【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
作为以往的小型电容器,已经知道是在陶瓷或环氧树脂等具有较大刚性的基板上,形成薄膜电介质层及金属膜构成的电极部分。但是,对于这样的电容器,由于薄膜电介质层或电极部分虽然能够做得很薄,但若这种基板没有一定程度的厚度(例如0.5mm),则有裂开损伤的危险,因此作为电容器要减薄厚度有一定限度,厚度连1mm也没有的产品很难用这样的电容器。作为适应这一要求的电容器,例如日本专利特开平11-97287号公报等所揭示的,有采用厚度为0.1mm一下的具有很大柔性的聚酰亚胺等有机树脂基板等构成的薄膜状柔性基板的电容器。根据这种电容器,即使减薄柔性基板,但由于该柔性基板本身能够弯曲,因此也不会产生裂开损伤,由于能够减薄其厚度,因此作为整个电容器也能够进一步减薄厚度,能够用于厚度为1mm左右的IC卡或1mm一下厚度的薄型产品。这种电容器例如图23(a)至(c)所示那样制造。首先,如图23(a)所示,从具有很大柔性的薄膜状柔性基板101的两侧面至上表面,形成相互具有间隙102并称为非导通状态的下部电极103及外部引出电极104。然后,横跨下部电极103及外部引出电极104,在它们的上表面形成电介质105后;如图23(b)所示,在电介质105的与外部引出电极104对应位置,贯通形成接触孔用的孔105a,在包含该孔105a的电介质105上形成上部电极106,使上部电极106与外部引出电极104导通。另外,在这以后,根据需要在它们的上面形成保护层107。通过这样,如图23(c)所示,构成用下部电极103与上部电极106夹住电介质105而形成电容量的电容器。 ...
【技术保护点】
一种铁基稀土类合金纳米复合磁体粉末,其特征是:组成式为(Fe↓[1-m]T↓[m])↓[100-x-y-z]Q↓[x]R↓[y]Ti↓[z]M↓[n](T是选自Co和Ni的1种以上的元素,Q是至少1种选自B和C的元素,R是至少1种选自稀土类金属元素和钇的元素,M是至少1种选自Nb、Zr、Mo、Ta和Hf的元素), 组成比x、y、z、m和n分别满足 10<x≤25 原子% 6≤y<10 原子% 0.1≤z≤12 原子% 0≤m≤0.5 0≤n≤10 原子% 用喷雾法制作,并且含有两种以上的强磁性晶相,硬磁性相的平均尺寸在10nm以上200nm以下,软磁性相的平均尺寸在1nm以上100nm以下。
【技术特征摘要】
JP 2001-7-31 2001-2315601.一种电容器,其特征在于,包括柔性基板、在所述柔性基板上形成相互具有间隙并成为非导通状态的上部电极连接用的外部引出电极及下部电极、横跨所述外部引出电极的上表面及所述下部电极的上表面形成的电介质、以及夹住所述电介质与所述下部电极相对配置的上部电极,在所述电介质中形成从面对所述上部电极的下表面一侧起向面对所述外部引出电极的上表面一侧倾斜并贯通的孔,在所述电介质孔的倾斜壁面上,从该倾斜壁面的下端部至上端部,至少一部分设置相对于所述外部引出电极的上表面的倾斜角度在0.1度至20度的范围内连续的部分,所述上部电极沿所述电介质孔的倾斜壁面倾斜且下凹形成,与所述外部引出电极的的上表面连接。2.如权利要求1所述的电容器,其特征在于,在电介质孔的倾斜壁面上设置其上端拐角向下方的倾斜角度及其下端拐角向上方的倾斜角度分别为0.1度至20度的部分。3.如权利要求1或2所述的电容器,其特征在于,电介质孔是从面对上部电极的一侧向面对外部引出电极的一侧以倒圆锥形状或倒角锥形状贯通的形状。4.如权利要求1至3任一项所述的电容器,其特征在于,在上部电极形成沿电介质孔的倾斜壁面倾斜的倾斜面,在该上部电极的倾斜面上,从该倾斜面的下端部至上端部,至少一部分设置相对于所述外部引出电极的上表面的倾斜角度在0.1度至20度的范围内连续的部分。5.如权利要求4所述的电容器,其特征在于,在上部电极的倾斜面上设置其上端拐角向下方的倾斜角度及其下端拐角向上方的倾斜角度分别为0.1度至20度的部分。6.一种电容器制造方法,其特征在于,包括在柔性基板上形成上部电极连接用的外部引出电极及下部电极使其相互具有间隙并成为非导通状态的外部引出电极及下部电极形成工序;横跨所述外部引出电极的上表面及所述下部电极的上表面形成电介质的电介质形成工序;在所述电介质的与所述外部引出电极对应的位置是贯通形成使其壁面的至少一部分倾斜的孔、并且这时从所述倾斜壁面的下端部至上端部至少一部分设置相对于所述外部引出电极的上表面的倾斜角度在0.1度至20度的范围内连续的部分的孔形成工序;以及在包含所述孔的所述电介质上形成上部电极并使该上部电极与所述外部引出电极导通的上部电极形成工序。7.如权利要求6所述的电容器制造方法,其特征在于,在孔形成工序中,在使掩膜距离电介质隔开规定间隔的状态下,通过掩膜的孔使等离子流透过,通过这样在电介质中形成孔。8.如权利要求6或7所述的电容器制造方法,其特征在于,在孔形成工序中,在掩膜与电介质之间隔着隔膜。9.如权利要求7所述的电容器制造方法,其特征在于,在孔形成工序中,一面使掩膜移动,一面通过掩膜的孔使等离子流透过,通过这样在电介质中形成孔。10.一种电容器,其特征在于,包括柔性基板、在所述柔性基板上形成相互具有间隙并成为非导通状态的上部电极连接用的外部引出电极及下部电极、横跨所述外部引出电极的上表面及所述西部电极的上表面形成的电介质、以及夹住所述电介质与所述下部电极相对配置的上部电极,所述电介质的位于所述外部引出电极上方的壁面的至少一部分形成为从面对上部电极的下表面一侧向面对所述外部引出电极的上表面一侧向下方倾斜,在所述电介质的倾斜壁面上,从该倾斜壁面的下端部至上端部,至少一部分设置相对于所述外部引出电极的上表面的倾斜角度在0.1度至20度的范围内连续的部分,所述上部电极沿所述电介质的倾斜壁面倾斜形成,其下端部与所述外部引出电极的上表面连接。11.如权利要求10所述的电容器,其特征在于,在电介质的倾斜壁面上设置其上端拐角向下方的倾斜角度及其下端拐角向上方的倾斜角度分别为0.1度至20度的部分。12.如权利要求10或11所述的电容器,其特征在于,在上部电极形成沿电介质的倾斜壁面倾斜的倾斜面,在该上部电极的倾斜面上,从该倾斜面的下端部至上端部,至少一部分设置相对于所述外部引出电极的上表面的倾斜角度在0.1度至20度的范围内连续的部分。13.如权利要求12所述的电容器,其特征在于,在上部电极的倾斜面上设置其上端拐角向下方的倾斜角度极其下端拐角向上方的倾斜角度分别为0.1度至20度的部分。14.一种电容器制造方法,其特征在于,具有在柔性基板上形成上部电极连接用的外部引出电极及下部电极使其相互具有间隙并成为非导通状态的外部引出电极及下部电极形成工序;横跨所述外部引出电极的上表面及所述下部电极的上表面形成电介质的电介质形成工序;在所述电介质的与所述外部引出电极对应的位置形成亲写壁面、并且这时从该倾斜壁面的下端部至上端部至少一部分设置相对于所述外部引出电极的上表面的倾斜角度在0.1度至20度的范围内连续的部分的倾斜壁面形成工序;以及在包含所述倾斜壁面的所述电介质上形成上部电极并使该上部电极与所述外部引出电极导通的上部电极形成工序。15.一种电容器,其特征在于,包括柔性基板、在所述柔性基板上形成相互具有间隙并成为非导通状态的上部电极连接用的外部引出电极及下部电极、以及在所述下部电极的上方位置不别隔着电介质形成多层并通过向外部引出电极或下部电极一侧延伸的倾斜下延部分及连接部分与外部引出电极或下部电极连接的多个上部电极,各上部电极直接下方的电介质的面对倾斜下延部分的壁面形成为从面对该上部电极的下表面一侧向面对所述外部引出电极或下部电极的上表面一侧向下方倾斜,在全部电介质的倾斜壁面上,从该倾倾壁面的下端部至上端部,至少一部分设置相对于所述外部引出电极及下部电极的上表面的倾斜角度在0.1度~20度的范围内连续的部分。16.如权利要求15所述的电容器,其特征在于,在各电介质的倾斜壁面上设置其上端拐角向下方的倾斜角度及其下端拐角向上方的倾斜角度分别为0.1度至20度的部分。17.如权利要求15或16所述的电容器,其特征在于,在各上部电极的倾斜下延部分,从该倾斜下延部分的下端部至上端部,至少一部分设置相对于所述外部引出电极及下部电极的上表面的倾斜角度在0.1度至20度的范围内连续的部分。18.如权利要求17所述的电容器,其特征在于,在各上部电极的倾斜下延部分设置其上端拐角向下方的倾斜角度及其下端拐角向上方的倾斜角度分别为0.1度至20度的部分。19.一种电容器制造方法,其特征在于,包括在柔性基板上形成上部电极连接用的外部引出电极及下部电极使其相互具有间隙并成为非导通状态的外部引出电极及下部电极形成工序;以及在所述下部电极的上方位置分别隔着电介质形成多层上部电极、并且将各上部电极通过向外部引出电极或下部电极一侧延伸的倾斜下延部分及连接部分与外部引出电极或下部电极连接的电介质及上部电极形成工序,在所述电介质及上部电极形成工序中,各上部电极直接下方的电介质的面对倾斜下延部的壁面从面对该上部电极的下表面一侧向面对所述外部引出电极或下部电极的上表面一侧向下方倾斜,在全部电介质的倾斜壁面上,从该倾斜壁面的下端部至上端端,至少一部分设置相对于所述外部引出电极及下部电极的上表面的倾斜角度在0.1度至20度的范围内连续的部分,这样形成所述电介质的倾斜壁面。20.如权利要求14或19所述的电容器制造方法,其特征在于,在形成电介质倾斜壁面的工序中,在使掩膜距离电介质隔开规定间隔的状态下进行溅射。21.如权利要求20所述的电容器制造方法,其特征在于,在形成电介质倾斜端部壁面的工序中,在掩膜与电介质之间隔着隔膜。22.如权利要求20所述的电容器制造方法,其特征在于,在形成电介质倾斜端部壁面的工序中,...
【专利技术属性】
技术研发人员:三次敏夫,金清裕和,广泽哲,
申请(专利权)人:株式会社新王磁材,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。