筛查存在漏电通路的MOS器件的方法技术

本发明专利技术提供筛查存在漏电通路的MOS器件的方法，包括：读入待筛查的版图文件，获取所述版图文件中的MOS器件信息；利用预设的漏电通路筛查模块判断MOS器件是否存在漏电通路；将判断结果为存在漏电通路的MOS器件，作为筛查得到的MOS器件。步骤简洁，利于提高器件真实电学特性的分析的效率，筛查结果的可靠性高。有利于降低工艺研发成本，解决了人工检查费时和易产生疏漏的问题，当MOS器件数量较多时，利用漏电通路筛查模块进行自动化筛查的优势尤为明显；避免了器件真实电学特性的分析中存在的不利因素。利因素。利因素。

【技术实现步骤摘要】
筛查存在漏电通路的MOS器件的方法


[0001]本专利技术属于半导体设计和制造
，尤其涉及一种筛查存在漏电通路的MOS器件的方法。

技术介绍

[0002]半导体行业中，芯片最终能否正常工作是备受关注的，从电路构成来看，芯片是由器件组成的，器件自身的电学特性对于整个芯片也就至关重要了。器件的电学特性可以通过仿真来初步获取，通过仿真得到是仿真(Simulation)数据；芯片生产后对器件测量得到的是测试(Silicon)数据。将仿真数据与测试数据进行比较(S2S)。通过比较，验证仿真数据的准确性并辅助判断测试数据的正确性。仿真数据如果可以准确反映器件的真实电学特性，那么就可以用于设计新型器件、旧器件改良，取代耗费成本的硅片实验，降低成本，缩短开发周期和提高成品率。
[0003]对于MOS器件，实际应用中会根据需求选择特定的目标器件，将其连接到可测试的电路中，进行测试，对比分析其仿真数据和测试数据。其中常见问题是：一个测试结构对应只有特定的目标器件的gate(栅极)是有信号接入的，其他的MOS器件都是floating gate(浮栅)，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.筛查存在漏电通路的MOS器件的方法，其特征在于：包括：步骤一.读入待筛查的版图文件，获取所述版图文件中的MOS器件信息；步骤二.利用预设的漏电通路筛查模块判断MOS器件是否存在漏电通路；其中所述漏电通路筛查模块中定义有MOS器件是否存在漏电通路的判断条件；步骤三.将判断结果为存在漏电通路的MOS器件，作为筛查得到的MOS器件。2.根据权利要求1所述的筛查存在漏电通路的MOS器件的方法，其特征在于：所述判断条件包括：若某MOS器件的源端和/或漏端与其他MOS器件的源端和/或漏端连接在一起，则判断该MOS器件是存在漏电通路的MOS器件。3.根据权利要求1所述的筛查存在漏电通路的MOS器件的方法，其特征在于：当需要指定所述版图文件中需要筛查的MOS器件时，所述步骤二中还包括确定所述版图文件中需要筛查的MOS器件为筛查目标器件，并定位所述筛查目标器件；在所述版图文件中添加筛查标识层，将所述筛查目标器件的筛查信息添加到所述筛查标识层；所述筛查信息包括：表征所述筛查目标器件的坐标信息和形状信息；所述步骤二中只判断所述筛查标识层中的所述筛查目标器件是否存在漏电通路。4.根据权利要求1
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3任意一项所述的筛查存在漏电通路的MOS器件的方法，其特征在于：所述步骤三中，还将筛查得到的MOS器件作为目标器件；在所述版图文件中添加第一标识层，所述第一标识层中添加有用于定位所述目标器件的第一信息；所述第一信息包括：表征所述目标器件的源端和/或漏端与其他MOS器件的源端和/或漏端存在连接的M0连接线的坐标信息和形状信息；其中，所述M0连接线用于连接MOS器件的有源区或栅极；所述步骤三之后，利用所述第一标识层对所述目标器件进行处理和分析。5.根据权利要求4所述的筛查存在漏电通路的MOS器件的方法，其特征在于：对所述目标器件进行处理和分析包括修正所述目标器件，使其不存在漏电通路；修正的方法包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：王莹雪，方益，
申请(专利权)人：杭州广立微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：