一种具有隔离结构的氮化镓集成电路制造技术

本发明专利技术属于功率半导体技术，特别涉及一种具有隔离结构的氮化镓集成电路，相对于传统的凹槽隔离，本发明专利技术在凹槽隔离结构内填充有p型半导体材料，填充的p型半导体材料与缓冲层形成耗尽区，实现对氮化镓集成电路模块的电学隔离；同时通过改变凹槽结构和填充物的形状、大小以及填充材料的掺杂浓度，可以与缓冲层形成不同大小和形状的耗尽区域,达到理想的隔离效应。本发明专利技术的效应效果：通过对缓冲层的耗尽可以达到良好的隔离效果；制备简单，实用性强，不引入额外的电流源或电压源。引入额外的电流源或电压源。引入额外的电流源或电压源。

【技术实现步骤摘要】
一种具有隔离结构的氮化镓集成电路


[0001]本专利技术属于半导体功率集成电路
，特别涉及一种具有隔离结构的氮化镓集成电路。

技术介绍

[0002]氮化镓(GaN)作为宽禁带半导体材料，具有宽禁带(3.4eV)、高热导率(～2.0W/(cm
·
K))、高电子饱和速度(～2.7
×
107cm/s)、高的临界击穿电场(～3.5
×
106V/cm)、高电子迁移率(～2000cm2/V
·
s)，利用氮化镓自发极化效应和AlGaN/GaN异质结结构的压电极化效应，制备出的异质结场效应晶体管(HFET)，可以形成具有高电子密度的二维电子气沟道(非人为掺杂下沟道二维电子气面密度高达10
13
cm
‑2量级)。凭借上述氮化镓优异材料特性，基于GaN材料制备的电子电力器件和电路在具有比硅和砷化镓器件更强的高温工作、抗辐照能力的同时，还具有极低导通损耗和高的电流密度，在射频、消费电子、航空航天、轨道交通等高频、小体积、高功率等场景下都具有广泛的应用前景。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有隔离结构的氮化镓集成电路，所述集成电路由第一器件(09)和第二器件(10)集成在同一衬底(01)上构成，所述第一器件(09)和第二器件(10)的结构相同，均包括从下到上依次设置的衬底(01)、缓冲层(02)、沟道层(03)、势垒层(04)，其中沟道层(04)和势垒层(04)形成异质结结构；所述势垒层(04)上表面两端设置有第一金属(05)，在第一金属(05)之间的势垒层(04)上表面具有绝缘层(07)，绝缘层(07)上表面设置有第二金属(06)；在第一器件(09...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙瑞泽，罗攀，刘超，陈万军，
申请(专利权)人：电子科技大学广东电子信息工程研究院，
类型：发明
国别省市：