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本发明属于功率半导体技术，特别涉及一种具有隔离结构的氮化镓集成电路，相对于传统的凹槽隔离，本发明在凹槽隔离结构内填充有p型半导体材料，填充的p型半导体材料与缓冲层形成耗尽区，实现对氮化镓集成电路模块的电学隔离；同时通过改变凹槽结构和填充物的...
该专利属于电子科技大学广东电子信息工程研究院所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学广东电子信息工程研究院授权不得商用。

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