体声波谐振结构及其制造方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种体声波谐振结构及其制造方法，其中，所述体声波谐振结构包括：衬底；依次层叠于衬底上的第一电极层、反射结构、压电层和第二电极层；其中，所述压电层中设置有环状的凹槽；所述凹槽处于有源区内，且靠近所述有源区的边缘。近所述有源区的边缘。近所述有源区的边缘。

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振结构及其制造方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体领域，特别涉及一种体声波谐振结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]体声波(BAW，Bulk Acoustic Wave)谐振器(或称为“体声波谐振结构”)具有体积小、品质因数(Q值)高等优点，因此，被广泛应用在移动通讯技术中，如移动终端中的滤波器或双工器。而在移动终端中，存在多个频段同时使用的情况，这要求滤波器或双工器具有更加陡峭的裙边和更小的插入损耗。滤波器的性能由构成它的波谐振器决定，提高谐振器的Q值可以实现陡峭的裙边和小的插入损耗。同时，寄生谐振过大也会对滤波器或双工器的性能造成不好的影响。如何减小寄生谐振同时提高体声波谐振器的Q值成为亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术实施例提供一种体声波谐振结构及其制造方法。
[0004]本专利技术实施例一方面提供了一种体声波谐振结构，包括：衬底；依次层叠于衬底上的第一电极层、反射结构、压电层和第二电极层；其中，压电层中设置有环状的凹槽；凹槽处于有源区内，且靠近有源区的边缘。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振结构，其特征在于，包括：衬底；依次层叠于衬底上的第一电极层、反射结构、压电层和第二电极层；其中，所述压电层中设置有环状的凹槽，所述凹槽处于有源区内，且靠近所述有源区的边缘。2.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述凹槽的外轮廓包括封闭的形状，所述封闭的形状包括一条弧线及两条或两条以上的直线。3.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述凹槽的数量包括多个，多个凹槽沿第一方向依次排布，所述第一方向包括由所述有源区的边缘指向所述有源区的中部的方向。4.根据权利要求3所述的谐振结构，其特征在于，所述凹槽的数量包括三个。5.根据权利要求3所述的谐振结构，其特征在于，所述多个凹槽的开口深度均小于所述压电层的厚度，且所述多个凹槽中每个凹槽的开口深度沿所述第一方向依次递减、或沿所述第一方向依次递增、或部分相同、或全部相同。6.根据权利要求5所述的谐振结构，其特征在于，所述多个凹槽中每个凹槽的开口深度沿所述第一方向依次递减。7.根据权利要求6所述的谐振结构，其特征在于，所述凹槽的数量包括N个；N个凹槽中沿所述第一方向的第i个凹槽的开口深度为：(N
‑
i+1)*H/(N+1)；其中，所述N为大于1的正整数，所述i为正整数，且1≤i≤N，所述H为所述压电层的厚度。8.根据权利要求5所述的谐振结构，其特征在于，所述多个凹槽中每个凹槽的开口深度沿所述第一方向依次递增；所述凹槽的数量包括N个；N个凹槽中沿所述第一方向的第i个凹槽的开口深度为：i*H/(N+1)，其中，所述N为大于1的正整数，所述i为正整数，且1≤i≤N，所述H为所述压电层的厚度。9.根据权利要求5所述的谐振结构，其特征在于，所述多个凹槽中每个凹槽的开口深度相同；所述多个凹槽中每个凹槽的开口深度范围均为：1/2H～H；其中，所述H为压电层的厚度。10.根据权利要求3所述的谐振结构，其特征在于，一个凹槽包括多个子凹槽；多个子凹槽一起形成环状；多个子凹槽中每个子凹槽的开口深度相同。11.根据权利要求10所述的谐振结构，其特征在于，多个子凹槽中每个子凹槽的截面形状包括长条形、圆形或者椭圆形。12.根据权利要求10所述的谐振结构，其特征在于，所述子凹槽的开口宽度与相邻子凹槽间的间距均不等于所述压电层中产生的侧向波的高次谐波的半波长的整数倍。13.根据权利要求12所述的谐振结构，其特征在于，所述子凹槽的开口宽度范围为：0.05um～10um；所述相邻子凹槽间的间距范围为：0.05um～10um。14.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述凹槽的开口朝向所述压电层的顶面、或者所述凹槽的开口朝...

【专利技术属性】
技术研发人员：张大鹏，高智伟，林瑞钦，段志，
申请(专利权)人：武汉衍熙微器件有限公司，
类型：发明
国别省市：