磁阻效应磁头及其制造方法技术

一种磁阻效应磁头，其特征在于，具有：形成于基片上的下部磁屏蔽层，在上述下部磁屏蔽层上形成的磁畴控制底层、具有形成在上述磁畴控制底层上的底层、自由层、非磁性层、固定层及固定上述固定层的磁化方向的反强磁性层的多层膜，形成于上述磁畴控制底层上、与上述自由层的磁道宽度方向两端部接触、而且对上述自由层进行磁畴控制的磁畴控制膜，供给上述多层膜以电流的一对电极膜和形成于上述多层膜及上述电极膜上的上部磁屏蔽层。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
图2是由ABS面见到的专利文献1(日本特开2002-151755号公报)的磁阻效应磁头的传感器部分的断面图。首先，如图2所示，多层膜L由在底层1上的自由层2、非磁性层3、固定层4、反强磁性层5和覆盖层6组成。另外，在下部绝缘间隙层8的中央部分形成隆起部分8a，从隆起部分8a的磁道宽度方向的两侧端面起形成在磁道宽度方向延长的延伸部8b。而在隆起部8a上叠层形成多层膜L。进而，在从延伸部8b上方多层膜L的磁道宽度方向的两端面上形成由Cr等材料制成的磁畴控制底层9，而在磁畴控制底层9上形成磁畴控制膜10。磁畴控制底层9用于提高上述磁畴控制膜10的磁特性(矫顽力等)。而且，在磁畴控制膜10上形成电极膜11。在此，使自由层2的磁化在磁道宽度方向上一致，利用由磁畴控制膜10产生的偏置磁场，控制自由层2的磁畴。图3(a)是示意表示现有的磁阻效应磁头的传感器部分的磁量、偏置磁场Hb1，自由层反磁场Hd及相互交换作用Jex的图。在如图3(a)所示的现有结构中，在自由层的左右两端产生磁量，在自由层内部产生与自由层的磁化方向相反方向的反磁场Hd。因而使磁畴控制变得困难。为了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁阻效应磁头，其特征在于，具有形成于基片上的下部磁屏蔽层，在上述下部磁屏蔽层上形成的磁畴控制底层、具有形成在上述磁畴控制底层上的底层、自由层、非磁性层、固定层及固定上述固定层的磁化方向的反强磁性层的多层膜，形成于上述磁畴控制底层上、与上述自由层的磁道宽度方向两端部接触、而且对上述自由层进行磁畴控制的磁畴控制膜，供给上述多层膜以电流的一对电极膜和形成于上述多层膜及上述电极膜上的上部磁屏蔽层。2.一种磁阻效应磁头，其特征在于，具有形成在基片上的下部磁屏蔽层、形成在上述磁屏蔽层上的磁畴控制底层，具有形成于上述磁畴控制底层上的底层、自由层、非磁性层、固定层及固定上述固定层的磁化方向的反强磁性层的多层膜，形成于上述磁畴控制底层上、与上述自由层的磁道宽度方向两端部接触、而且对上述自由层进行磁畴控制的磁畴控制膜，形成于上述磁畴控制膜上的绝缘膜和形成于上述多层膜及上述绝缘膜上的上部磁屏蔽层。3.根据权利要求1或2所述的磁阻效应磁头，其特征在于上述磁畴控制底层由Cr、Ti、W、Mo、V、Mn、Nb、Ta中选择的任何一种或两种以上的非磁性材料形成。4.根据权利要求1-3中任何一项所述的磁阻效应磁头，其特征在于将上述磁畴控制膜的膜厚定义为tUL时，与由上述磁畴控制底层的上端部和上述磁畴控制膜的最下部的距离定义的OM之间的关系为0≤OM≤tUL5.根据权利要求1-4中任何一项所述的磁阻效应磁头，其特征在于上述tUL和上述OM的关系为0.8≤OM≤(tUL...

【专利技术属性】
技术研发人员：淡河纪宏，小岛修一，冈崎幸司，重松惠嗣，田岛康成，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：