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本发明公开了碳化硅复合MOS器件及碳化硅复合MOS器件的制作方法。本发明中，在第一腔室中将碳化硅外延片通入温度为T1的硅烷气氛中t1分钟，使所述碳化硅表面形成硅膜层；在第二腔室中，将所述硅膜层在温度为T2的氧气氛中进行热氧化，氧化时长为t2...
该专利属于北京瑞思高科微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京瑞思高科微电子有限公司授权不得商用。

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