【技术实现步骤摘要】
基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法
[0001]本专利技术涉及光电子器件领域,具体而言,本专利技术涉及基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法。
技术介绍
[0002]目前VCSEL芯片(垂直腔面发射激光器)在生产过程中,采用整面溅射电镀种子层的TiW金属和Au金属,在电镀工艺后,需要将非电镀区域的种子层TiW金属和Au金属去除干净。然而,现有的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法仍有待改进。
技术实现思路
[0003]本申请是基于专利技术人对以下事实和问题的发现而提出的:
[0004]原理上,Au金属可以采用KI溶液进行湿法刻蚀作业;TiW金属可以使用双氧水或含氟试剂进行湿法刻蚀,亦可采用氟基ICP干法刻蚀作业去除;但在上述作业流程中会出现以下问题:
[0005]1、采用KI溶液湿法刻蚀Au金属+双氧水或含氟试剂湿法刻蚀TiW金属的方案:
[0006]由于湿法刻蚀存在各项同性的特点,KI溶液腐蚀Au金属层会出现少量的侧蚀;之后,用双氧水或含氟 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法,其特征在于,所述VCSEL芯片包括:外延结构,以及形成在所述外延结构上的电镀种子层,所述电镀种子层包括TiW层和Au层,所述外延结构与所述电镀种子层之间具有SiN钝化层;所述方法包括:(1)对所述Au层进行第一湿法刻蚀;其中,所述第一湿法刻蚀利用KI溶液进行;(2)对所述TiW层进行ICP干法刻蚀和第二湿法刻蚀,完成所述电镀种子层金属的刻蚀;其中,所述第二湿法刻蚀利用双氧水或含氟试剂进行。2.根据权利要求1所述的基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法,其特征在于,所述KI溶液的浓度为10%~30%。3.根据权利要求1所述的基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法,其特征在于,所述第一湿法刻蚀进行的时间为1min~3min。4.根据权利要求1所述的基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法,其特征在于,所述干法ICP刻蚀的操作条件包括:使用30sccm~70sccm的氟基气体、30sccm~70sccm的惰性气体,在100W~500W的上电极ICP功率下进行电离,提供反应所需的等离子体;在20W~60W的下电极bias功率下,制...
【专利技术属性】
技术研发人员:王健军,江蔼庭,王青,赵风春,
申请(专利权)人:华芯半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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