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基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法技术
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下载基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法的技术资料
文档序号:31081903
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本发明公开了基于SiN钝化层保护的VCSEL芯片电镀种子层金属刻蚀方法。所述VCSEL芯片包括:外延结构,以及形成在所述外延结构上的电镀种子层,所述电镀种子层包括TiW层和Au层,所述外延结构与所述电镀种子层之间具有SiN钝化层;所述方法包...
该专利属于华芯半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华芯半导体科技有限公司授权不得商用。
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