【技术实现步骤摘要】
对准标记的形成方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种对准标记的形成方法。
技术介绍
[0002]随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3D NOR(3D或非)闪存和3D NAND(3D与非)闪存。
[0003]其中，3D NAND存储器以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度，高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。
[0004]晶圆键合是半导体制造过程中的一个重要步骤。但是，当前的晶圆键合工艺中，由于键合对准标记本身的缺陷，导致键合过程中不能准确的识别对准标记，从而易出现对准偏差甚至是错位，影响晶圆键合质量。
[0005]因此，如何提高对准标记识...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种对准标记的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：形成对准图案和环绕所述对准图案外周分布的介质层，所述对准图案包括呈周期性排布的多个第一重复结构单元，所述第一重复结构单元用于增大所述对准图案与所述介质层之间的反射率差；获取所述对准图案的对准反射率、以及所述介质层的介质反射率；判断所述对准反射率与所述介质反射率之间的差值是否高于预设值，若是，则以所述对准图案作为所述对准标记。2.根据权利要求1所述的对准标记的形成方法，其特征在于，形成对准图案和环绕所述对准图案外周分布的介质层的具体步骤包括：提供衬底，所述衬底上具有半导体层；形成覆盖所述半导体层的所述介质层；于所述介质层中形成所述对准图案。3.根据权利要求2所述的对准标记的形成方法，其特征在于，于所述介质层中形成所述对准图案的具体步骤包括：于所述介质层中定义多个主体区域；于每个所述主体区域中形成呈周期性排布的多个所述第一重复结构单元。4.根据权利要求1所述的对准标记的形成方法，其特征在于，形成对准图案和环绕所述对准图案外周分布的介质层的具体步骤包括：提供衬底，所述衬底上具有半导体层；形成位于所述半导体层上方的所述对准图案、顶层互连层和所述介质层。5.根据权利要求4所述的对准标记的形成方法，其特征在于，形成位于所述半导体层上方的所述对准图案、顶层互连层和所述介质层的具体步骤包括：形成覆盖所述半导体层的介质层；于所述介质层中形成所述对准图案和所述顶层互连层。6.根据权利要求4所述的对准标记的形成方法，其特征在于，形成位于所述半导体层上方的所述对准图案、顶层互连层和所述介质层的具体步骤包括：形成覆盖所述半导体层的介质层；于所述介质层中形成所述顶层互连层；形成覆盖所述介质层的隔离层；于所述隔离层中形成所述对准图案，在沿垂直于所述半导体层的顶面的方向上，所述介质层的投影环绕所述对准图案的投影的外周分布。7.根据权利要求4所述的对准标记的形成方法，其特征在于，形成位于所述半导体层上方的所述对准图案、顶层互连层和所述介质层的具体步骤包括：于所述半导体层上方定义多个主体区域；于每个所述主体区域中形成呈周期性排布的多个所述第一重复结构单元。8.根据权利要求3或7所述的对准标记的形成方法，其特征在于，呈周期性排布的多个所述第一重复结构单元填充满所述主体区域。9.根据权利要求1所述的对准标记的形成方法，其特征在于，所述第一重复结构单元的材料为第一金属材料，所述第一金属材料在预设波长光线照射下能够发生金属偶极谐振。
10.根据权利要求1所述的对准标记的形成方法，其特征在于，所述第一重复结构单元的形状为圆形、椭圆形或者任意多边形。11.根据权利要求1所述的对准标记的形成方法，其特征在于，所述介质层中具有环绕所述对准图案外周、且呈周期性排布的多个第二重复结构单元，所述第二重复结构单元与所述第一重复结构单元对预设波长光线的反射率不同。12.根据权利要求11所述的对准标记的形成方法，其特征在于，所述第二重复结构单元的材料为第二金属材料，所述第二金属材料在预设波长光线照射下能够发生金属偶极谐振。13.根据权利要求1所述的对准标记的形成方法，其特征在于，获取所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：王思聪，于洪浩，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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