浪涌吸收管制造技术

本实用新型专利技术涉及浪涌吸收管，它包括外壳，电极柱，引线，其特征是电极柱之间具有一单面涂有导电物的阶梯状塔形管芯。 该吸收管可广泛用于各种电子线路，吸收由于各种原因产生的浪涌电波，并兼有过电压保护作用。（*该技术在2004年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电子元器件，特别是一种浪涌吸收管(MF surge absorber)。已知的浪涌吸收管是一种由一微小沟槽分割导电膜的结构构成，这种浪涌吸收管不能自由地选择开关电压，因此，应用大大地受到限制。US4，727，350公开了一种浪涌吸收管，它包括一个包有导电膜的圆柱形管芯，所述的导电膜上具有交叉的微小沟槽，外层封有玻壳。这种结构的吸收管应用范围加大了。但是这一结构加工较难，体积较大，特别是工作速度慢，从而还是不能满足实际需要。为了克服现有技术的不足之处，本技术的目的在于提供一种结构简单，性能优良，工作速度快之新型浪涌吸收管。本技术的目的是按如下技术方案达到的本技术涉及一种浪涌吸收管(以下简称MF吸收管)，它包括外壳，电极柱，同该电极柱相联的引线或接点，其特征是所述电极柱之间具有一单面涂有导电物或非导电物的阶梯形状塔形管芯。所述的管芯是陶瓷片或单晶硅。导电物是酸化碳膜、铝膜，非导电物是多晶硅。该吸收管的气室是注入惰性气体或氮气的气室。该吸收管的工作电压为140伏至700伏。该吸收管的放电发光时间为≤0.03秒。所述的MF吸收管可采用玻封或塑封制得，即其外壳是玻封壳或塑封壳。所述的MF吸收管可被广泛地应用在高难电子技术线路中。如用于大储量高速运算的电子计算机中作为复位复零的重要元件。它能彻底解决计算机显示器或其他电器由于频繁闪灭断通而产生的浪涌电波造成的对电器本身的影响。另外，还可用于电话机，收音机，传真机，和一切家用电器、电脑控制的电子产品中。它还兼有过电压保护作用。它是解决破坏性巨大的静电产生的不良后果的高效电子元器件。附图简要说明附图说明图1是本技术浪涌吸收管的结构图；图2是本技术浪涌吸收管的结构图；图3是本技术浪涌吸收管管芯的一种结构图；图4是本技术浪涌吸收管管芯的另一种结构图；以下将结合附图和实施例详细描述本技术参见图1，本技术之MF吸收管，包括一外壳，通常为玻璃外壳1，镀镁电极柱2，同该电极柱相联的两条引线3，或者是一无引线的接点或接头(见图2)；在所述的电极柱之间具有一同一个电极柱端相联接的管芯6，该管芯为阶梯结构(stepped structure)，其阶梯的低层较宽，顶层窄，呈塔形(tower－like shape)排列。在该管芯的塔形表面涂有导电物层5。该阶梯结构的底是绝缘层。当管芯为单晶硅是，其表面涂层为非导电层。在密封的外壳内，两电极柱之间形成一充满惰性气体的气室4。优选是氩气。本技术是利用电能转化光能，消耗吸收电能的原理制成的一种高效吸收高电压杂波，浪涌脉冲的二极管。MF吸收管在反应特性的本质上不同于发光二极管。MF吸收管的发光是瞬间的，而发光二极管或放电管的发光现象是由大亮度逐渐转弱至熄灭。通常，管芯表面积愈大，气室容积愈大，其电－光能转化速度则愈快。参见图3和4，所述的MF吸收管管芯采用了阶梯结构，它可是多个相联的并依秩减小的立方体或圆柱体等。这种结构大大地增加了管芯导电物层A同气室内气体的接触面积，加快其电能转化成光能的速度。这种所述的转化速度同MF管的技术性能直接相关。此种结构的FM吸收管比仅是一个立方体的吸收管的反应速度提高了十几倍到几十倍，从而降低了MF吸收管在电器中应用时的失效率。本技术中采用的芯片用陶瓷片或单晶硅制成，在陶瓷片或单晶的表面上用蒸发镀膜的方式镀上导电物酸化碳膜或金属铝，在单晶硅的表面上镀上非导电物多晶硅。参见图3，可见其镀膜形成两个垂直方向的导电物面A和B，C为绝缘层。实施例一选用国际上标准的DO－41型的二极管玻壳，其内径是约1.65mm，采用具有本技术结构的管芯，其大小为适用于DO－35型的内径尺寸，即管芯底部直径或四边形的对角线为约0.72mm，采用本领域技术人员公知的方法，在氩气状态下，加压密封该玻壳，制成所述的MF浪涌吸收管，称管1。该吸收管的技术性能见表1。实施例二 － 六采用本方法可以按不同需要制成一系列的浪涌吸收管。采用与实施例一相同的方法制备另外五种本技术之浪涌吸收管，称管2－6。它们的技术性能和环境特性试验结果分别见表1和表2。表1直流放电绝缘电阻静电容寿命放电发光时间始电压 (次数)发光始电压 (IR) (1KH-6V (500PF ts (us)Vs(V) Ω Max) 10KV/500Ω)电压使用范围 DC50V时管1 140 98－182 〉100MΩ ＜1PF 〉200 ≤0.03或126－154 min Max 次 T管2 200 160－240 DC100时或180－220 〉100MΩ 〈1PF 〉200 ≤0.03min max 次 T管3 300 210－390 DC100时或180－330 〉100MΩ 〈1PF 〉200 ≤0.03min max 次 T管4 400 280－520 DC100或或360－480 250时 〉200 ≤0.03〉100MΩ 〈1PF 次 Tmin max管5 500 350－650 DC250时 〈 1PF 〉200或450－550 〉100MΩ max 次 T ≤0.03min管6 700 525－975 DC250时 〈 1PF 〉200或630－770 〉100MΩ max 次 T ≤0.03min*管7 200 〈 2PF 〉100次 ≤0.5*管8 300 〈 2PF 〉100次 ≤0.5注“*”管为DO－35封装管，管芯为立方体形。无“*”者均为DO－41玻封管，管芯直径为DO－35用直径，采用本技术的阶梯结构管芯，用以两者对照。表2项目试验方法结论同耐寒性负40℃／1000小时放置后初期耐热性 125℃／1000小时放置后特性耐湿性 45℃，相对湿度95％，1000小时放置后额定冷热置换的负40℃／30分钟--常温2分钟--125℃／ 30分值适应性钟，10次以上同本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浪涌吸收管，包括外壳，电极柱，同该电极柱相联的引线或接点和气室，其特征是电极柱之间具有一单面涂有导电物或非导电物的阶梯形塔状管芯。

【技术特征摘要】
1.一种浪涌吸收管，包括外壳，电极柱，同该电极柱相联的引线或接点和气室，其特征是电极柱之间具有一单面涂有导电物或非导电物的阶梯形塔状管芯。2.如权利要求1所述的吸收管，其特征是所述的管芯是陶瓷片。3.如权利要求1所述的吸收管，其特征是所述的管芯是单晶硅。4.如权利要求1或2所述的吸收管，其特征是所述的导电物是酸化碳膜、铝膜。5.如权利要求1或3所述的吸收管，其特征是所述的非导...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨炳霖，
申请(专利权)人：杨炳霖，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]