一种基于共源共栅放大器的射频移相器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于共源共栅放大器的射频移相器包括共源共栅放大器和电容可调节范围为0法拉至200法拉的可变电容器。其中，共源共栅放大器包括晶体管M1、晶体管M2、输出负载和电源，晶体管M1的源极接地，晶体管M1的漏极连接晶体管M2的源极，晶体管M1的栅极连接信号输入端；晶体管M2的漏极连接信号输出端；输出负载的一端连接在晶体管M2的漏极和信号输出端之间，输出负载的另一端连接电源；可变电容器的一端连接在晶体管M1的漏极和晶体管M2的源极之间，可变电容器的另一端接地。本实用新型专利技术不需要电感、变压器或传输线结构，也不需要多个可变增益放大器，可节省大量面积，节省大量功耗，实现移相器小型化和低功耗。实现移相器小型化和低功耗。实现移相器小型化和低功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种基于共源共栅放大器的射频移相器


[0001]本技术涉及一种射频移相器，具体涉及一种基于共源共栅放大器的射频移相器。

技术介绍

[0002]随着科技进步，移相器集成电路越来越多地应用于射频电路之中。传统的射频移相器包括有源矢量合成移相器和无源移相器。其中，无源移相器需要用到电感、变压器或传输线结构，使得在集成电路中需要大量的芯片面积来实现，并且会引入巨大的损耗；而有源矢量合成移相器则需要多个可变增益放大器，会消耗大量的功耗。

技术实现思路

[0003]本技术所要解决的技术问题是：现有的射频移相器会占用大量芯片面积，且会消耗大量功耗；目的在于：提供一种基于共源共栅放大器的射频移相器，解决现有射频移相器的缺陷。
[0004]本技术通过下述技术方案实现：
[0005]一种基于共源共栅放大器的射频移相器，包括共源共栅放大器和可变电容器。其中，可变电容器的一端连接在共源共栅放大器的共源极和共栅极之间，可变电容器的另一端接地。
[0006]本技术与现有技术相比，仅由共源共栅放大器和可变电容器组成，通过改变可变电容器的电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于共源共栅放大器的射频移相器，其特征在于，包括共源共栅放大器(1)和可变电容器(2)；所述可变电容器(2)的一端连接在所述共源共栅放大器(1)的共源极和共栅极之间，所述可变电容器(2)的另一端接地。2.根据权利要求1所述的一种基于共源共栅放大器的射频移相器，其特征在于，所述共源共栅放大器(1)包括晶体管M1(11)、晶体管M2(12)、输出负载(13)和电源(14)；所述晶体管M1(11)的源极接地，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡晓雪，周翔，敖娜娜，
申请(专利权)人：四川省建筑设计研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：