混合型片上片下变压器和射频识别系统技术方案

技术编号:3106322 阅读:188 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及混合型片上片下变压器和射频识别系统,包括片下线圈部分和片上线圈部分。片下线圈部分从第一参考源产生第一电磁信号。当片上线圈部分在片下线圈的近侧耦合距离之内时,片上线圈部分从第一电磁信号产生第二电磁信号。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通信系统,更具体地说,涉及一种在通信系统中使用的变压器。
技术介绍
人们知道通信系统可支持在无线和/或有线通信设备间的无线和有线通信 系统。这些通信系统的范围从国内和/或国际蜂窝电话系统到因特网到家庭内 部的点到点无线网络。每种通信系统都按照一个或多个通信标准来构建和工 作。例如,无线通信系统可根据一个或多个标准来工作,包括但不限于IEEE802.11、蓝牙、先进移动电话服务(AMPS)、数字AMPS、全球移动通信 系统(GSM)、码分多址(CDMA)、本地多点分布式系统(LMDS)、多信道 多点分布式系统(MMDS)、射频识别(RFID)和/或这些系统的各种变型。根据无线通信系统的类型,无线通信设备如蜂窝电话、对讲机、个人数字 助理(PDA)、个人电脑(PC)、笔记本电脑、家庭娱乐设备、RFID阅读器、 RFID标签等直接或间接地与其他无线通信设备进行通信。对于直接通信来说(也叫做点到点通信),参加通信的无线通信设备将它们的接收器和发射器调 到相同的信道(例如,无线通信系统的若干射频(RF)载波中的一个或某种 系统的特定RF频率)和在此信道(若干信道)上进行通信。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种混合型片上片下变压器,其特征在于,包括:    片下线圈部分,从参考源产生第一电磁信号;并且    片上线圈部分,当片上线圈部分在片下线圈部分的接近耦合距离范围内时,从第一电磁信号耦合产生第二电磁信号。

【技术特征摘要】
US 2006-9-28 11/529,0551、一种混合型片上片下变压器,其特征在于,包括片下线圈部分,从参考源产生第一电磁信号;并且片上线圈部分,当片上线圈部分在片下线圈部分的接近耦合距离范围内时,从第一电磁信号耦合产生第二电磁信号。2、 根据权利要求1所述的混合片上片下变压器,其特征在于,此片上线 圈部分包括在多层集成电路的晶粒中的至少一层的盘绕多次的线圈,此处,近侧耦合 距离提供了第一电磁信号的、相对于多层集成电路的晶粒中的至少一层的基本 上垂直的电磁场。3、 根据权利要求1所述的混合片上片下变压器,其特征在于,片上芯片 线圈部分包括在多层集成电路上的至少一层的盘绕多次的第一线圈,此处,近侧耦合距 离向所述盘绕多次的第一线圈提供了所述第一电磁信号的、相对于多层集成电 路晶粒中的至少一层的基本垂直的电磁场;并且在多层集成电路上的至少一层的盘绕多次的第二线圈,此处,近侧耦合距 离向所述盘绕多次的第二线圈提供了所述第一电磁信号的、相对于多层集成电 路晶粒中的至少一层的基本垂直的电磁场,此处所述第一和第二多次盘绕线圈 提供所述第二电磁信号。4、 根据权利要求1所述的混合片上片下变压器,其特征在于,片上线圈 部分包括在多层集成电路晶粒上的至少一层的盘绕多次的多个线圈,此处,近侧耦 合距离向所述盘绕多次的多个线圈提供了所述第一电磁信号的、相对于多层集 成电路晶粒中的至少一层的基本垂直的电磁场。5、 根据权利要求1所述的混合片上片下变压器,其特征在于,片上线圈 部分包括在多层集成电路上的至少一层的盘绕多次的第一若干线圈,此处,近侧耦合距离向所述盘绕多次的多个线圈提供了所述第一4磁信号的、相对于多层集成电路晶粒中的至少一层的基本垂直的电磁场;并且,在多层集成电路上的至少一层的盘绕多次的第二若干线圈,此处,近侧耦 合距离向所述盘...

【专利技术属性】
技术研发人员:阿玛德雷兹罗弗戈兰
申请(专利权)人:美国博通公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利