一种三相可控电抗器制造技术

技术编号:3106772 阅读:332 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种三相可控电抗器,包括三个主绕组、三个控制绕组、以及由上、下铁轭以及固定与上、下铁轭之间的三根铁芯柱构成的铁芯,其特征在于:所述铁芯柱具有轴向穿孔,控制绕组的绕线穿过穿孔轴向绕在铁芯柱上,主绕组的绕线周向绕在铁芯柱上。本发明专利技术通过调节控制绕组中的直流电流的大小来改变铁芯中控制绕组和主绕组重叠区域的磁畴方向来改变电抗器的电抗值,具有结构简单,损耗小,电压、容量连续,平滑可调节范围宽,无谐波线性好,检修方便的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电抗器,尤其涉及一种三相可控电抗器
技术介绍
三相可控电抗器是电力系统中的电压控制和无功补偿的重要装置,广泛地应用输配电;电网电压、无功潮流控制;改善系统稳定性和增加传输功率;超高压电网工频和操作过电压限制;系统接地电流补偿(消弧线圈);大功率整流系统的谐波抑制等方面。现有的三相可控电抗器主要有这几类1、调气隙式;这种可控电抗器主要是通过调节气隙的方式来调节电抗器的电抗值。因为这种调节方式是机械方式,所以这种电抗器具有体积大、调节响应时间慢、噪声大、谐波多等缺点。2、调可控硅式这种可控电抗器主要是通过控制可控硅的导通角来调节电抗器的电抗值,具有连续调节的作用,但谐波和噪声都比较大。3、磁阀式利用自藕直流励磁控制铁芯的饱和程度,实现对补充电流的连续调节,体积大、谐波特别大,噪声大。
技术实现思路
本专利技术的专利技术目的是提供一种结构简单、损耗小,谐波小,检修方便的三相可控电抗器以克服现有技术存在的不足。为了实现上述专利技术目的,本专利技术一种三相可控电抗器,包括三个主绕组、三个控制绕组、以及由上、下铁轭以及固定与上、下铁轭之间的三根铁芯柱构成的铁芯,其特征在于所述铁芯柱具有轴向穿孔,控制绕组的绕线穿过穿孔轴向绕在铁芯柱上,主绕组的绕线周向绕在铁芯柱上。上述的铁芯柱为圆形铁芯柱,所述穿孔为圆形穿孔。采用上述技术方案,可以通过调节控制绕组中的直流电流的大小来改变铁芯中控制绕组和主绕组重叠区域的磁畴方向来改变电抗器的电抗值,具有结构简单,损耗小,电压、容量连续,平滑可调节范围宽,无谐波线性好,检修方便的优点。附图说明下面结合附图和具体实施方式,对本专利技术进行详细说明图1为本专利技术的结构示意图;图2为本专利技术主绕组和控制绕组在铁芯柱上的绕制示意图。具体实施例方式如图1和图2所示,一种三相可控电抗器,包括上、下铁轭11、12,三个圆形铁芯柱13,三个主绕组14,三个控制绕组15构成。其中,该上、下铁轭11、12中间通过螺栓固定三个圆形铁芯柱13构成该三相可控电抗器的铁芯,三个圆形铁芯柱13都具有轴向的圆形穿孔16。控制绕组14的绕线穿过圆形穿孔16轴向绕在铁芯柱13上,主绕组15的绕线周向绕在铁芯柱13上。上述主绕组14的两端通以交流电,在铁芯柱13产生主磁通,控制绕组15两端通以直流电,在铁芯柱13也会产生控制磁通,主磁通和控制磁通在铁芯柱中控制绕组和主绕组重叠区域正交通过,该重叠区域的磁饱和程度决于主磁通和控制磁通在这两处的矢量和,铁芯柱13重叠区域内的磁畴方向发生了改变。因此,通过调节控制绕组15内直流大小就可以改变重叠区域的磁饱和程度,从而改变铁芯柱13的磁导率,达到最终连续、平滑调节电抗器电抗值的目的。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三相可控电抗器,包括三个主绕组、三个控制绕组、以及由上、下铁轭以及固定与上、下铁轭之间的三根铁芯柱构成的铁芯,其特征在于:所述铁芯柱具有轴向穿孔,控制绕组的绕线穿过穿孔轴向绕在铁芯柱上,主绕组的绕线周向绕在铁芯柱上。

【技术特征摘要】
1.一种三相可控电抗器,包括三个主绕组、三个控制绕组、以及由上、下铁轭以及固定与上、下铁轭之间的三根铁芯柱构成的铁芯,其特征在于所述铁芯柱具有轴向穿孔,控制绕...

【专利技术属性】
技术研发人员:薛建科
申请(专利权)人:上海追日电气有限公司
类型:发明
国别省市:31[]

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