低温度系统的永磁体技术方案

本发明专利技术涉及永磁材料领域，是一类温度系数低、磁性能高、成本低、原料丰富的新型永磁体，其成份范围（ａｔ％）为：Ｒ５～２０％，Ｒ′０．１～１０％，Ｃｏ５～３５％，Ｂ１～１５％，Ｃｕ０．０１～１０％Ｍ〈１０％，其余为Ｆｅ和不可避免的杂质。该永磁体居里温度。高于５００℃，最大磁能积大于２５ＭＧＯｅ，温度系数低于－０．０２％／Ｃ，可取代ＳｍＣｏ、ＡｌＮｉＣｏ永磁体，并在ＮｄＦｅＢ永磁体由于温度特性差而不能应用的高温度稳定性、高性能领域得以应用。（*该技术在2008年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种低温度系数的永磁体，是按所需的成份配料，用电弧炉或感应炉冶炼成合金锭，再将该合金锭粉碎成一定粒度的粉末，将粉末在＞１５ＫＯｅ的磁场中定向压制成型，成型体在真空或惰性气氛中烧结，然后以一定的速度冷却，并根据不同成份进行不同热处理，其特征在于：所述的合金成份为（按原子百分比）：Ｒ５～２０％，Ｒ为Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｍ六个轻稀土元素的添加总称（至少含有一种轻稀土），Ｒ＇０。１～１０％，Ｒ↑［１］为Ｇｄ、Ｄｙ、Ｙ、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ十个重稀土元素的添加总称（至少含有一种重稀土），Ｃｏ５～３５％，Ｂ１～１５％，Ｃｕ０．０１～１０％，其余为Ｆｅ和不可避免的杂质。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭灿杰，
申请(专利权)人：郭灿杰，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]