积层式陶金变阻器制造技术

本发明专利技术公开了一种积层式陶金变阻器，其具有一主体部份，分别从主体部份的两侧端延伸到主体部份内部的内电极，设于主体部份两端的端电极等部份，相对的内电极之间所重叠的作用区域，其氧化物的摩尔百分比予以降低，由金、银、钯、铂、铑等金属，或其任两者之合金所取代。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种变阻器，特别涉及一种积层式陶金变阻器，其作用区域具有金属相的积层式陶金变阻器。
技术介绍
现有积层式变阻器，如图1与图2所示，包括一主体部份10，分别从主体部份的两侧端延伸到主体部份10内部的内电极101、102、103、……，设于主体部份两端的端电极20，以及设于主体顶面的被覆层30，其中，主体部份系以90％以上摩尔(mole％)的氧化锌(ZnO)为主成分，混合10％摩尔(mole％)以下的其它金属，诸如钴(Co)、锰(Mn)、铋(Bi)、锑(Sb)、铬(Cr)、镍(Ni)、钛(Ti)、锡(Sn)、镧(La)、钕(Nd)、镨(Pr)、钡(Ba)、镁(Mg)、铈(Ce)、硼(Bi)等的氧化物作为添加剂，以硝酸铅[Al2(NO3)x]、玻璃(Glass)、二氧化硅(SiO2)等为烧结助剂(flux)，以金(Au)、银(Ag)、钯(Pd)、铂(Pt)、铑(Rh)等金属，或其任两的合金作为内电极(internal electrode)101……。上述的现有积层式变阻器，其相对的内电极101、102；103、104之间的重迭区域A、B、C，即是″作用区域″，作用区域具有可变式的电阻作用，同时兼具电容特性。而作用区域的结构乃如图2所示，氧化锌(ZnO)晶粒1001、1002、……，乃紧密布列于两个内电极101与102；102与103；103与104相重迭的区域之间，晶粒外围的晶界(grain boundary)，即为钴(Co)、锰(Mn)、铋(Bi)、锑(Sb)、铬(Cr)、镍(Ni)、钛(Ti)、锡(Sn)、镧(La)、钕(Nd)、镨(Pr)、钡(Ba)、镁(Mg)、铈(Ce)、硼(Bi)、铑(Rh)等的氧化物所填充。由上述的说明，可以知道现有积层式变阻器，其作用区域的物质，皆为金属氧化物，或是金属氧化物与玻璃，并无任何金属相(metal phase)的存在，故其崩溃电压高。还有，现有积层式变阻器，制成很薄时，承受电流的强度低，若电流较高或有突波、火花时，即会烧掉；而且，制造上述现有积层式变阻器的设备昂贵，制造的员工也必需要水平很高，训练不易又费时，这也是其所延伸之一缺点。有鉴于现有积层式变阻器有上述缺失，本专利技术人乃针对该些缺失研究改进之道，经长时间研究终有本专利技术产生。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种积层式陶金变阻器，依本专利技术的此种积层式陶金变阻器，其作用区域中氧化物的摩尔百分比予以降低，而降低的部份由金(Au)、银(Ag)、钯(Pd)、铂(Pt)、铑(Rh)等金属，或其任两者之合金取代，而同样利用积层的制程制作成具变阻特性的积层变阻器组件。依本专利技术的此种积层式陶金变阻器，其因为作用区域中具有金属相的存在，故其崩溃电压可得降低，而其强度也可得提高，此为本专利技术的次一目的。本专利技术是采用以下技术手段实现的一种积层式陶金变阻器，其具有一主体部份，分别从主体部份的两侧端延伸到主体部份内部的内电极，设于主体部份两端的端电极等部份，相对的内电极之间所重迭的作用区域，其氧化物的摩尔百分比予以降低而由金、银、钯、铂、铑等金属，或其任两者之合金所取代。本专利技术与现有技术相比具有明显的优势和有益效果依本专利技术的此种积层式陶金变阻器，其无需利用制造现有积层式陶金变阻器的设备来制造，其制造设备的成本、员工训练的成本，可大为降低以外，其优良率也可大为提高。从上所述可知，本专利技术的此种积层式陶金变阻器确实具有强度更高、崩溃电压较低、制造更简单的功效，采用的材料，其成本较低，而所制作的积层式陶金变阻器，仍然具有变阻器的特性，而因为具有银-钯合金，其强度大为提高。附图说明图1为现有积层式变阻器的结构立体部份截面说明图；图2为现有积层式变阻器的纵截面图；图3为现有积层式变阻器作用区域的结构示意图；图4为本专利技术的积层式陶金变阻器的作用区域显微图；图5为本专利技术的积层式陶金变阻器的作用区域进一步的显微放大图；图6为本专利技术的积层式陶金变阻器的作用区域结构示意图；图7为现有的积层式陶金变阻器与本专利技术的积层式陶金变阻器的电流-电压特性曲线图。具体实施例方式下面结合具体实施例对本专利技术做进一步详细说明。请参阅图4与图5所示，本专利技术的此种积层式陶金变阻器，其特征在于降低作用区域中氧化物的摩尔百分比，而降低部份由金(Au)、银(Ag)、钯(Pd)、铂(Pt)、铑(Rh)等电极金属，或其任两者之合金取代，而利用积层制造制作如图1与图2所示，具有变阻特性的积层组件，经过900℃～1400℃的烧结(sintering)成为致密的烧结体，使得作用区域的金相为较少甚至没有的玻璃、金属氧化物晶粒与金属晶粒所共同组合而成的结构。如此，氧化锌(ZnO)晶粒乃获得减少，其情形如图6的结构示意图所示。实施例以氧化锌(ZnO)92.89％摩尔、氧化钴(Co3O4)0.34％摩尔、氧化锰(Mn3O4)0.48％摩尔、三氧化二铬(Cr2O3)0.29％摩尔、三氧化二锑(Sb2O3)1.17％摩尔、氧化镍(NiO)0.78％摩尔、氧化镨(Pr6O11)0.08％摩尔、银-钯70/30合金[(Ag/Pd)70/30]3.96％，利用积层制程制作而得的积层电阻组件，其电流-电压特性曲线如图7的第II曲线所示。比较说明以氧化锌(ZnO)96.32％摩尔、三氧化二铋(Bi2O3)0.51％摩尔、氧化钴(Co3O4)0.35％摩尔、氧化锰(Mn3O4)0.51％摩尔、三氧化二铬(Cr2O3)0.30％摩尔、三氧化二锑(Sb2O3)1.21％摩尔、氧化镍(NiO)0.81％摩尔，制作现有的积层式陶金变阻器，其电流-电压特性曲线如图7的第I曲线所示。从以上的实施例与比较例可知，实施例所采用的材料，其成本较低，而所制作的积层式陶金变阻器，仍然具有变阻器的特性，而因为具有银-钯合金，其强度大为提高。最后应说明的是以上实施例仅用以说明本专利技术而并非限制本专利技术所描述的技术方案；因此，尽管本说明书参照上述的各个实施例对本专利技术已进行了详细的说明，但是，本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本专利技术进行修改或等同替换；而一切不脱离专利技术的精神和范围的技术方案及其改进，其均应涵盖在本专利技术的权利要求范围当中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种积层式陶金变阻器，其具有一主体部份，分别从主体部份的两侧端延伸到主体部份内部的内电极，设于主体部份两端的端电极部份，其特征在于：相对的内电极之间所重迭的作用区域，其氧化物的摩尔百分比予以降低，降低的部分由金、银、钯、铂、铑等金属，或其任两者之合金所取代。

【技术特征摘要】
1.一种积层式陶金变阻器，其具有一主体部份，分别从主体部份的两侧端延伸到主体部份内部的内电极，设于主体部份两端的端电极部份，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘世宽，冯辉明，
申请(专利权)人：佳邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]