数字磁存储单元装置交换耦合层系统的均匀磁化方法制造方法及图纸

本发明专利技术系关于一种均质磁化数字磁存储位置装置交换耦合层系统的方法，其包括ＡＡＦ（仿反铁磁））层系统及交换耦合该ＡＡＦ层系统层的反铁磁层之使用。当该反铁磁层的磁化方向被决定时，该ＡＡＦ层系统的该磁性层于磁场饱和及之后，该反铁磁层磁化的方向及该饱和磁场的方向彼此的方向被改变，由此系在相对于彼此为０度＜α＜１８０度的角度α，于是该饱和磁场被关闭。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术系关于一种均质磁化数字磁存储单元装置交换耦合层系统之方法，数字磁存储单元装置包括AAF层系统及交换耦合AAF层系统层的层之反铁磁层。此种数字存储单元装置用于以磁性基准储存信息，个别存储单元装置一般为存储装置，一般亦称之为MRAM(磁性随机存取内存)，的一部份。此种内存可进行读取及/或写入操作。每一个别存储单元装置包括由中间层与硬磁参考层系统分开的软磁读取及/或写入层系统，其形成为AAF系统，在本存储单元装置形式的情况下，参考层系统的参考层之磁化为稳定的且在施用场不会改变，当软磁读取及/或写入层系统的磁化可藉由施用场被切换时，该两个磁性层系统可以平行或逆平行方式相关于彼此被磁化。在每一情况，该两个先前提及的状态表示一位信息，亦即逻辑零(“0”)或一(“1”)状态。若该两层的磁化之相对位向由平行变化为逆平行，或反之，则在此层结构上该磁阻变化数个百分点，此在阻抗的改变可被使用以读取储存于存储单元的数字资料，在该单元阻抗的变化可由电压变化被辨识。做为实例，在电压增加的情况下，该单元可由逻辑零(“0”)占据，及在电压减少的情况下，该单元可由逻辑一(“1”)占据。在GMR形式(巨本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种均质磁化数字磁存储单元装置交换耦合层系统之方法，其包括ＡＡＦ层系统及交换耦合该ＡＡＦ层系统层的反铁磁层，其特征在于已知该反铁磁层的磁化之经订定方向，该ＡＡＦ层系统的该磁性层于磁场被饱和及之后，该反铁磁层磁化的方向之位置及该饱和磁场彼此的方向被改变，故它们系在相对于彼此为０°＜α＜１８０°的角度α，之后该饱和磁场被关闭。

【技术特征摘要】
DE 2001-11-12 10155424.91.一种均质磁化数字磁存储单元装置交换耦合层系统之方法，其包括AAF层系统及交换耦合该AAF层系统层的反铁磁层，其特征在于已知该反铁磁层的磁化之经订定方向，该AAF层系统的该磁性层于磁场被饱和及之后，该反铁磁层磁化的方向之位置及该饱和磁场彼此的方向被改变，故它们系在相对于彼此为0°＜α＜180°的角度α，之后该饱和磁场被关闭。2.根据权利要求第1项的方法，其特征在于介于60°至120°的角度α，特别是90°，被设定。3.根据权利要求第1或2项的方法，其特征在于为进行设定该角度的目的，该存储单元装置可关于固定磁场被旋转。4.根据权利要求第1或2项的方法，其特征在于为进行设定该角度的目的，该磁场可关于该固定存储单元装置被移动。5.根据权利要求第1或2项的方法，其特征在于为进行设定该角度的目的，该...

【专利技术属性】
技术研发人员：H布雷克，U克洛斯特曼恩，J维克，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[]