半导体存储装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术的实施方式提供一种能够优选地制造的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：衬底；导电层，在与衬底的表面交叉的第1方向上离开衬底而设置；及存储结构，在相对于第1方向垂直且包含导电层的一部分的第1面，外周面被导电层包围。存储结构具备：绝缘层；n(n为3以上的自然数)个半导体层，设置于导电层与绝缘层之间，在第1面彼此离开；及栅极绝缘膜，在第1面设置于导电层与n个半导体层之间。在第1面，将通过使到导电层的距离最短的绝缘层的外周面上的点且外接于绝缘层的正n角形的范围设为第1范围的情况下，n个半导体层设置于第1范围的内侧。于第1范围的内侧。于第1范围的内侧。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置
[0001][相关申请案][0002]本申请享受以日本专利申请2020
‑
140651号(申请日：2020年8月24日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。


[0003]本实施方式涉及一种半导体存储装置。

技术介绍

[0004]已知有一种半导体存储装置，其具备：衬底；多个栅极电极，积层于与所述衬底的表面交叉的方向；半导体层，与所述多个栅极电极对向；及栅极绝缘层，设置于栅极电极及半导体层之间。

技术实现思路

[0005]实施方式提供一种能够优选地制造的半导体存储装置。
[0006]一实施方式的半导体存储装置具备：衬底；导电层，在与衬底的表面交叉的第1方向上离开衬底而设置；及存储结构，在相对于第1方向垂直且包含导电层的一部分的第1面，外周面被导电层包围。存储结构具备：绝缘层；n(n为3以上的自然数)个半导体层，设置于导电层与绝缘层之间，在第1面彼此离开；及栅极绝缘膜，在第1面设置于导电层与n个半导体层之间。在第1面，将通过到导电层的距离最短这样的绝缘层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：衬底；导电层，在与所述衬底的表面交叉的第1方向上离开所述衬底而设置；及存储结构，在相对于所述第1方向垂直且包含所述导电层的一部分的第1面，外周面被所述导电层包围；且所述存储结构具备：绝缘层；n个半导体层，设置于所述导电层与所述绝缘层之间，在所述第1面彼此离开，其中n为3以上的自然数；及栅极绝缘膜，在所述第1面设置于所述导电层与所述n个半导体层之间；且在所述第1面，将通过使到所述导电层的距离最短的所述绝缘层的外周面上的点且外接于所述绝缘层的正n角形的范围设为第1范围的情况下，所述n个半导体层设置于所述第1范围的内侧。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于具备：多个所述存储结构，在所述第1面，外周面被所述导电层包围；且所述导电层包含直线配线部，所述直线配线部设置于所述多个存储结构中的2个之间，沿构成与所述2个存储结构的所述第1范围对应的所述正n角形的2条边延伸，与所述2个存储结构相接。3.一种半导体存储装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：山根孝史，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：新型
国别省市：