宽输入范围和低输入电容的放大器制造技术

技术编号:31012912 阅读:35 留言:0更新日期:2021-11-30 00:43
提供宽输入范围和低输入电容的放大器。在某些实施方案中,放大器输入级包括一对输入端子、一对n型输入晶体管、连接在输入端子和n型输入晶体管之间的第一对隔离开关、一对p型输入晶体管、和连接在输入端子和p型输入晶体管之间的第二对隔离开关。放大器输入级还包括控制电路,该控制电路基于检测到的输入端子的共模电压来确定是否将n型输入晶体管和/或p型输入晶体管用于放大。当未使用时,控制电路断开第一对隔离开关以使输入端子与n型输入晶体管解耦,并且当未使用时,控制电路断开第二对隔离开关以使输入端子与p型输入晶体管解耦。离开关以使输入端子与p型输入晶体管解耦。离开关以使输入端子与p型输入晶体管解耦。

【技术实现步骤摘要】
宽输入范围和低输入电容的放大器


[0001]本专利技术的实施方案涉及电子系统,更具体地,涉及放大器。

技术介绍

[0002]某些电子设备采用放大器来放大和/或以其他方式处理信号。当开环工作时,这样的放大器接收输入信号并产生具有比输入信号更大的增益的输出信号。放大器的示例包括但不限于运算放大器,跨阻放大器和跨导放大器。某些放大器以多级配置实现以增强增益和/或其性能。

技术实现思路

[0003]提供宽输入范围和低输入电容的放大器。在某些实施方案中,放大器输入级包括一对输入端子、一对n型输入晶体管、连接在输入端子和n型输入晶体管之间的第一对隔离开关、一对p型输入晶体管、和连接在输入端子和p型输入晶体管之间的第二对隔离开关。放大器输入级还包括控制电路,该控制电路基于检测到的输入端子的共模电压来确定是否将n型输入晶体管和/或p型输入晶体管用于放大。当未使用时,控制电路断开第一对隔离开关以使输入端子与n型输入晶体管解耦,并且当未使用时,控制电路断开第二对隔离开关以使输入端子与p型输入晶体管解耦。以这种方式实现放大器输入级具有许多优点,包括但本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.具有宽输入范围和低输入电容的放大器输入级,该放大器输入级包括:一对输入端子,被配置为接收差分输入信号;一对n型输入晶体管和一对p型输入晶体管;第一对隔离开关,连接在该对n型输入晶体管和该对输入端子之间;和第二对隔离开关,连接在该对p型输入晶体管和该对输入端子之间;和控制电路,被配置为基于该对输入端子的输入共模电压来选择该对n型输入晶体管或该对p型输入晶体管中的至少一个,以放大所述差分输入信号,其中所述控制电路还被配置为在未选择该对n型输入晶体管时断开所述第一对隔离开关,并且在未选择该对p型输入晶体管时断开所述第二对隔离开关。2.权利要求1所述的放大器输入级,还包括:第一对共模偏置开关,被配置为在所述第一对隔离开关断开时向该对n型输入晶体管提供第一共模偏置电压;以及第二对共模偏置开关,被配置为在所述第二对隔离开关断开时向该对p型输入晶体管提供第二共模偏置电压。3.权利要求2所述的放大器输入级,其中所述第一共偏置电压和所述第二共模偏置电压具有不同的电压电平。4.权利要求3所述的放大器输入级,其中所述控制电路被配置为在所述输入共模电压大于所述第一共模偏置电压时从选择该对p型输入晶体管过渡到选择该对n型输入晶体管,并且其中,所述控制电路还被配置为当所述输入共模电压小于所述第二共模偏置电压时从选择该对n型输入晶体管过渡到选择该对p型输入晶体管。5.权利要求1所述的放大器输入级,还包括:第一偏置电流源,被配置为对该对n型输入晶体管进行偏置;和第二偏置电流源,被配置为对该对p型输入晶体管进行偏置,其中所述控制电路还被配置为在未选择该对n型输入晶体管时关闭所述第一偏置电流源,并且在未选择该对p型输入晶体管时关闭所述第二偏置电流源。6.权利要求1所述的放大器输入级,其中所述控制电路还被配置为在所述输入共模电压的上限范围内选择该对n型输入晶体管而不选择该对p型输入晶体管,并且在所述输入共模电压的下限范围内选择该对p型输入晶体管而不选择该对n型输入晶体管。7.权利要求1所述的放大器输入级,还包括:第一开关驱动器,被配置为打开或闭合所述第一对隔离开关;以及第一调压器,被配置为基于感测该对n型输入晶体管的共模电压,为所述第一开关驱动器产生第一对调节电压。8.权利要求7所述的放大器输入级,还包括第二开关驱动器,被配置为打开或闭合所述第二对隔离开关,以及第二调压器,被配置为基于感测该对p型输入晶体管的共模电压,为所述第二开关驱动器产生第二对调节电压。9.权利要求1所述的放大器输入级,还包括:第一输入斩波电路,连接在所述第一对隔离开关与该对n型输入晶体管之间;以及第二输入斩波电路,连接在所述第二对隔离开关与该对p型输入晶体管之间。10.权利要求1所述的放大器输入级,其中该对n型输入晶体管包括均具有彼此连接的源极的第一n型金...

【专利技术属性】
技术研发人员:楠田义宪
申请(专利权)人:美国亚德诺半导体公司
类型:发明
国别省市:

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