【技术实现步骤摘要】
半导体封装方法及半导体封装结构
[0001]本申请涉及一种半导体
,尤其涉及一种半导体封装方法及半导体封装结构。
技术介绍
[0002]目前,在封装过程中,常常将具有不同功能的裸片封装在一个封装结构中,以形成特定作用,被称为MCM(英文全称:multi-chip module,中文名称:多芯片模块封装结构)。MCM具有体积小,可靠性高,高性能和多功能化等优势。
[0003]随着电子设备小型轻量化,具有紧凑结构、小体积的芯片封装体受到越来越多的市场青睐。
[0004]另外,芯片在工作过程中,会产生热量,如果产生的热量不及时散出,将会对芯片的工作效率以及使用寿命产生不良影响。有效的将芯片工作中积累的热量散出,是保证芯片的持续高效运行的基础。
[0005]然而,如何进一步减小芯片封装体的体积并有效散热是本领域有待解决的一个难题。
技术实现思路
[0006]本申请的一个方面提供一种半导体封装方法,其包括:
[0007]提供包封有第一待封装裸片和金属散热片的包封结构件,所述第一待封 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装方法,其特征在于,其包括:提供包封有第一待封装裸片和金属散热片的包封结构件,所述第一待封装裸片的正面形成有第一保护层,所述金属散热片包括第一部分、第二部分、以及连接于第一部分与第二部分之间的连接部,所述金属散热片的第一部分紧贴所述第一待封装裸片的背面,所述金属散热片的第二部分和所述第一待封装裸片的第一保护层露出于所述包封结构件的第一表面;在所述包封结构件的第一表面上形成第一再布线层,所述第一再布线层与所述第一待封装裸片的正面的焊垫电连接;形成第一介电层,所述第一介电层形成于所述第一再布线层以及露出的所述包封结构件的第一表面、所述第一待封装裸片的第一保护层以及所述金属散热片的第二部分上,且将正面形成有第二保护层的第二待封装裸片通过所述第一介电层固定在所述包封结构件的第一表面中的所述金属散热片的第二部分上,所述第二待封装裸片的背面紧贴所述金属散热片的第二部分;在所述第一介电层远离所述包封结构件的一面上形成第二再布线层,所述第二再布线层与所述第一再布线层以及所述第二待封装裸片的正面的焊垫均电连接;形成第二介电层,所述第二介电层在形成于第二再布线层以及露出的所述第一介电层和所述第二待封装裸片的第二保护层上。2.如权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,在形成第一介电层,所述第一介电层形成于所述第一再布线层以及露出的所述包封结构件的第一表面、所述第一待封装裸片的第一保护层以及所述金属散热片的第二部分上,且将正面形成有第二保护层的第二待封装裸片通过所述第一介电层固定在所述包封结构件的第一表面中的所述金属散热片的第二部分上,所述第二待封装裸片的背面紧贴所述金属散热片的第二部分中,所述半导体封装方法包括:在所述第一再布线层以及露出的所述包封结构件的第一表面、所述第一待封装裸片的第一保护层以及所述金属散热片的第二部分上施加所述第一介电层;初步加热所述第一介电层后,将正面形成有所述第二保护层的所述第二待封装裸片通过所述第一介电层施加到所述包封结构件的第一表面中对应于所述金属散热片的第二部分的位置;继续加热所述第一介电层,所述第一介电层受热固化,所述第二待封装裸片随着所述第一介电层固化到所述包封结构件的第一表面中对应于所述金属散热片的第二部分的位置,所述第二待封装裸片的背面紧贴所述金属散热片的第二部分。3.如权利要求2所述的半导体封装方法,其特征在于,所述初步加热的时间为30秒~60秒,温度为80度~120度;所述继续加热的时间为1小时~4小时,温度为190度~200度。4.如权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,在所述包封结构件的第一表面上形成第一再布线层之前,所述半导体封装方法包括:在第一待封装裸片的正面形成所述第一保护层,在所述第一保护层上形成第一保护层开口,所述第一保护层开口位于所述第一待封装裸片的焊垫处;将正面形成有所述第一保护层的所述第一待封装裸片和所述金属散热片贴装于载板上,所述第一待封装裸片的背面朝上,正面朝向所述载板,所述金属散热片的第一部分紧贴
所述第一待封装裸片的背面,所述金属散热片的第二部分,所述第二部分贴装于载板上;通过包封层覆盖在所述第一待封装裸片、所述金属散热片以及露出的所述载板上,形成所述包封结构件;剥离所述载板,露出带有所述第一待封装裸片的正面和所述金属散热片的第二部分的所述包封结构件的第一表面。5.如权利要求4所述的半导体封装方法,其特征在于,在形成所述包封结构件之后,剥离所述载板之前,所述半导体封装方法包括:减薄所述包封结构件中远离所述载板的第二表面,露出所述金属散热片的第一部分中远离所述第一待封装裸片的一面。6.如权利要求4所述的半导体封装方法,其特征在于,在将正面形成有所述第一保护层的所述第一待封装裸片和所述金属散热片贴装于载板上中,所述半导体封装方法包括:将正面形成有所述第一保护层的所述第一待封装裸片贴装于载板上;在所述第一待封装裸片的背面形成第一金属连接层;在第一金属连接层上涂覆第一导热胶;及,将所述金属散热片贴装于载板上,所述金属散热片的第一部分位于所述第一金属连接层之上,且通过所述第一导热胶与所述第一金属连接层连接,所述金属散热片的第二部分贴装于载板上;或者,所述半导体封装方法包括:将正面形成有所述第一保护层的所述第一待封装裸片贴装于载板上;在所述第一待封装裸片的背面涂覆第一导热胶;及,将所述金属散热片贴装于载板上,所述金属散热片的第一部分位于所述第一金属连接层之上,且通过所述第一导热胶与所述第一金属连接层连接,所述金属散热片的第二部分贴装于载板上。7.如权利要求4所述的半导体封装方法,其特征在于,在将正面形成有所述第一保护层的所述第一待封装裸片和所述金属散热片贴装于载板上之前,所述半导体封装方法包括:研磨所述第一待封装裸片的背面。8.如权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,在将正面形成有第二保护层的第二待封装裸片...
【专利技术属性】
技术研发人员:周辉星,
申请(专利权)人:矽磐微电子重庆有限公司,
类型:发明
国别省市:
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