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本实用新型的实施方式提供一种能够优选地制造的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：衬底；导电层，在与衬底的表面交叉的第1方向上离开衬底而设置；及存储结构，在相对于第1方向垂直且包含导电层的一部分的第1面，外周面被导电层包围。存储结构...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

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