后，铝 箔单元3的边缘多少会有微裂5、毛边或变形等情形(如图3所示)，再化成时即 会产生氧化皮膜层不易附着或附着不完全等问题，使得在后续制程中的应力破 坏造成漏电流的增加。(三)
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提供了芯片型固态电解电容器，其制作成本低，出 现漏电流的现象少，良品率高。其技术方案是这样的其包括表面经蚀刻而上表面、下表面有微孔的铝箔 体，所述铝箔体上表面、下表面分别为氧化皮膜层，隔离层将铝箔体分隔为阳 极区域及阴极区域，所述阴极区域的氧化皮膜层的上部依次覆盖导电性高分子层、碳胶层、阴极导电胶，其特征在于在所述阴极区域的氧化皮膜层的上部覆盖导电性高分子层前，所述铝箔体的边缘裸露的铝芯层外表面包覆绝缘层。其进一步特征在于所述绝缘层的材质为聚亚酰胺、环氧树脂或硅胶；所 述绝缘层覆盖位于阴极区域的铝箔体的边缘；所述绝缘层呈U形，U形绝缘层 与所述铝箔体的侧部套合连接。本专利技术的上述结构中，绝缘材料包覆铝箔金属体的边缘，边缘表面不平整 而导致成形膜不易附着或附着不完全等问题即可克服解决，这样不仅能降低制 造成本，而且可减少漏电流增加，且包覆绝缘材料包覆铝箔金属体的边缘，可 增强铝箔金属体的边缘受力强度，避免在封装时受到损坏，确保产品的良品率。(四) 附图说明图1为现有固态电解电容器于铝箔的上下层形成微孔氧化皮膜层的剖面图；图2为现有固态电解电容器经切割、冲压后边缘示意图；图3为现有固态电解电容器经切割/冲压后的边缘部份放大示意图；图4为本专利技术的铝箔的上表面、下表面形成微孔氧化皮膜层的剖面示图；图5为本专利技术的铝箔金属体经切割、冲压后的立体示意图-，图6为本专利技术的铝箔金属体表面边缘形成包覆层的分解示图；图7为本专利技术n形绝缘层与铝箔金属体结构关系图。具体实施方式见图4、图5，本专利技术包括表面经蚀刻而上表面、下表面有微孔的铝箔体6， 铝箔体6上表面7、下表面8分别为氧化皮膜层，隔离层11将铝箔体6分隔为 阳极区域12及阴极区域13，阴极区域13的氧化皮膜层的上部依次覆盖导电性 高分子层、碳胶层、阴极导电胶(图6中未表达)，在阴极区域13的氧化皮膜层 的上部覆盖导电性高分子层7前，铝箔体6的边缘裸露的铝芯层外表面14包覆 绝缘层10。绝缘层10的材质为聚亚酰胺、环氧树脂或硅胶；绝缘层10覆盖位 于阴极区域13的铝箔体的边缘；见图7，绝缘层10呈n形，n形绝缘层与铝箔 体6的侧部套合连接。下面结合附图描述本专利技术的加工过程铝箔的表面经电解蚀刻形成表面带微 孔的铝箔体6，铝箔体6的上、下层表面形成氧化皮膜层7、 8，之后，以冲压 或切割等机械加工对铝箔体6进行裁切，以成型出符合预定大小尺寸的铝箔金 属体9 (如图4所示)。氧化皮膜层7、 8以隔离层11隔成阳极区域12与阴极区 域13;然后，经由印刷或涂布等方式，以聚亚酰胺(polyimide)、环氧树脂(印oxy)4或硅胶(silicon)等绝缘材料，在铝箔金属体9的边缘外表面，形成一可将裸露 的铝心层14完全包覆的包覆层10。然后，再依序于铝箔金属体9的上方阴极区域，形成导电性高分子层、碳胶、 银导电胶等后续制程。如此即可避免在形成导电性高分子层时造成短路，并可 减化再化成制程，减少漏电流增加，及降低制造成本。本专利技术形成于铝箔金属体9边缘的包覆层，可为n形包覆层10，亦可和阴极 与阳极的隔离层11同步实施，即在一制作过程中同时完成隔离层11及n形包 覆层IO，以简化制程步骤。本专利技术中的绝缘包覆机构，亦可应用于迭层式固态解电容器，避免迭层阴极 构件在封装时产生变形，维持迭层式固态电解电容器的特性。本文档来自技高网...

【技术保护点】
芯片型固态电解电容器，其包括表面经蚀刻而上表面、下表面有微孔的铝箔体，所述铝箔体上表面、下表面分别为氧化皮膜层，隔离层将铝箔体分隔为阳极区域及阴极区域，所述阴极区域的氧化皮膜层的上部依次覆盖导电性高分子层、碳胶层、阴极导电胶，其特征在于：在所述阴极区域的氧化皮膜层的上部覆盖导电性高分子层前，所述铝箔体的边缘裸露的铝芯层外表面包覆绝缘层。

【技术特征摘要】
1、芯片型固态电解电容器，其包括表面经蚀刻而上表面、下表面有微孔的铝箔体，所述铝箔体上表面、下表面分别为氧化皮膜层，隔离层将铝箔体分隔为阳极区域及阴极区域，所述阴极区域的氧化皮膜层的上部依次覆盖导电性高分子层、碳胶层、阴极导电胶，其特征在于在所述阴极区域的氧化皮膜层的上部覆盖导电性高分子层前，所述铝箔体的边缘裸露的铝芯层外表面包覆绝缘层。2、 根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱继皓，陈明宗，杨乔因，
申请(专利权)人：钰邦电子无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]