一种新型射频功率放大器内匹配电路制造技术

本发明专利技术提供了一种新型射频功率放大器内匹配电路，包括：输入匹配单元，其能够接收并减少输入信号的损耗；射频晶体单元，其与所述输入匹配单元耦接，以对所述输入信号进行放大，并输出放大后的信号；输出匹配单元，其与所述射频晶体单元耦接，能够接收所述放大后的信号，经阻抗变换后进行选频，得到选频信号并输出，本发明专利技术在输出匹配单元内调整内匹配电路，能够在射频功率放大器的二次谐波点形成谐振，降低谐波点的功率性能，使基波处的性能达到最优，实现最大输出功率和最大效率。实现最大输出功率和最大效率。实现最大输出功率和最大效率。

【技术实现步骤摘要】
一种新型射频功率放大器内匹配电路


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种新型射频功率放大器内匹配电路。

技术介绍

[0002]随着无线通信技术的发展，如何高效的进行信号放大和传输一直是需要解决的问题。射频功率放大器是发射系统中的主要部分，随着时代的变迁，通信行业的发展对功放提出了新的要求，尤其是处理多载波无线通信系统，带宽，效率，功率，线性度等要求逐渐提高，因此，如何保证在实现一定带宽的情况下改善功率放大器放大状态下的线性度，成为了目前有研究意义的问题。目前主要采用多赫尔蒂电路拓扑结构，以及在其基础上变换出来的多路doherty形式，主体主要是包括主放大器和峰值放大器，主要是用在基站中以提高功率放大器在回退工作中的效率，使全部输出信号在放大器的线性工作区域内，然而放大器电路受尺寸限制，一般是使用封装好的器件进行独立制版，目前在管壳内部主要是通过增加内匹配电路的方式使其谐振在工作频点，使二次谐波或者倍频信号工作在带外的方式来保证功放的效率，但是带外的谐波信号对通信系统的效率影响较大。
[0003]因此，亟需通过在功放管管壳内部做内匹配电路抑制或者改善谐波。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种新型射频功率放大器内匹配电路，在输出匹配单元内调整内匹配电路，能够在射频功率放大器的二次谐波点形成谐振，降低谐波点的功率性能，使基波处的性能达到最优，实现最大输出功率和最大效率。
[0005]本专利技术实施例提供了一种新型射频功率放大器内匹配电路，包括：
[0006]输入匹配单元，其能够接收并减少输入信号的损耗；
[0007]射频晶体单元，其与所述输入匹配单元耦接，以对所述输入信号进行放大，并输出放大后的信号；
[0008]输出匹配单元，其与所述射频晶体单元耦接，能够接收所述放大后的信号，经阻抗变换后进行选频，得到选频信号并输出。
[0009]优选的是，所述输入匹配单元包括：第一电感，其一端接收输入信号。
[0010]优选的是，所述射频晶体单元采用横向扩散金属氧化物半导体射频晶体管。
[0011]优选的是，所述输出匹配单元采用微带滤波器。
[0012]优选的是，还包括第二电感，其一端连接所述微带滤波器，另一端输出信号。
[0013]优选的是，所述微带滤波器包括：
[0014]微带介质板；
[0015]第一传输主线，其设置在所述微带介质板上，在所述微带介质板上形成开口；
[0016]第二传输主线，其一端与所述第一传输主线连接，且在所述微带介质上形成开口，与所述第一传输主线形成“L”型马刺线结构。
[0017]优选的是，所述微带介质板包括：
[0018]微带介质，其采用二氧化硅制成；
[0019]金属层，其设置在所述微带介质表面，所述金属层采用材料铝制成。
[0020]优选的是，所述第二电感采用键合线电感。
[0021]优选的是，所述射频晶体单元采用横向扩散金属氧化物半导体射频晶体管。
[0022]优选的是，所述第一传输主线和所述第二传输主线通过通过浅沟槽隔离工艺、深沟槽隔离工艺或干法刻蚀工艺形成。
[0023]有益效果
[0024]本专利技术提供了一种新型射频功率放大器内匹配电路，在输出匹配单元内调整内匹配电路，有效改善输出的工作频点，以抑制谐波。
[0025]本专利技术还提供了一种新型射频功率放大器内匹配电路，设置“L”型马刺线结构，能够在射频功率放大器的二次谐波点形成谐振，降低谐波点的功率性能，使基波处的性能达到最优，实现最大输出功率和最大效率。
附图说明
[0026]图1为本专利技术所述的新型射频功率放大器内匹配电路的电路原理图。
[0027]图2为本专利技术所述的输出匹配单元的结构示意图。
[0028]图3为本专利技术所述的微带滤波器的结构示意图。
[0029]图4为本专利技术提供的一个实施例中的新型射频功率放大器内匹配电路仿真结果图。
具体实施方式
[0030]以下由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]需要说明的是，在本专利技术的描述中，术语“中”、“上”、“下”、“横”、“内”等指示的方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所述装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0032]此外，还需要说明的是，在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域技术人员而言，可根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0033]如图1
‑
2所示，基于
技术介绍
提出的技术问题，本专利技术提供了一种新型射频功率放大器内匹配电路，具体包括：输入匹配单元210、射频晶体单元220和输出匹配单元230。
[0034]输入匹配单元210，其能够接收并减少输入信号的损耗；
[0035]射频晶体单元220与输入匹配单元220耦接，以对所述输入信号进行放大，并输出
放大后的信号；
[0036]输出匹配单元230与射频晶体单元220耦接，能够接收所述放大后的信号，经阻抗变换后进行选频，得到选频信号并输出。
[0037]在另一实施例中，新型射频功率放大器内匹配电路的一端设置输入端110，以向输入匹配单元210输入信号，新型射频功率放大器内匹配电路的另一端设置输出端120，以输出信号。
[0038]作为一种优选，输入匹配单元210包括：第一电感211，其一端接收输入信号。需要特别说明的是，射频晶体单元采用横向扩散金属氧化物半导体射频晶体管。输出匹配单元230采用微带滤波器。
[0039]作为一种优选，还包括第二电感240，其一端连接微带滤波器，另一端输出信号。
[0040]需要特别说明的是，通过调整物理结构，使其谐振在RF功率放大器中心工作频点的二次倍频处，使其信号经晶体管放大后经本专利技术提出的微带马刺结构滤除二次谐波后传输到输出端。
[0041]如图3所示，微带滤波器包括：微带介质板231、第一传输主线232和第二传输线233，其中，第一传输主线232设置在微带介质板232上，在微带介质板上形成开口；第二传输主线233，其一端与第一传输主线232连接，且在微带介质231上形成开口，与第一传输主线232形成“L”型马本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型射频功率放大器内匹配电路，其特征在于，包括：输入匹配单元，其能够接收并减少输入信号的损耗；射频晶体单元，其与所述输入匹配单元耦接，以对所述输入信号进行放大，并输出放大后的信号；输出匹配单元，其与所述射频晶体单元耦接，能够接收所述放大后的信号，经阻抗变换后进行选频，得到选频信号并输出。2.根据权利要求1所述的新型射频功率放大器内匹配电路，其特征在于，所述输入匹配单元包括：第一电感，其一端接收输入信号。3.根据权利要求1或2所述的新型射频功率放大器内匹配电路，其特征在于，所述射频晶体单元采用横向扩散金属氧化物半导体射频晶体管。4.根据权利要求3所述的新型射频功率放大器内匹配电路，其特征在于，所述输出匹配单元采用微带滤波器。5.根据权利要求4所述的新型射频功率放大器内匹配电路，其特征在于，还包括第二电感，其一端连接所述微带滤波器，另一端输出信号。6.根据权利要求4所述的新型射频功率放大器...

【专利技术属性】
技术研发人员：任建伟，丛密芳，李科，李永强，宋李梅，赵发展，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：