碳化硅复合MOS器件及碳化硅复合MOS器件的制作方法技术

本发明专利技术公开了碳化硅复合MOS器件及碳化硅复合MOS器件的制作方法。本发明专利技术中，在第一腔室中将碳化硅外延片通入温度为T1的硅烷气氛中t1分钟，使所述碳化硅表面形成硅膜层；在第二腔室中，将所述硅膜层在温度为T2的氧气氛中进行热氧化，氧化时长为t2分钟，使硅膜层氧化成二氧化硅层；重复S1和S2，直到所述二氧化硅层的厚度达到预设阈值。对碳化硅外延片的上表面进行第一次氧化处理，得到第一氧化层，并在所述第一氧化层的上表面沉积高介电常数介质层；本发明专利技术中，综合以上优点，在相同的功率等级下，设备中功率器件的数量、散热器的体积、滤波元件体积都能大大减小，同时效率也有大幅度的提升。升。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅复合MOS器件及碳化硅复合MOS器件的制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，特别是涉及碳化硅复合MOS器件及碳化硅复合MOS器件的制作方法。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)是一种多数载流子导电的单极型电压控制器件，具有开关速度快、高频性能好、反向电压高等优点。因此，在高性能的开关电源、电机控制、智能电网、电动汽车、轨道交通领域获得越来越多的应用。现有的普通型SiC MOS器件，由于其内在设计结构和工艺制程限制，其栅极、源极之间抗电压击穿能力较弱，容易遭受异常高脉冲电压或静电击穿而损坏，器件可靠性差。并且由于碳化硅MOS器件栅氧化层与衬底SiC界面态的影响，使得其栅源之间正反向击穿电压值不一样，即栅源反向击穿电压远低于栅源正向击穿电压(Si衬底的MOS器件的栅源之间正反向击穿电压值一样)。在电力电子行业的发展过程中，半导体技术起到了决定性作用。其中，功率半导体器件一直被认为是电力电子设备的关键组成部分。随着电力电子技术在工业、医疗、交通、消费等行业的广泛应用，功率半导体器件直本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.碳化硅复合MOS器件及碳化硅复合MOS器件的制作方法，其特征在于：包括：S1、在第一腔室中将碳化硅外延片通入温度为T1的硅烷气氛中t1分钟，使所述碳化硅表面形成硅膜层；S2、在第二腔室中，将所述硅膜层在温度为T2的氧气氛中进行热氧化，氧化时长为t2分钟，使硅膜层氧化成二氧化硅层；S3、重复S1和S2，直到所述二氧化硅层的厚度达到预设阈值。S5、对碳化硅外延片的上表面进行第一次氧化处理，得到第一氧化层，并在所述第一氧化层的上表面沉积高介电常数介质层；S6、对由所述碳化硅外延片和所述高介电常数介质层构成的层叠结构进行退火处理；S7、在所述退火处理之后的所述高介电常数介质层的上表面制备栅电极，得到碳化硅MOS器件。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一腔室和第二腔室位于同一炉体中，且互相导通。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述T1的范围为：600℃≤T1≤1000℃；所述t1的范围为：30≤t1≤40。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：江涛，周义，夏晨阳，李蒙华，
申请(专利权)人：北京瑞思高科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：